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ADC和DAC是數(shù)字信號和模擬信號的接口，在通信領域，射頻信號轉換為中頻信號，中頻信號經(jīng)過ADC轉換成數(shù)字信號，經(jīng)過數(shù)字算法處理后，再送入DAC轉換成中頻，再進行了變頻為射頻信號發(fā)射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優(yōu)先兼顧ADC、DAC前端模擬電路，嚴格按照原理圖電路順序呈一字型對ADC、DAC前端模擬電路布局。2、ADC、DAC本身通道要分開，不同通道的ADC、DAC也要分開。3、ADC、DAC前端模擬電路放置在模擬區(qū)，ADC、DAC數(shù)字輸出電路放置在數(shù)字區(qū)，因此，ADC、DAC器件實際上跨區(qū)放置，一般在A/D之間將模擬地和數(shù)字地相連或加磁珠處理。4、如果有多路模...

繪制結構特殊區(qū)域及拼板（1）設置允許布局區(qū)域：回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊；短邊內縮默認2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時，寬長比＞2:3；傳送邊進板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時長度不超過傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務資料及要求》要求進行，并記錄到《項目設計溝通記錄表》中。（2）設置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域為從板框邊緣內縮默認40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務資料及要求》要求進行，并記錄到《項目設計溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤單邊向外擴大1mm，...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，...

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓撲結構，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的，數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓撲結構的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關系，要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經(jīng)過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經(jīng)過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模...

評估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內無BGA封裝的芯片，一般可以用一個電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評估對象，如果BGA內的電源種類數(shù)≤3種，用一個電源平面，如果＞3種，則使用2個電源平面，如果＞6則使用3個電源平面，以此類推。備注：1、對于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評估：在確定了走線層...

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規(guī)則進行相應的調整。（2）格點優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔...

關鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號不要進入中頻、低頻信號布線區(qū)域。（3）時鐘信號：時鐘走線長度＞500Mil時必須內層布線，且距離板邊＞200Mil，時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號：5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。PCB設計布局的整體思路是什么？宜昌定制PCB設計加工DDR2模塊相對于DDR內存技術（有時稱為DDR...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。如何設計PCB布線規(guī)則？...

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現(xiàn)銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區(qū)域內不能有非地網(wǎng)絡外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區(qū)所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網(wǎng)絡過孔存在，非地網(wǎng)絡過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴格按照工藝計...

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個流程是：網(wǎng)表導入-結構繪制-設計規(guī)劃-布局-布線-絲印調整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導入網(wǎng)表導入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設置庫路徑→導入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個全新PCBLayout文件，并對其命名。（2）命名方式：“項目名稱+日期+版本狀態(tài)”，名稱中字母全部大寫，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設計文件進度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項目名稱，1031為日期，A1為版本狀態(tài)，客戶有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設置庫路徑（1）將封裝庫文件放入LIB文件夾內或庫文件內，由客戶提供的封...

電源模塊擺放電源模塊要遠離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶有指定位置除外。（2）驅動電路靠近接口擺放。（3）測溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠離大功率的功能模塊、散熱...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射...

通過規(guī)范PCBLayout服務操作要求，提升PCBLayout服務質量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務。文件維護部門設計部。定義與縮略語（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設計為印制電路板圖的全過程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設計工具繪制，表達硬件電路中各種器件之間的連接關系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設計工具自動生成的，表達元器件電氣連接關系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設計過程中，按照設計要求、結構圖和原理圖，把元器件放置到板上的過程。（6）布線：PCB設計過程中，按照設計要求...

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅動端放置（5mm以內），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結構）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓撲結構，布局時串聯(lián)電阻靠近驅動端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微帶線的結構如下圖中的圖1所示它是由導體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構成的傳輸線。微帶線是由介質基片，接地平板和導體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當在電磁發(fā)射源和需要保護的電路之間插入一高導電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。在PCB設計中如何繪制結...

調整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數(shù)字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認正極對應的管腳號（接高電壓），然后在PCB中，找到對應的管腳，將正極極性標識放在對應的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級管是利用pn結反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。如何創(chuàng)建PCB文件、設置庫路徑？湖北PCB設計包括哪些評估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關注分布...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內部，用來改善信號品質，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內部匹配終結，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因為數(shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內部終結電阻的開關狀態(tài)。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內部的終結電阻，讀操作時，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關閉芯片內部的終結電阻。OD...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內部，用來改善信號品質，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內部匹配終結，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因為數(shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內部終結電阻的開關狀態(tài)。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內部的終結電阻，讀操作時，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關閉芯片內部的終結電阻。OD...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區(qū)域設置如下特性：禁布區(qū)設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設置對應高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應網(wǎng)絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶有特殊要求除外。如何解決PCB設計中電源電路放置問題？黃岡專業(yè)PCB設計功能工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規(guī)阻抗：單端50歐姆...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時鐘頻率相同，并且內部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

電源電路放置優(yōu)先處理開關電源模塊布局，并按器件資料要求設計。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個管腳共用同一過孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進行合并，且合并的管腳不能超過2個，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤或者8角焊盤：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數(shù)據(jù)信號，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠端，對于地址及控制信號的也應該如此處理。2...

工藝方面注意事項（1）質量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質量較大的元器件放在板的中心；（3）可調元器件的布局要方便調試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設計指導。在PCB設計中如何繪制結構特殊區(qū)域及拼板？孝感高速PCB設計規(guī)范布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號流...

關鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號不要進入中頻、低頻信號布線區(qū)域。（3）時鐘信號：時鐘走線長度＞500Mil時必須內層布線，且距離板邊＞200Mil，時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號：5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。如何梳理PCB設計布局模塊框圖？孝感高效PCB設計走線ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大...