trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設計時，要借助于CAD工具進行嚴格的計算，從而控制走線的時延匹配。考慮到在圖2中6層板上的過孔的因素，當一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數(shù)為：barreldiameter=”8mils”，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”。DDR壓力測試的內(nèi)容有那些；測試服務DDR測試安裝

DDR測試

DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽；一旦測試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū) 測試服務DDR測試安裝不同種類的DDR協(xié)議測試探頭；

DDR測試信號和協(xié)議測試

DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設計更為復雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應用IBIS模型針對基于DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進行仿真驗證，比如仿真驅(qū)動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū)

   克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng)，以成為高數(shù)信號傳輸測試界的帶頭者為奮斗目標。

   克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室重心團隊成員從業(yè)測試領(lǐng)域10年以上。實驗室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡分析儀及附件，使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅持以專業(yè)的技術(shù)人員，嚴格按照行業(yè)測試規(guī)范，配備高性能的權(quán)能測試設備，提供給客戶更精細更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務。     克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室提供具深度的專業(yè)知識及一系列認證測試、預認證測試及錯誤排除信號完整性測試、多端口矩陣測試、HDMI測試、USB測試等方面測試服務。 DDR信號質(zhì)量的測試方法、測試裝置與測試設備與流程；

DDR測試

DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質(zhì)量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數(shù)模型文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據(jù)實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數(shù)，來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數(shù)測量和統(tǒng)計。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質(zhì)量測試環(huán)境，以及在示波器中進行去嵌入操作的界面。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號建立；測試服務DDR測試安裝

DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；測試服務DDR測試安裝

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數(shù)據(jù)抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論，現(xiàn)在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網(wǎng)絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構(gòu)成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。測試服務DDR測試安裝