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在延遲熒光摻雜劑“td”和磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光。換言之，當eml150包含延遲熒光摻雜劑152并且包含特定重量百分比條件(例如不大于5重量％)的磷光摻雜劑154時，延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光，使得oledd1的色彩連續(xù)性得到改善。[oled]將陽極(ito，)、hil(式9，)、htl(式10，)、ebl(式11，)、eml(基質(zhì)(式12)和摻雜劑)、hbl(式13，)、etl(式14，)、eil(lif)和陰極(al)順序堆疊以形成oled。1.比較例1(ref1)使用式15的延遲熒光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：70重量％，摻雜劑：30重量％)2...

延遲熒光摻雜劑152提供高的發(fā)光效率和相對寬的fwhm，以及延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光。因此，oledd1提供高的發(fā)光效率和改善的色彩連續(xù)性。參照圖2，其為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)光機理的示意圖，“基質(zhì)”中生成的激子通過德克斯振能量轉(zhuǎn)移(dexterresonanceenergytransfer，dret)轉(zhuǎn)移到延遲熒光摻雜劑“td”中，并且延遲熒光摻雜劑“td”的單線態(tài)能量“s1”和三線態(tài)能量“t1”中的至少部分通過dret轉(zhuǎn)移到磷光摻雜劑“pd”中。因此，從磷光摻雜劑“pd”發(fā)射紅色光。根據(jù)本發(fā)明的一方面，當磷光摻雜劑“pd”相對于延遲熒光摻...

并發(fā)送給該微控制器15；該微控制器15控制并獲取該發(fā)光二極管11的電流值，該驅(qū)動板12依據(jù)該電流值驅(qū)動該發(fā)光二極管11；該微控制器15依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比，依據(jù)該良好對比的結(jié)果對該良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計表；圖2是根據(jù)發(fā)明實施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計示意圖，如圖2所示，發(fā)光二極管的正向壓降是隨溫度變化而改變的曲線，是大小偏移的曲線，且該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作溫度呈負相關(guān)，例如，該良好壓差值可以依據(jù)該正向壓降的曲線進行校準，調(diào)整為第二壓差值，該發(fā)光...

TVS瞬態(tài)抑制二極管的作用：實際應用中TVS二極管是反向并聯(lián)在電路中，當二極管兩端瞬間通過高能量的沖擊時，二極管能夠在極短的時間內(nèi)由關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換為導通狀態(tài)，瞬間將電路中高能量沖擊吸收，并且將后端電路電壓鉗位在固定的電壓值上，從而到達保護后端電路的作用。現(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊進行功能參數(shù)介紹：現(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊進行功能參數(shù)介紹：電器特征參數(shù)定義Ppp（Peakpulsepower脈沖峰值電壓功率）VRM（Stand-off反向工作電壓/隔離電壓/反向關(guān)斷電壓）VBR（Breakdownvoltage擊穿電壓）VCL(Clampingvoltage鉗...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光?；?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體...

第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示，第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5％。例如，第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內(nèi)。盡管未示出，但是第三eml560還可以包含基質(zhì)?；|(zhì)可以在第三eml560中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質(zhì)和第三eml560的基質(zhì)可以相同或不同。cgl580被定位在發(fā)光部分530與第二發(fā)光部分550之間，第二cgl590被定位在第二發(fā)光部分550與第三發(fā)光部分57...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù)，它可以實現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點，因此被廣泛應用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工...

利用運放將四pmos管mp4的源極電壓和二pmos管mp2的源極電壓分別鉗位至0v和步進電壓，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生像素內(nèi)的偏置電流；在像素內(nèi)利用電流鏡單元鏡像一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生的偏置電流，一電流鏡單元通過數(shù)字開關(guān)控制像素內(nèi)的比例電流鏡鏡像偏置電流的比例，從而實現(xiàn)雪崩光電二極管apd偏置電壓的步進調(diào)節(jié)；通過引入負電源電壓，擴大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍，有利于提高apd陣列的均勻性和電壓穩(wěn)定性，提升光子探測的靈敏度；提出以pmos源極，而不是ldo電路中的漏極產(chǎn)生步進電壓，具有面積小、響應速度快，電壓準確度高等優(yōu)點；像素外的運放采用折疊式...

其漏極連接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的柵極以及四電阻的一端；七nmos管的漏極連接五nmos管的源極，其源極連接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源極并接地；十pmos管的柵極連接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的柵極、十一pmos管的漏極和四電阻的另一端，其源極連接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源極并連接電源電壓，其漏極連接十一pmos管的源極；十二pmos管的漏極連接十三pmos管的源極，十四pmos管的漏極連接十五pmos管的源極，十六pmos管的漏極連接十七pmos管的源極；十八pmos管的柵極作為所述...

折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)的一運算放大器op1包括十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四電阻r0，其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作為一運算放大器op1的輸入對管，其襯底均連接電源電壓；六nmos管m16的柵極連接七nmos管m17和八nmos管m18的柵極以...

在延遲熒光摻雜劑“td”和磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光。換言之，當eml150包含延遲熒光摻雜劑152并且包含特定重量百分比條件(例如不大于5重量％)的磷光摻雜劑154時，延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光，使得oledd1的色彩連續(xù)性得到改善。[oled]將陽極(ito，)、hil(式9，)、htl(式10，)、ebl(式11，)、eml(基質(zhì)(式12)和摻雜劑)、hbl(式13，)、etl(式14，)、eil(lif)和陰極(al)順序堆疊以形成oled。1.比較例1(ref1)使用式15的延遲熒光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：70重量％，摻雜劑：30重量％)2...

所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在電極與第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在基板與有機發(fā)光二極管之間并與有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，照明裝置包括：基板；和有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置電極與第二電極之間的發(fā)光材料層，其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百...

根據(jù)本發(fā)明的一方面，磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推薦地為約％至％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，延遲熒光摻雜劑相對于基質(zhì)的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實施例7、9和10中所示，隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公開內(nèi)容的oledd1中，eml150包含在發(fā)射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續(xù)性得到提高。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示，照明裝...

五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻r3后連接負電源電壓vne，其漏極連接負電源電壓vne，其源極輸出浮動地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動地電壓連接復位管gn的源極，復位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽極。一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像，實施例中提出一種比例電流鏡結(jié)構(gòu)，能夠步進調(diào)節(jié)鏡像的電流比例，如圖1所示，一電流鏡單元包括一開關(guān)s1、二開關(guān)s2、三開關(guān)s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之...

r2＝r4，輸出的電壓vout如公式2所示：vout接入到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口，該微控制器15完成對該發(fā)光二極管11壓差值的采樣。在一個實施例中，該溫度采集電路14獲取發(fā)光二極管11的溫度可以有多種方式，其中，在該溫度采集電路14采用熱敏電阻(negativetemperaturecoefficient，簡稱為ntc)電路的情況下，溫度采集電路14使用ntc方案，ntc體積小，可以離該發(fā)光二極管11非常近，同時精度高，靈敏度高，費用低，非常合適用來測量該發(fā)光二極管11的工作溫度。ntc的阻值隨著溫度的升高而降低，圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖，...

有機發(fā)光二極管、有機發(fā)光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15％、17％、19％、20％、21％、23％或甚至25％。應理解，前面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步說明。附圖說明附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解并且被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，舉例說明了本發(fā)明的實施方案并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1為根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)光機理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)射光譜的圖。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容...

cgl280被定位在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間。即，發(fā)光部分250和第二發(fā)光部分270通過cgl280連接。cgl280可以為包括n型cgl282和p型cgl284的p-n結(jié)型cgl。n型cgl282被定位在etl256與第二htl272之間，p型cgl284被定位在n型cgl282與第二htl272之間。在圖5中，與作為陽極的電極220相鄰的eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244，與作為陰極的第二電極230相鄰的第二eml260包含藍色摻雜劑262。或者，與作為陽極的電極220相鄰的eml240可以包含藍色摻雜劑，與作為陰極...

延遲熒光摻雜劑152提供高的發(fā)光效率和相對寬的fwhm，以及延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光。因此，oledd1提供高的發(fā)光效率和改善的色彩連續(xù)性。參照圖2，其為示出本公開內(nèi)容的實施方案的oled的發(fā)光機理的示意圖，“基質(zhì)”中生成的激子通過德克斯振能量轉(zhuǎn)移(dexterresonanceenergytransfer，dret)轉(zhuǎn)移到延遲熒光摻雜劑“td”中，并且延遲熒光摻雜劑“td”的單線態(tài)能量“s1”和三線態(tài)能量“t1”中的至少部分通過dret轉(zhuǎn)移到磷光摻雜劑“pd”中。因此，從磷光摻雜劑“pd”發(fā)射紅色光。根據(jù)本發(fā)明的一方面，當磷光摻雜劑“pd”相對于延遲熒光摻...

其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4；六pmos管、七pmos管和八pmos管的柵極均連接一pmos管的柵極，其源極均連接電源電壓，其漏極分別通過一開關(guān)、二開關(guān)和三開關(guān)后連接所述一電流鏡單元的輸出端。具體的，所述二電流鏡單元包括九pmos管，九pmos管的柵極連接三pmos管的柵極，其源極連接電源電壓，其漏極連接所述二電流鏡單元的輸出端。具體的，所述一運算放大器的輸出端和一pmos管的柵極之間還設(shè)置有一電平位移電路，所述二運算放大器的輸出端和三pmos管的柵極之間還設(shè)置有二電平位移電路。具體的，所述一運算放大器和二運算放大器均采用折疊式...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光?；?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體...

在延遲熒光摻雜劑“td”和磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光。換言之，當eml150包含延遲熒光摻雜劑152并且包含特定重量百分比條件(例如不大于5重量％)的磷光摻雜劑154時，延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光，使得oledd1的色彩連續(xù)性得到改善。[oled]將陽極(ito，)、hil(式9，)、htl(式10，)、ebl(式11，)、eml(基質(zhì)(式12)和摻雜劑)、hbl(式13，)、etl(式14，)、eil(lif)和陰極(al)順序堆疊以形成oled。1.比較例1(ref1)使用式15的延遲熒光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：70重量％，摻雜劑：30重量％)2...

r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，m為2至5的整數(shù)，n為1至3的整數(shù)，以及m+n小于或等于6。例如，延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜...

附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一；圖2是根據(jù)發(fā)明實施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計示意圖；圖3是根據(jù)發(fā)明實施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二；圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的運放差分輸入電路的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖。具體實施方式下文中將參考附圖并結(jié)合實...

圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二，如圖4所示，該系統(tǒng)還包括報警電路21，所述報警電路21與所述微控制器15電性連接，在所述第二對比的結(jié)果超出第二校準數(shù)據(jù)表的合理范圍的情況下，所述微控制器15發(fā)送報警信號給所述報警電路21，所述報警電路21進行報警，該報警電路21可以為發(fā)光設(shè)備的燈光報警，也可以是發(fā)聲設(shè)備的聲音報警。在一個實施例中，該驅(qū)動板12與該發(fā)光二極管11連接，微控制器15控制該驅(qū)動板15給該發(fā)光二管11輸出電流的大小，該微控制器15可以設(shè)置一個變化的電流值范圍，驅(qū)動板12將變化的電流值輸出給該發(fā)光二極管11，該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信...

其中a和b分別由式3-1和式3-2表示：[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。8.根據(jù)實施方案7所述的有機發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑選自式4：[式4]9.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑由式5表示：[式5]其中r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，其中r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合以形成稠合的c6-c30芳族環(huán)，以及其中n為1至3的整...

第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示，第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5％。例如，第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內(nèi)。盡管未示出，但是第三eml560還可以包含基質(zhì)?；|(zhì)可以在第三eml560中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質(zhì)和第三eml560的基質(zhì)可以相同或不同。cgl580被定位在發(fā)光部分530與第二發(fā)光部分550之間，第二cgl590被定位在第二發(fā)光部分550與第三發(fā)光部分57...

附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖一；圖2是根據(jù)發(fā)明實施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計示意圖；圖3是根據(jù)發(fā)明實施例的壓降和電流的初始工作統(tǒng)計示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖二；圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的運放差分輸入電路的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖。具體實施方式下文中將參考附圖并結(jié)合實...

ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實施例8(ex8...

具體實施方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細的描述。本發(fā)明提出一種基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊，如圖1所示，像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2，一運算放大器op1的正相輸入端連接基準電壓vref，其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1，其輸出端連接一pmos管mp1的柵極；一pmos管mp1的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管mp2的柵極...

r2＝r4，輸出的電壓vout如公式2所示：vout接入到微控制器15的模數(shù)轉(zhuǎn)換的ad采樣口，該微控制器15完成對該發(fā)光二極管11壓差值的采樣。在一個實施例中，該溫度采集電路14獲取發(fā)光二極管11的溫度可以有多種方式，其中，在該溫度采集電路14采用熱敏電阻(negativetemperaturecoefficient，簡稱為ntc)電路的情況下，溫度采集電路14使用ntc方案，ntc體積小，可以離該發(fā)光二極管11非常近，同時精度高，靈敏度高，費用低，非常合適用來測量該發(fā)光二極管11的工作溫度。ntc的阻值隨著溫度的升高而降低，圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖，...