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隨著國(guó)內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡(jiǎn)直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)：與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下，能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以...

這是除去固體顆粒、電子流、水、或者或多或少具有極性的油脂污染的要求。在精細(xì)清洗中，經(jīng)常存在裝有凹槽、肋條或盲孔的非常復(fù)雜的部件，必須用溶劑對(duì)其進(jìn)行潤(rùn)濕，以使溶劑在這些難洗位置發(fā)揮作用。氟化溶劑來(lái)自提供表面的可能性的潤(rùn)濕的溶劑類(lèi)型，其中，所述表面的可能性...

能夠除去抗蝕劑。用本發(fā)明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒(méi)有特別限定，例如，可以舉出在設(shè)為10～80℃的本發(fā)明剝離液中浸漬基材1～60分鐘左右的條件、將設(shè)為10～80℃的本發(fā)明剝離液向基材噴霧1～60分鐘左右的條件。需要說(shuō)明的是，浸漬時(shí)，可以搖動(dòng)基材，或?qū)Ρ?..

所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線(xiàn)和沉淀劑輸入管線(xiàn)，所述二級(jí)過(guò)濾罐的底部設(shè)有廢液出口，所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置，所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐的結(jié)構(gòu)相同，均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過(guò)濾筒、扣...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成...

能夠增強(qiáng)親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤(rùn)濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐，備用；第三步：根據(jù)混酸配制表算出各個(gè)原料的添加量，按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐，將上述混料充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為3～5h；第四步：在第...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中，閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥...

該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來(lái)自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開(kāi)或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿...

將蝕刻液通過(guò)回流管抽入到一號(hào)排液管中，并由進(jìn)液管導(dǎo)入到伸縮管中，直至蝕刻液由噴頭重新噴到電解池中，可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉(zhuǎn)化為金屬銅，起到循環(huán)電解蝕刻液的作用；該回收處理裝置通過(guò)設(shè)置有伸縮管與伸縮桿，能夠在蝕刻液通過(guò)進(jìn)液管流入到電解池中時(shí)，...

將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐，備用；第三步：根據(jù)混酸配制表算出各個(gè)原料的添加量，按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐，將上述混料充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為3～5h；第四步：在第...

若所述過(guò)濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過(guò)濾器的管道上的閥門(mén)開(kāi)關(guān)；取出被阻塞的所述過(guò)濾器。在一些實(shí)施例中，所述若所述過(guò)濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過(guò)濾器的管道上的閥門(mén)開(kāi)關(guān)包括：若所述過(guò)濾器包括多個(gè)并列排布的子過(guò)濾器，則關(guān)...

若所述過(guò)濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過(guò)濾器的管道上的閥門(mén)開(kāi)關(guān)；取出被阻塞的所述過(guò)濾器。在一些實(shí)施例中，所述若所述過(guò)濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過(guò)濾器的管道上的閥門(mén)開(kāi)關(guān)包括：若所述過(guò)濾器包括多個(gè)并列排布的子過(guò)濾器，則關(guān)...

如遇水，圖案則隨著背膠的脫落而脫落。這種印刷方法是通過(guò)滾筒式膠質(zhì)印模把沾在膠面上的油墨轉(zhuǎn)印到紙面上。由于膠面是平的，沒(méi)有凹下的花紋，所以印出的紙面上的圖案和花紋也是平的，沒(méi)有立體感，防偽性較差。膠版印刷所需的油墨較少，模具的制造成本也比凹版低。目前我國(guó)汽車(chē)尾...

可用于銀鎳合金、銀銅合金以及純銀的蝕刻，蝕刻后板面平整光滑。劑對(duì)油墨沒(méi)有影響，可用于花紋蝕刻處理。三、使用方法：1、原液使用，不須加水，操作溫度可以是25℃-60℃，溫度越高，速度越快。2、將銀板浸泡在銀蝕刻劑中。用軟毛刷來(lái)回輕輕刷動(dòng)，使藥水與銀充分均勻反應(yīng)；...

以往的光刻膠剝離液對(duì)金屬的腐蝕較大，可能進(jìn)入疊層內(nèi)部造成線(xiàn)路減薄，藥液殘留，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。因此有必要開(kāi)發(fā)一種不會(huì)對(duì)疊層晶圓產(chǎn)生過(guò)腐蝕的光刻膠剝離液。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會(huì)對(duì)晶圓...

很好的對(duì)注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖；圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖；圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該...

因此存在開(kāi)發(fā)蝕刻液組合物時(shí)會(huì)過(guò)度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問(wèn)題。美國(guó)公開(kāi)**第2號(hào)公開(kāi)了在3dnand閃存的制造工序中，對(duì)于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物。然而，為了選擇構(gòu)成成分的種類(lèi)和濃度，不得不需要測(cè)試蝕刻液組合物的蝕刻性能，實(shí)際...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時(shí)，蝕刻時(shí)間長(zhǎng)；在82~120g/L時(shí)，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進(jìn)一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋(píng)果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃...

也很難保證拖車(chē)在地磅頂部不移動(dòng)。在地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊40，卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽，在地磅的頂部設(shè)置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)，壓緊塊位于插槽中，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車(chē)的邊緣沿插槽插入后，氣缸帶動(dòng)壓緊塊下行將拖車(chē)緊緊壓...

本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù)：廢銅蝕刻液含有可回收的金屬，所以需要進(jìn)行回收處理，目前通用的做法是，使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅，或提煉成硫酸銅產(chǎn)品，工藝落后，銅回收不徹底，處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯，有二次污染污染物...

所述裝置主體的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥，所述連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)固定連接有過(guò)濾部件，所述裝置主體的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉(cāng)，所述收集倉(cāng)的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門(mén)，所述過(guò)濾部件的頂端兩側(cè)活動(dòng)連接有滑動(dòng)蓋，所述過(guò)濾部件的內(nèi)部中間兩側(cè)固...

過(guò)濾器的出液管自動(dòng)上行離開(kāi)儲(chǔ)存罐，將裝滿(mǎn)的儲(chǔ)存罐從鋁蝕刻液生產(chǎn)車(chē)間移動(dòng)至自動(dòng)灌裝車(chē)間中，將灌裝頭的快速接頭插入儲(chǔ)存罐的出液口中便可將儲(chǔ)存罐內(nèi)的鋁蝕刻液分裝。本實(shí)用新型除上述技術(shù)方案外，還包括以下技術(shù)特征：進(jìn)一步的是，所述地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊，...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕...

使硝酸鉀儲(chǔ)罐21和其它儲(chǔ)罐的內(nèi)部形成一個(gè)密閉的空間，避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進(jìn)入儲(chǔ)罐內(nèi)，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著，將磷酸與醋酸在個(gè)攪拌倉(cāng)23中充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆?，然后在第二個(gè)攪拌倉(cāng)23中與硝酸充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆蚝?，再進(jìn)入配料罐中混合，將陰離子表面活性...