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被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢，打破了采用國際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的...

則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時(shí)，r2和sw1所在的支路可以...

寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)...

用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配；所述驅(qū)動放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號；所述反饋電路，用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級間匹配電路，用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用...

圖3中的自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設(shè)置有兩個(gè)主體電路，每個(gè)主體電路包括激勵(lì)放大器和功率放大器，激勵(lì)放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接。主體電路中的c04和c05構(gòu)成激勵(lì)放大器和功率放大器之間的匹...

LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX55...

以便能保證它工作在一個(gè)線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個(gè)輸入信號幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復(fù)制它。A類放大器的優(yōu)點(diǎn)：A類設(shè)計(jì)相比其他類設(shè)計(jì)要簡單，輸出部分可以有一個(gè)器件。當(dāng)器件通過偏置設(shè)置工作在其傳輸特性的線性部分時(shí)，放大器可以非常精...

輸出則是方波信號，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡(luò)的信號，輸入信號通常是脈沖串類的信號。C類放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點(diǎn)...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實(shí)施中，第三子濾波電路還...

P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28

顯然，所描述的實(shí)施例是本申請一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾堉械膶?shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。本申請實(shí)施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。本申請實(shí)施例的移動終端...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實(shí)施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增...

功率放大電路105，用于放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應(yīng)用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對應(yīng)的模式。當(dāng)終端與基站的距離較近時(shí)，路徑損耗較小，終端與基站的通...

能夠快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器。本申請實(shí)施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測模...

以便能保證它工作在一個(gè)線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個(gè)輸入信號幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復(fù)制它。A類放大器的優(yōu)點(diǎn)：A類設(shè)計(jì)相比其他類設(shè)計(jì)要簡單，輸出部分可以有一個(gè)器件。當(dāng)器件通過偏置設(shè)置工作在其傳輸特性的線性部分時(shí)，放大器可以非常精...

第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端，第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻...

在這些年的WiFi產(chǎn)品開發(fā)中，接觸了多種型號的射頻功率放大器（以下簡稱PA），本文對WiFi產(chǎn)品中常用的射頻功率放大器做個(gè)匯總，供讀者參考。本文中部分器件型號是FrontendModule，即包含內(nèi)PA，LNA，Switch，按不同廠牌對PA進(jìn)行介紹，...

微處理器通過控制vgg＝，使得開關(guān)導(dǎo)通，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，此時(shí)，一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路之后的電路，輸入信號衰減，射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式。當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，電感用于匹配寄生電...

當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消...

較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗，進(jìn)而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實(shí)施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初...

將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實(shí)施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚...

通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進(jìn)入后續(xù)電路的射頻功率減小，輸入信號衰減，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一個(gè)可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開關(guān)t1，開關(guān)的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關(guān)的漏級與第...

單位為分貝)，再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower，pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后，確定天線的發(fā)射功率pt，根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率，根據(jù)射頻功率放大...

比如橫豎屏切換、相關(guān)游戲、磁力計(jì)姿態(tài)校準(zhǔn))、振動識別相關(guān)功能(比如計(jì)步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計(jì)、濕度計(jì)、溫度計(jì)、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚(yáng)聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可...

第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實(shí)施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的輸入端可以接收輸入信號，驅(qū)動電路的輸出端可以輸出差分信號input_p，驅(qū)動電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號input_n。驅(qū)動電路可以起到將輸入信號...

能夠快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器。本申請實(shí)施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測模...

因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時(shí)輸出訊號功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板，開啟了一系列全新的可能應(yīng)用，尤其在5G多輸...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵(lì)放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵(lì)放大...