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分斷能力強發(fā)生短路故障時，圓孔狹頸處首先被熔斷，電弧被石英砂分隔成許多小段，電弧被很快熄滅。由于石英砂是絕緣的，電弧熄滅后，熔斷器立即變成一個絕緣體，將電路分斷。因而快速熔斷器分斷能力強，可高達50kA。負載設備承受的沖擊能量小電路出現(xiàn)短路故障時，負載設備承受...

90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結構。[4]在這種溝槽結構中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結構也得到了急...

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了一個簡單實用的大功率無級調(diào)速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為25...

變?nèi)荻O管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調(diào)測量，變?nèi)荻O管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發(fā)現(xiàn)萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變?nèi)荻O管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池，將萬用表置R×10或...

基片的應用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時，一個N溝道形成，同時出現(xiàn)一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，...

Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。例如，常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V，則U=24V，假設 F=10KHz，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ，柵極電阻應選取2W電阻，或2個1W電阻并聯(lián)。三、設置柵極電阻...

熔斷電流，指導線在熔斷時所能通過的比較大的電流。但隨著導線的電阻增大，其熔斷電流也將降低。熔斷電流：Fusing current 單位： mA，A等。在導線橫截面積一定的情況下，長度越長，電阻越大，其熔斷電流也就越小。在長度一定的情況下，導線橫截面積越大，其電...

?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻...

自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間，熔體能自動恢復到原狀。自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間，熔體能自動恢復到原狀 [1]。外殼由奧氏體不銹鋼制成，外殼中心埋有...

圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構成的臺燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2，可以改變雙向可控硅的導通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下，可控負載功率可達500W，各...

從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個晶...

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌?..

熔斷器的選擇主要依據(jù)負載的保護特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對于容量小的電動機和照明支線，常采用熔斷器作為過載及短路保護，因而希望熔體的熔化系數(shù)適當小些。通常選用鉛錫合金熔體的熔斷器。對于較大容量的電動機和照明干線，則應著重考慮短路保護和分斷能力。通常...

通常為達到更好的驅動效果，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅動器只有一個輸出端，這就...

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場合下，鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接：是推薦的方法，熱阻**小。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（sot82 和sot78 ） ...

導通壓降電導調(diào)制效應使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）...

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...

快速熔斷器：快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深...

測量雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓有三種方法（如圖3所示）：方法一1）將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值，將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調(diào)后再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般...

因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導...

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號。它屬于NPNP四層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的...

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應，所以IGBT...

在電子技術中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當發(fā)光二極管正向偏置通過電流時會發(fā)出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為25...

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用?？煽毓?..