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對(duì)于正、負(fù)極標(biāo)志不明的電解電容器，可利用上述測(cè)量漏電阻的方法加以判別。即先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。兩次測(cè)量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。D 使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向充電...

測(cè)量儀器是將被測(cè)量轉(zhuǎn)換成可供直接觀察的指示值儀器，包括各類指示儀器，比較儀器，記錄儀器，傳感儀器和變送器等。直接測(cè)量在測(cè)量過程中，能夠直接將被測(cè)量與同類標(biāo)準(zhǔn)量進(jìn)行比較，或能夠直接用事先刻度好的測(cè)量儀器對(duì)被測(cè)量進(jìn)行測(cè)量，直接獲得數(shù)值的測(cè)量稱為直接測(cè)量。間接測(cè)量當(dāng)...

一個(gè)完整的IC型號(hào)一般都至少必須包含以下四個(gè)部分:前綴（首標(biāo)）-----很多可以推測(cè)是哪家公司產(chǎn)品。器件名稱----一般可以推斷產(chǎn)品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級(jí)-----區(qū)分商業(yè)級(jí)，工業(yè)級(jí)，軍級(jí)等。一般情況下，C表示民用級(jí)，Ⅰ表示工業(yè)級(jí)，E...

在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz...

集成電路技術(shù)的進(jìn)步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成電路中晶體管的數(shù)量每兩年翻一番，這種趨勢(shì)被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說，隨著特征尺寸的縮小，集成電路操作的幾乎每個(gè)方面都得到改善。每個(gè)晶體管的成本和每個(gè)晶體管的開...

一般小功率電源變壓器。允許溫升為40℃～50℃，如果所用絕緣材料質(zhì)量較好，允許溫升還可提高。H 檢測(cè)判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時(shí)，有時(shí)為了得到所需的次級(jí)電壓，可將兩個(gè)或多個(gè)次級(jí)繞組串聯(lián)起來使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時(shí)，參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須...

光刻工藝的基本流程如 ，首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充...

半導(dǎo)體 -----指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子...

在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過程稱為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱為晶片（“die”）。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)新型元器件將繼續(xù)向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環(huán)保節(jié)能方向發(fā)展。市場(chǎng)需求分析隨著下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信和數(shù)字電視的逐步商用，電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代將為電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來巨大的市場(chǎng)機(jī)遇?！笆晃濉卑l(fā)展重點(diǎn)我國《電子...

華為和合作伙伴正在朝這個(gè)方向走去——華為的計(jì)劃是做IDM，業(yè)內(nèi)人士對(duì)投中網(wǎng)表示。 IDM，是芯片領(lǐng)域的一種設(shè)計(jì)生產(chǎn)模式，從芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到測(cè)試，覆蓋整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。 一方面，華為正在從芯片設(shè)計(jì)向上游延伸。余承東曾表示，華為將***扎根，突破物...

被測(cè)色碼電感器直流電阻值的大小與繞制電感器線圈所用的漆包線徑、繞制圈數(shù)有直接關(guān)系，只要能測(cè)出電阻值，則可認(rèn)為被測(cè)色碼電感器是正常的。2 中周變壓器的檢測(cè)A 將萬用表撥至R×1擋，按照中周變壓器的各繞組引腳排列規(guī)律，逐一檢查各繞組的通斷情況，進(jìn)而判斷其是否正常。...

封裝的分類 1、按封裝集成電路芯片的數(shù)目:單芯片封裝(scP)和多芯片封裝(MCP)； 2、按密封材料區(qū)分:高分子材料(塑料)和陶瓷； 3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態(tài):單邊引腳、雙...

以GaN（氮化鎵）為**的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**和基礎(chǔ)，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。GaN基光電器件中，藍(lán)色發(fā)光二極管LED率先實(shí)現(xiàn)商品化生產(chǎn)成功開發(fā)藍(lán)光LED和LD之后，科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測(cè)器上GaN材...

產(chǎn)業(yè)鏈整合與拓展：公司可能會(huì)進(jìn)一步整合上下游資源，優(yōu)化供應(yīng)鏈管理，提高整體競爭力。同時(shí)，也有望拓展新的業(yè)務(wù)領(lǐng)域和市場(chǎng)空間，如汽車電子、航空航天、智能制造等**應(yīng)用領(lǐng)域。市場(chǎng)需求與客戶服務(wù)：面對(duì)日益增長的市場(chǎng)需求和客戶期望，無錫微原電子科技有限公司將繼續(xù)秉承“以...

本征半導(dǎo)體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運(yùn)動(dòng)方向相反。載流子：運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。導(dǎo)體電的特點(diǎn)：導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子，即自由電子導(dǎo)電。本征半導(dǎo)體電的特點(diǎn)：本征半導(dǎo)體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。本征激發(fā)：半...

產(chǎn)品分類 一、元件：工廠在加工時(shí)沒改變?cè)牧戏肿映煞值漠a(chǎn)品可稱為元件。 元件屬于不需要能源的器件。它包括：電阻、電容、電感。(又稱為被動(dòng)元件Passive Components)元件分為：1、電路類元件：二極管，電阻器等。2、連接類元件...

自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步，在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義：它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社...

光電池當(dāng)光線投射到一個(gè)PN結(jié)上時(shí)，由光激發(fā)的電子空穴對(duì)受到PN結(jié)附近的內(nèi)在電場(chǎng)的作用而向相反方向分離，因此在PN結(jié)兩端產(chǎn)生一個(gè)電動(dòng)勢(shì)，這就成為一個(gè)光電池。把日光轉(zhuǎn)換成電能的日光電池很受人們重視。較早應(yīng)用的日光電池都是用硅單晶制造的，成本太高，不能大量推廣使...

同時(shí)還配有測(cè)距聯(lián)用接口和聯(lián)用功能，以及數(shù)據(jù)輸出接口，可與紅外測(cè)距機(jī)聯(lián)用，構(gòu)成組合式電子速測(cè)儀，一次觀測(cè)就可獲得所要的距離角度以及歸算結(jié)果等測(cè)定值。而且測(cè)量值可通過數(shù)據(jù)輸出接口自動(dòng)地記錄到電子手薄上，既簡化了作業(yè)又減少了讀數(shù)誤差和記錄誤差，從而實(shí)現(xiàn)...

電感 電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L6表示編號(hào)為6的電感。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很??；當(dāng)交流信號(hào)通過線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電...

目前我國半導(dǎo)體材料在這方面的發(fā)展背景來看，應(yīng)該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍(lán)光材料以及光通信材料，在未來的發(fā)展的主要研究方向上，同時(shí)要根據(jù)市場(chǎng)上，更新一代的電子器件以及電路等要求進(jìn)行強(qiáng)化，將這些光電子結(jié)構(gòu)的材料，在未來生產(chǎn)過程中的需求進(jìn)行仔...

電子測(cè)量儀器按其工作原理與用途，大致劃為以下幾類。 一、多用電表模擬式電壓表、模擬多用表（即指針式萬用表VOM）、數(shù)字電壓表、數(shù)字多用表（即數(shù)字萬用表DMM）都屬此類。這是經(jīng)常使用儀表。它可以用來測(cè)量交流/直流電壓、交流/直流電流、電阻阻值、電容器容...

美國半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無）-非***品...

具有一個(gè)基座測(cè)量面,以電容擺的平衡原理測(cè)量被側(cè)面相對(duì)水平面微小傾角的測(cè)量器具。其中,以指針式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為指針式電子水平儀,以數(shù)顯式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為數(shù)顯式電子水平儀。擴(kuò)展量程裝置儀器若已處于測(cè)量的極限位置,重新調(diào)整到零位,從而在該...

加溫檢測(cè)；在常溫測(cè)試正常的基礎(chǔ)上，即可進(jìn)行第二步測(cè)試—加溫檢測(cè)，將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對(duì)其加熱，同時(shí)用萬用表監(jiān)測(cè)其電阻值是否隨溫度的升高而增大，如是，說明熱敏電阻正常，若阻值無變化，說明其性能變劣，不能繼續(xù)使用。注意不要使熱源與PTC熱敏電阻...

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來說這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分...

集成電路技術(shù)的進(jìn)步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成電路中晶體管的數(shù)量每兩年翻一番，這種趨勢(shì)被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說，隨著特征尺寸的縮小，集成電路操作的幾乎每個(gè)方面都得到改善。每個(gè)晶體管的成本和每個(gè)晶體管的開...

由電力驅(qū)動(dòng)的非常小的機(jī)械設(shè)備可以集成到芯片上，這種技術(shù)被稱為微電子機(jī)械系統(tǒng)。這些設(shè)備是在 20 世紀(jì) 80 年代后期開發(fā)的 并且用于各種商業(yè)和***應(yīng)用。例子包括 DLP 投影儀，噴碼機(jī)，和被用于汽車的安全氣袋上的加速計(jì)和微機(jī)電陀螺儀.自 21 世紀(jì)初以來，將...

為加快推動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，工業(yè)和信息化部強(qiáng)化政策指引，統(tǒng)籌指導(dǎo)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展。喬躍山強(qiáng)調(diào)，工信部統(tǒng)籌利用相關(guān)專項(xiàng)，支持一批電子元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；支持培育700余家電子元器件領(lǐng)域?qū)＞匦隆靶【奕恕逼髽I(yè)；同時(shí)，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，指導(dǎo)行業(yè)協(xié)會(huì)編制《電子元器件...