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從工業(yè)角度看高潔凈中效袋式過濾器的優(yōu)勢-常州昱誠凈化設(shè)備
F9中效過濾器在工業(yè)和通風(fēng)系統(tǒng)的優(yōu)勢-常州昱誠凈化設(shè)備
資料匯總1:過濾器內(nèi)框機——常州昱誠凈化設(shè)備
工業(yè)中效袋式過濾器更換流程及注意事項-常州昱誠凈化設(shè)備
高潔凈中效袋式過濾器的清洗流程-常州昱誠凈化設(shè)備
F9中效袋式過濾器清洗要求及安裝規(guī)范-常州昱誠凈化設(shè)備
中效f7袋式過濾器的使用說明-常州昱誠凈化設(shè)備
電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長,國內(nèi)市場表現(xiàn)優(yōu)于國際市場,多個下游企業(yè)的應(yīng)用前景明朗,電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長潛力。閃爍過程的第四階段可以稱為遷移階段,因為遷移的電子激發(fā)并向發(fā)光中心轉(zhuǎn)移能量。通過電子空穴對與激子轉(zhuǎn)移能量是可能的。在第一種情況下,通過...
鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征,是無機閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向,而Ce:YAP和Ce:YAG是其中較有優(yōu)勢的晶體。隨著應(yīng)用需求的變化,對閃爍晶體尺寸的要求也在不斷增加,生長大尺寸的閃爍晶體變得更為重要。同時國內(nèi)目前生長的Ce:YAP 晶...
鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征,是今后無機閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向。目前我國對閃爍晶體的研究主要集中在低熔點的閃爍晶體上,而且中科院上海硅酸鹽研究所和北京玻璃研究所等單位在BGO,PWO,CsI:Tl,BaF2等晶體的研究和開發(fā)上在國際...
隨溫度升高,基態(tài)中較高的Stark能級熱布局增大,因而躍遷強度增大。整個吸收光譜隨溫度升高重心紅移。低溫下Tm:YAP*有少量尖銳發(fā)射峰,隨溫度升高,譜線逐漸展寬,在左側(cè)出現(xiàn)新的熒光峰。BaY2F8是一種性能優(yōu)良的激光晶體,近年來研究較多。Cornacchia...
Tm:YAP是二極管泵浦發(fā)射2μm波段激光的重要晶體。Tm:YAP與Tm:YAG晶體相比,雖然它們物理、化學(xué)性質(zhì)相近,但Tm:YAP晶體的795nm泵浦吸收帶與常用的高功率AlGaAs二極管發(fā)射波長匹配得更好,并且它的泵浦吸收帶寬比Tm:YAG晶體寬4nm,效...
摻鈰釔鋁石榴石(Ce: YAP)作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體,在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而,在實際應(yīng)用中,我國生長的Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題,直接影響晶體的發(fā)光效率。為了提高Ce: YAP晶體的閃爍性能,特別是發(fā)光強度,有必...
YbYAG晶體的熔點達1970℃,為一致熔融化合物,通常采用感應(yīng)加熱熔體提拉法生長:首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化,調(diào)整爐內(nèi)溫度場,使熔體上部處于過冷狀態(tài)。然后在籽晶桿上安放所需籽晶,并讓籽晶接觸熔體表面。當(dāng)籽晶表面稍熔后,慢慢向上提拉...
YAP晶體屬于扭曲鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的正交晶系,可視為晶格常數(shù)A=5.328,B=7.367,C=5.178的Al-O 八面體,所有頂點共享而成的三維結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如圖1-7所示。一個YAP原細胞中有四個YAP分子,晶體中有兩種可以置換的陽離子位置:一種是扭曲的YO1...
隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)無機閃爍晶體的缺點日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場價值。20世紀(jì)80年代末和90年代初,國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體的研究熱潮。其中,1990年成立...
目前Ce:YAG高溫閃爍晶體已經(jīng)商業(yè)化,主要用于掃描電子顯微鏡(SEM)的顯示元件,其生長方法主要有直拉法和溫度梯度法。近年來,Ce:YAG單晶薄膜[84]和Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體以其獨特的優(yōu)勢引起了人們的關(guān)注。發(fā)光是一種能量被物體吸收并轉(zhuǎn)化為...
當(dāng)您外出旅行攜帶行李通過安檢時,當(dāng)患者就診做CT造影時,您或許不知道閃爍晶體正在為人們的安全和健康作出貢獻。事實上,閃爍晶體作為高級射線探測裝備關(guān)鍵部件的關(guān)鍵材料。隨著高重頻輻射成像技術(shù)的發(fā)展和時間飛行技術(shù)在核醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域的應(yīng)用,超快閃爍晶體的重要性愈加凸顯,...
在顯示正?;虍惓9δ芊矫?,PET具有其他成像方法無法替代的優(yōu)勢。在發(fā)達國家,正電子發(fā)射斷層掃描已經(jīng)成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如,自1998年以來,美國食品和藥物管理局(FDA)和衛(wèi)生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發(fā)射斷層掃描成像診斷付費...
YbYAG晶體以其優(yōu)異的熱學(xué)、機械、光學(xué)、激光性能成為新的研究熱點,被視為發(fā)展高效率、大功率固體激光器的一個主要方向,成為當(dāng)前較有發(fā)展前景的全固態(tài)激光器工作物質(zhì)。在民用、材料、信息等領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,迫切需要大尺寸、品質(zhì)高的YbYAG晶體材料。但傳統(tǒng)生長方法、...
作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發(fā)光,而另一方面,以Ce為基質(zhì)的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現(xiàn)出與Ce3相同的5d4f躍遷發(fā)光。表1-2無機閃爍體中主要電子躍遷和發(fā)光中心的分類,對于閃爍體,一般要求其發(fā)光中心具有較高的輻射躍遷概率。表1-2總結(jié)了無機閃爍晶體中...
一種YbYAG激光晶體的生長方法,所用的裝置為感應(yīng)加熱提拉式單晶爐,其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻,置于銥坩堝中,裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫,出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的...
本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下一種YbYAG激光晶體的生長方法,所用的裝置為感應(yīng)加熱提拉式單晶爐,其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻,置于銥坩堝中,裝爐.下文是和YbYAG晶體相關(guān)的一些知識的介紹,如果感興趣的就一起來看看吧,YbYAG激光晶體開裂的理論...
一種YbYAG激光晶體的生長方法,所用的裝置為感應(yīng)加熱提拉式單晶爐,其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻,置于銥坩堝中,裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫,出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的...
YbYAG晶體的生長裝置:晶體提拉法的裝置由以下部分組成:加熱系統(tǒng):加熱系統(tǒng)由加熱、保溫、控溫三部分構(gòu)成。較常用的加熱裝置分為電阻加熱和高頻線圈加熱兩大類。本次操作所采用的高頻線圈加熱,依靠的是高頻強電流流向環(huán)狀線圈,產(chǎn)生的強磁束會貫通銥金坩堝,坩堝內(nèi)產(chǎn)生相對...