氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身,能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度,擊穿電壓達(dá)300伏,可工作在更高的工作電壓,簡化了設(shè)計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵(GaN)HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右,已經(jīng)開始...
用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號;所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級間匹配電路,用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路,用...
單位為分貝),再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower,pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后,確定天線的發(fā)射功率pt,根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率,根據(jù)射頻功率放大...
5G時代,智能手機將采用2發(fā)射4接收方案,未來有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器(PA)是一部手機關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機無線通信的距離、信號質(zhì)量,甚至待機時間,是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增...
下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大...
射頻功率放大器的關(guān)閉狀態(tài)的電阻值即射頻功率放大器自身的電阻值;檢測到射頻功率放大器開啟時,其匹配電阻生效,射頻功率放大器的開啟狀態(tài)的電阻值即匹配電阻的電阻值。匹配電阻跟射頻功率放大器可以連接,將射頻功率放大器的控制端接入匹配電阻的控制端;匹配電阻跟射頻...
用于放大所述級間匹配電路輸出的信號;所述輸出匹配電路,用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中,通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進(jìn)行處理,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增...
PA)用量翻倍增長:PA是一部手機關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機無線通信的距離、信號質(zhì)量,甚至待機時間,是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。手機里面PA的數(shù)量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例,4G多模多頻手機所需的PA芯片為5-7顆,預(yù)測5...
在本發(fā)明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p,功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進(jìn)行放大處理,功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放...
RF)領(lǐng)域成為全球的IC供貨商。立積電子的產(chǎn)品主要分為兩個產(chǎn)品線:一是射頻技術(shù)相關(guān)的收發(fā)器,另一個是射頻前端的相關(guān)射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek(Ralink)的參考設(shè)計,眾所周知,中國臺灣半導(dǎo)體廠商喜歡在參考設(shè)計中選用...
其中:串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容,減少對后級驅(qū)動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負(fù)增益模式下,sw1處在導(dǎo)通狀態(tài),電阻r主要承擔(dān)對射頻輸入功率分流后的衰減,sw1主要負(fù)責(zé)射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導(dǎo)通。若系統(tǒng)要...
pmos管的漏極通過電阻接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端,第二輸出端用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓??蛇x的,射頻輸入端和射頻輸出端之間設(shè)置有兩個主體電路,每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器,激勵放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接;主體電...
且串聯(lián)電感的個數(shù)比到地電容的個數(shù)多1。在具體實施中,當(dāng)lc匹配電路為兩階匹配濾波電路時,參照圖4,給出了本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4中,lc匹配濾波電路包括第四電感l(wèi)4以及第四電容c4,其中:第四電感l(wèi)4的端與主次級線圈121...
寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結(jié)構(gòu),采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容;lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是結(jié)構(gòu)較簡單,插損較?。蝗秉c是寬帶性能一致性不好,在不同的頻率性能不一致,而...
此時信號將產(chǎn)生非線性,其功率需要小于-10dbm才能實現(xiàn)線性輸出,此時射頻功率放大器電路的線性增益為-10db,因此,其線性輸出功率范圍為:-45dbm~-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級的交疊,這是窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)平臺的要求,這樣可保證應(yīng)...
包括:第五一電容c51、第五二電容c52、第五三電容c53、第五四電容c54、第五一電阻r51、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五一開關(guān)k51和第五二開關(guān)k52,第五一電容c51、第五一電阻r51、第五一開關(guān)k51和第五二電容順次連接構(gòu)成支路,第...
4G/5G基礎(chǔ)設(shè)施用RF半導(dǎo)體的市場規(guī)模將達(dá)到16億美元,其中,MIMOPA年復(fù)合增長率將達(dá)到135%,射頻前端模塊的年復(fù)合增長率將達(dá)到119%。預(yù)計未來5~10年,GaN將成為3W及以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)。根據(jù)Yole預(yù)測,2017年,全球GaN射頻市場...
射頻功率放大器的關(guān)閉狀態(tài)的電阻值即射頻功率放大器自身的電阻值;檢測到射頻功率放大器開啟時,其匹配電阻生效,射頻功率放大器的開啟狀態(tài)的電阻值即匹配電阻的電阻值。匹配電阻跟射頻功率放大器可以連接,將射頻功率放大器的控制端接入匹配電阻的控制端;匹配電阻跟射頻...
LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計中,F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網(wǎng)卡參考設(shè)計中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA,與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講,MicrosemiLX55...
需要滿足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情況下,可以計算得到r20和x20,進(jìn)一步的,在第二電阻和開關(guān)的參數(shù)已知的情況下,可以計算得到電感的參數(shù)值。因為加入輸入匹配電路后的等效阻抗z20+z30與輸入阻抗zin能實現(xiàn)...
并對漏級供電電壓vcc進(jìn)行控制,從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大,使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:在信號的輸入端設(shè)計可變衰減電路,在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負(fù)增益的同時,對非負(fù)增益模式下該電路性能的影...
5G時代,智能手機將采用2發(fā)射4接收方案,未來有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器(PA)是一部手機關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機無線通信的距離、信號質(zhì)量,甚至待機時間,是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增...
Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等,可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強客戶的設(shè)計能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場包括植入式醫(yī)療機構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動通信等...
包括:功率放大單元、功率合成變壓器以及匹配濾波電路,其中:所述功率放大單元,輸入端輸入差分信號,第二輸入端輸入第二差分信號,輸出端輸出經(jīng)過放大的差分信號,第二輸出端輸出經(jīng)過放大的第二差分信號;所述功率合成變壓器,包括初級線圈以及次級線圈;所述初級線圈的...
PA)用量翻倍增長:PA是一部手機關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機無線通信的距離、信號質(zhì)量,甚至待機時間,是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。手機里面PA的數(shù)量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例,4G多模多頻手機所需的PA芯片為5-7顆,預(yù)測5...
第二端接地??蛇x的,所述子濾波電路包括:電容;所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接,第二端接地??蛇x的,所述子濾波電路還包括:電感;所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間。可選的,所述第二子濾波電路包括:第二電容;所...
nmos管mn11的漏極連接電容c11,nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓,偏置電壓用于為激勵放大...
RFMDWiFiPA產(chǎn)品線型號非常多,幾乎可以滿足所有WiFi產(chǎn)品的射頻需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355R...
氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身,能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度,擊穿電壓達(dá)300伏,可工作在更高的工作電壓,簡化了設(shè)計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵(GaN)HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右,已經(jīng)開始...
自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸入端;自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極??蛇x的,在自適應(yīng)動態(tài)偏置電路中,nmos管的柵極為自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端,nmos管的漏極連接pmos管的源極,nmos...