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EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對(duì)于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合...

EVG?850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征：開放式膠粘劑平臺(tái)；各種載體（硅，玻璃，藍(lán)寶石等）；適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合；程序控制系統(tǒng)；實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)；完全集成的SECS/GEM接口；可選的集成在線計(jì)量模塊，用于自動(dòng)反饋...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞...

EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化腔室的...

EVG?850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高...

Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說：“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對(duì)齊（對(duì)準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的有質(zhì)服務(wù)對(duì)于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?！盓VG的執(zhí)行技術(shù)...

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)li...

EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μ...

完美的多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶，各種訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì)，占用空間蕞小 支持紅外對(duì)準(zhǔn)過程 EVG?610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ ...

電阻率測(cè)量?jī)x是什么？如何進(jìn)行作業(yè)的？電阻率測(cè)量?jī)x是一種用于測(cè)量物質(zhì)電阻率的儀器設(shè)備。它可以通過測(cè)量單位長(zhǎng)度中的電阻和截面積來計(jì)算出試樣單位長(zhǎng)度的電阻率。電阻率測(cè)量?jī)x適用于各種材料的測(cè)量，例如金屬、塑料、橡膠、石英玻璃等。電阻率測(cè)量?jī)x的操作方法：1. 準(zhǔn)備被測(cè)試...

晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備的原理是什么？晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備的原理主要是利用光學(xué)、圖像處理、計(jì)算機(jī)視覺等技術(shù)，對(duì)晶圓表面進(jìn)行高速掃描和圖像采集，通過圖像處理和分析技術(shù)對(duì)采集到的圖像進(jìn)行處理和分析，確定晶圓表面的缺陷情況。具體來說，晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備會(huì)使用光源照射晶...

典型晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的工作原理：1、光學(xué)檢測(cè)原理：使用光學(xué)顯微鏡等器材檢測(cè)晶圓表面缺陷，包括凹坑、裂紋、污染等。2、電學(xué)檢測(cè)原理：通過電流、電壓等電學(xué)參數(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行檢測(cè)，具有高靈敏度和高精度。3、X光檢測(cè)原理：利用X射線成像技術(shù)對(duì)晶圓的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè)，可檢測(cè)...

高精度電容位移傳感器是一種用于測(cè)量物品位移的傳感器，具有高精度、高穩(wěn)定性和高靈敏度等特點(diǎn)。其工作原理是利用電容元件的變化來測(cè)量位移。通過傳感器上的電場(chǎng)感應(yīng)器和移動(dòng)部件，可以檢測(cè)到位移，并將位移轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。高精度電容位移傳感器通常用于需要高精度位移測(cè)量的應(yīng)...

晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的維護(hù)保養(yǎng)有哪些要點(diǎn)？1、定期清潔：晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備應(yīng)該定期清潔，以保持設(shè)備的正常運(yùn)行。清潔時(shí)應(yīng)注意避免使用帶有酸性或堿性的清潔劑，以免對(duì)設(shè)備造成損害。2、維護(hù)設(shè)備的工作環(huán)境：晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備應(yīng)該放置在干燥、通風(fēng)、溫度適宜的環(huán)境中，以避免設(shè)備受...

位移傳感器，也可以成為線性傳感器。可以用來檢測(cè)位移，或者檢測(cè)速度，提供報(bào)警信號(hào)等。常見的是應(yīng)用在數(shù)控機(jī)床上，可以依靠位移傳感器檢測(cè)出其位移的變化。位移傳感器按測(cè)變量變化的形式不同，可以分為模擬式和數(shù)字式的。而模擬式的又可以分為物性型和結(jié)構(gòu)型的兩張，其中數(shù)字式的...

晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的使用壽命是由多個(gè)因素決定的，如使用頻率、環(huán)境的濕度、溫度和灰塵的積累等。一般來說，晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的使用壽命認(rèn)為在3-5年左右，保養(yǎng)和維護(hù)可以延長(zhǎng)其壽命。以下是一些延長(zhǎng)晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)使用壽命的方法：1、定期保養(yǎng)：對(duì)晶圓檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行定期保...

晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)是一種通過光學(xué)成像技術(shù)來檢測(cè)晶圓表面缺陷的設(shè)備。其主要特點(diǎn)包括：1、高分辨率：晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)采用高分辨率鏡頭和成像傳感器，可以獲得高精度成像結(jié)果，檢測(cè)出微小缺陷。2、寬視場(chǎng)角：晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)具有較大的視場(chǎng)角度，可以同時(shí)檢測(cè)多個(gè)晶...

電阻率測(cè)量?jī)x與電阻表的區(qū)別是什么？ 電阻率測(cè)量?jī)x和電阻表都可以用于測(cè)量電阻，但是它們的應(yīng)用場(chǎng)景、原理和功能不同。1. 應(yīng)用場(chǎng)景不同：電阻率測(cè)量?jī)x通常用于測(cè)量絕緣性材料的電阻率，例如塑料、橡膠、絕緣漆等，而電阻表則通常用于測(cè)量導(dǎo)體中的電阻。2. 測(cè)量原理不同：電...

晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)前景廣闊，主要原因如下：1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展：隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的需求也在不斷增長(zhǎng)。特別是隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的需求將進(jìn)一步增加。2、晶圓質(zhì)量的要求不斷提高：現(xiàn)代半導(dǎo)體制造...

典型晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的工作原理：1、光學(xué)檢測(cè)原理：使用光學(xué)顯微鏡等器材檢測(cè)晶圓表面缺陷，包括凹坑、裂紋、污染等。2、電學(xué)檢測(cè)原理：通過電流、電壓等電學(xué)參數(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行檢測(cè)，具有高靈敏度和高精度。3、X光檢測(cè)原理：利用X射線成像技術(shù)對(duì)晶圓的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè)，可檢測(cè)...

高精度電容位移傳感器出現(xiàn)故障如何解決？1. 檢查連接：首先，需要檢查傳感器的連接是否正確、接頭是否松動(dòng)等，排除可能的連接問題。2. 排除電源故障：檢查傳感器的電源是否正常供電，是否存在供電不穩(wěn)定的情況，排除電源故障。3. 檢查傳感器線圈：電容式位移傳感器線圈損...

晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備在晶圓大量生產(chǎn)時(shí)，需要采取一些策略來解決檢測(cè)問題，以下是一些解決方案：1、提高設(shè)備效率：提高設(shè)備的檢測(cè)效率是解決檢測(cè)問題的關(guān)鍵所在?？梢詢?yōu)化設(shè)備的機(jī)械部分，例如，通過改善流程、添加附加功能等方式來提高檢測(cè)效率。2、使用快速、高效的檢測(cè)技術(shù)：采用...

晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)該如何維護(hù)？1、清潔鏡頭和光學(xué)器件：鏡頭和光學(xué)器件是光學(xué)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，若有灰塵或污垢會(huì)影響光學(xué)成像效果。因此，需要定期清潔這些部件。清潔時(shí)應(yīng)只用干凈、柔軟的布或特殊的光學(xué)清潔紙等工具，避免使用任何化學(xué)溶劑。2、檢查光源和示波器：如果光源老...

新型光學(xué)輪廓儀!film3D使得光學(xué)輪廓測(cè)量更易負(fù)擔(dān)*后，表面粗糙度和表面形貌測(cè)量可以用比探針式輪廓儀成本更低的儀器來進(jìn)行。film3D具有3倍於于其成本儀器的次納米級(jí)垂直分辨率,film3D同樣使用了現(xiàn)今*高 分辨率之光學(xué)輪廓儀的測(cè)量技術(shù)包含垂直掃描干涉(V...

電阻率測(cè)量?jī)x的作用原理是什么？電阻率測(cè)量?jī)x的作用原理是基于歐姆定律和材料電導(dǎo)率之間的關(guān)系。在測(cè)量過程中，電阻率測(cè)量?jī)x生成一個(gè)已知大小的電勢(shì)差，并將其施加在待測(cè)材料的兩端，同時(shí)測(cè)量?jī)啥说碾娏鳌８鶕?jù)歐姆定律，電勢(shì)差等于電流乘以電阻。通過測(cè)量電勢(shì)差和電流，可以計(jì)算出...

薄膜應(yīng)力分析儀怎么樣？有什么獨(dú)特之處？1. 測(cè)量方式靈活：薄膜應(yīng)力分析儀可以使用多種測(cè)量方法的技術(shù)，包括光學(xué)和機(jī)械測(cè)量方法等。光學(xué)方法包括X光衍射、拉曼散射、橢偏光等方法，機(jī)械方法包括曲率法、剝離法等方法，可以更加廣闊地分析和測(cè)試薄膜的物理性質(zhì)。2. 非接觸式...

輪廓儀的物鏡知多少？白光干涉輪廓儀是基于白光干涉原理，以三維非接觸時(shí)方法測(cè)量分析樣片表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，典型結(jié)果包括：表面形貌（粗糙度，平面度，平行度，臺(tái)階高度，錐角等）幾何特征（關(guān)鍵孔徑尺寸，曲率半徑，特征區(qū)域的面積和集體，特征圖形的位置和數(shù)量等）白光...

如何選擇電阻率測(cè)量?jī)x廠家？1. 廠家規(guī)模：應(yīng)優(yōu)先選擇規(guī)模較大、實(shí)力充足的廠家，這些廠家開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的產(chǎn)品更有保障，售后服務(wù)更加完善。2. 技術(shù)實(shí)力：優(yōu)先選擇擁有先進(jìn)技術(shù)和專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)的電阻率測(cè)量?jī)x廠家，這些技術(shù)力量雄厚的廠家產(chǎn)品一般更具備創(chuàng)新性和實(shí)用性。3...

輪廓儀對(duì)所測(cè)樣品的尺寸有何要求？答：輪廓儀對(duì)載物臺(tái)xy行程為140*110mm（可擴(kuò)展），Z向測(cè)量范圍蕞大可達(dá)10mm，但由于白光干涉儀單次測(cè)量區(qū)域比較?。ㄒ?0X鏡頭為例，在1mm左右），因而在測(cè)量大尺寸的樣品時(shí)，全檢的方式需要進(jìn)行拼接測(cè)量，檢測(cè)效率會(huì)比較低...

表面三維微觀形貌測(cè)量的意義在于，在生產(chǎn)中表面三維微觀形貌對(duì)工程零件的許多技術(shù)性能的評(píng)家具有蕞直接的影響，而且表面三維評(píng)定參數(shù)由于能更權(quán)面，更真實(shí)的反應(yīng)零件表面的特征及衡量表面的質(zhì)量而越來越受到重視，因此表面三維微觀形貌的測(cè)量就越顯重要。通過兌三維形貌的測(cè)量可以...