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主要優(yōu)勢(shì)：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同 技術(shù)積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達(dá)3μm，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。 技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。 產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局 產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：...

吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈： 芯片制造：YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，支持國(guó)產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。 新能源領(lǐng)域：無(wú)鹵無(wú)鉛焊片通過(guò) UL 認(rèn)證，批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。 研發(fā)投入：年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%，承擔(dān)國(guó)家 02 專項(xiàng)課題，獲 “國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。 產(chǎn)能規(guī)模：光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場(chǎng)份額 15%。 質(zhì)量體系：通過(guò) ISO9...

吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈： 芯片制造：YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，支持國(guó)產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。 新能源領(lǐng)域：無(wú)鹵無(wú)鉛焊片通過(guò) UL 認(rèn)證，批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。 研發(fā)投入：年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%，承擔(dān)國(guó)家 02 專項(xiàng)課題，獲 “國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。 產(chǎn)能規(guī)模：光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場(chǎng)份額 15%。 質(zhì)量體系：通過(guò) ISO9...

主要優(yōu)勢(shì)：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同 技術(shù)積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達(dá)3μm，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。 技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。 產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局 產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：...

作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，持續(xù)推出符合國(guó)際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體材料解決方案。 公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無(wú)鹵無(wú)鉛配方，嚴(yán)格遵循 RoHS 指令要求，避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例，其零鹵素配方通過(guò)第三方機(jī)構(gòu)認(rèn)證，不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負(fù)擔(dān)，還提升了焊接可靠性，適用于新能源汽車、精密電子設(shè)備等領(lǐng)域。同時(shí)，納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過(guò)程中，公司通過(guò)優(yōu)化原料配比，減少揮發(fā)性有機(jī)物（VOCs）排放，確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)...

吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題，提升行業(yè)生產(chǎn)效率，通過(guò)優(yōu)化材料配方與工藝，吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問(wèn)題，助力客戶降本增效。 針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴(yán)重等問(wèn)題，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%，密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù)，在顯影過(guò)程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本，推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。不同制程對(duì)光刻膠的性能要求各異，需根據(jù)工藝需求精確選擇。甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家作為東莞松山湖的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年，成功研發(fā)出...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以光刻膠為中心，逐步拓展至半導(dǎo)體全材料領(lǐng)域，形成了 “技術(shù)驅(qū)動(dòng)、全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋” 的發(fā)展格局。公司產(chǎn)品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠，還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料，為客戶提供一站式采購(gòu)服務(wù)。 市場(chǎng)與榮譽(yù)： 產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球 50 多個(gè)地區(qū)，客戶包括電子制造服務(wù)商（EMS）及半導(dǎo)體廠商。 獲評(píng) “廣東省專精特新企業(yè)”“廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)”，并通過(guò)技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。 生產(chǎn)基地配備自動(dòng)化設(shè)備，年產(chǎn)能超千噸，滿足大規(guī)模訂單需求。 未來(lái)展望： 公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)中心規(guī)模，聚焦第三代...

主要原材料“卡脖子”：從樹脂到光酸的依賴 樹脂與光酸的技術(shù)斷層 光刻膠成本中50%-60%來(lái)自樹脂，而國(guó)內(nèi)KrF/ArF光刻膠樹脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%。例如，日本信越化學(xué)的KrF樹脂純度達(dá)99.999%，金屬雜質(zhì)含量低于1ppb，而國(guó)內(nèi)企業(yè)的同類產(chǎn)品仍存在批次穩(wěn)定性問(wèn)題。光酸作為光刻膠的“心臟”，其合成需要超純?cè)噭┖蛷?fù)雜純化工藝，國(guó)內(nèi)企業(yè)在純度控制（如金屬離子含量）上與日本關(guān)東化學(xué)等國(guó)際巨頭存在代差。 原材料供應(yīng)鏈的脆弱性 光刻膠所需的酚醛樹脂、環(huán)烯烴共聚物（COC）等關(guān)鍵原料幾乎全部依賴進(jìn)口。日本信越化學(xué)因地震導(dǎo)致KrF光刻...

半導(dǎo)體集成電路 ? 應(yīng)用場(chǎng)景： ? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu)； ? 封裝工藝：負(fù)性膠用于凸點(diǎn)（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐電鍍?nèi)芤焊g。 ? 關(guān)鍵要求：高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝（如150℃以上高溫、等離子體轟擊）。 印刷電路板（PCB） ? 應(yīng)用場(chǎng)景： ? 線路成像：負(fù)性膠（如環(huán)化橡膠膠）用于雙面板/多層板外層線路，線寬≥50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化銅）； ? 阻焊層：...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。 厚板光刻膠：JT-3001 型號(hào)，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。 負(fù)性光刻膠 SU-3 負(fù)性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對(duì)比度良好，曝光靈敏度高，光源適應(yīng)，重量 100g。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。 正性光刻膠 工程師正優(yōu)化光刻膠配方，以應(yīng)對(duì)先進(jìn)制程下的微納加工挑戰(zhàn)。武漢P...

作為東莞松山湖的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年，成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，良率達(dá) 98% 以上，已通過(guò)中芯國(guó)際等晶圓廠驗(yàn)證；JT-2000 突破耐高溫極限，在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性，適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進(jìn)口原材料與全自動(dòng)化生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品通過(guò) ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，遠(yuǎn)銷全球并與跨國(guó)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作，加速國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。感光膠的工藝和應(yīng)用。內(nèi)蒙古厚膜光刻膠 作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田...

? 正性光刻膠 ? YK-300：適用于半導(dǎo)體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。 ? 技術(shù)優(yōu)勢(shì)：采用進(jìn)口樹脂及光引發(fā)劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導(dǎo)體器件對(duì)絕緣性的嚴(yán)苛要求。 ? 負(fù)性光刻膠 ? JT-1000：負(fù)性膠，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能，分辨率達(dá)3μm，適用于功率半導(dǎo)體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強(qiáng)腐蝕液處理。 ? SU-3：經(jīng)濟(jì)...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以全球化視野布局市場(chǎng)，通過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量管控與完善的服務(wù)體系贏得客戶信賴。公司產(chǎn)品不僅通過(guò) ISO9001 認(rèn)證，更以進(jìn)口原材料和精細(xì)化生產(chǎn)流程保障品質(zhì)，例如錫膏產(chǎn)品采用無(wú)鹵無(wú)鉛配方，符合環(huán)保要求，適用于電子產(chǎn)品制造。其銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋全球，與富士康、聯(lián)想等企業(yè)保持長(zhǎng)期合作，并在全國(guó)重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處，提供本地化技術(shù)支持與售后服務(wù)。 作為廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)，吉田半導(dǎo)體始終將技術(shù)研發(fā)視為核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司投入大量資源開發(fā)新型光刻膠及焊接材料，例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏，滿足精密電子組裝的需求。同時(shí)，依托東莞 “世界工廠” 的產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢(shì)，公司強(qiáng)化供應(yīng)鏈協(xié)同，縮短...

關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域 半導(dǎo)體制造： ? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過(guò)掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級(jí)結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。 印刷電路板（PCB）： ? 保護(hù)電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。 顯示面板（LCD/OLED）： ? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）： ? 加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器、執(zhí)行器）。 工作原理（以正性膠為例） 1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘...

綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟(jì) 公司采用水性光刻膠技術(shù)，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國(guó)內(nèi)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，其光刻膠廢液回收項(xiàng)目已投產(chǎn)，通過(guò)膜分離+精餾技術(shù)實(shí)現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機(jī)物）超100噸。 低碳供應(yīng)鏈管理 吉田半導(dǎo)體與上游供應(yīng)商合作開發(fā)生物基樹脂，部分產(chǎn)品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放強(qiáng)度較傳統(tǒng)工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領(lǐng)域獲得客戶青睞，相關(guān)訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。 EUV光刻膠單價(jià)高昂，少數(shù)企業(yè)具備量產(chǎn)能力，如三星、臺(tái)積電已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。低溫光...

技術(shù)研發(fā)：從配方到工藝的經(jīng)驗(yàn)壁壘 配方設(shè)計(jì)的“黑箱效應(yīng)” 光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過(guò)數(shù)萬(wàn)次實(shí)驗(yàn)優(yōu)化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長(zhǎng)下實(shí)現(xiàn)0.1μm分辨率，其光酸產(chǎn)率、熱穩(wěn)定性等參數(shù)需精確匹配光刻機(jī)性能。日本企業(yè)通過(guò)數(shù)十年積累形成的配方數(shù)據(jù)庫(kù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)短期內(nèi)難以突破。 工藝控制的極限挑戰(zhàn) 光刻膠生產(chǎn)需在百級(jí)超凈車間進(jìn)行，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國(guó)內(nèi)企業(yè)在“吸附—重結(jié)晶—過(guò)濾—干燥”耦合工藝上存在技術(shù)短板，導(dǎo)致產(chǎn)品批次一致性差。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過(guò)12英寸產(chǎn)線驗(yàn)證，但量產(chǎn)良率較日本同類...

技術(shù)驗(yàn)證周期長(zhǎng) 半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測(cè)試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段。 原材料依賴仍存 樹脂和光酸仍依賴進(jìn)口，如KrF光刻膠樹脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%。國(guó)內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過(guò)濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破。 未來(lái)技術(shù)路線 ? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬的原型驗(yàn)證。 ...

工藝流程 ? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。 ? 方法： ? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）； ? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。 涂布（Coating） ? 方式： ? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm； ? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。 ...

差異化競(jìng)爭(zhēng)策略 在高級(jí)市場(chǎng)（如ArF浸沒(méi)式光刻膠），吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新，通過(guò)優(yōu)化現(xiàn)有配方（如提高酸擴(kuò)散抑制效率）逐步縮小與國(guó)際巨頭的差距；在中低端市場(chǎng)（如PCB光刻膠），則憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)（價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%）快速搶占份額，2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。 前沿技術(shù)儲(chǔ)備 公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心，重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架（MOF）光刻膠，目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級(jí)突破。此外，其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)芯片的孔陣列加工，分辨率達(dá)10nm，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商提供了替代方案。 PCB光刻膠用于線路...

定義與特性 負(fù)性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng)、工藝簡(jiǎn)單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應(yīng)用于對(duì)精度要求相對(duì)較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場(chǎng)景。 化學(xué)組成與工作原理 主要成分 基體樹脂： ? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環(huán)化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐蝕刻性。 光敏劑： ...

吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈： 芯片制造：YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，支持國(guó)產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。 新能源領(lǐng)域：無(wú)鹵無(wú)鉛焊片通過(guò) UL 認(rèn)證，批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。 研發(fā)投入：年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%，承擔(dān)國(guó)家 02 專項(xiàng)課題，獲 “國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。 產(chǎn)能規(guī)模：光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場(chǎng)份額 15%。 質(zhì)量體系：通過(guò) ISO9...

國(guó)家戰(zhàn)略支持 《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域，計(jì)劃投入超500億元支持研發(fā)。工信部對(duì)通過(guò)驗(yàn)證的企業(yè)給予稅收減免和設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼，單家企業(yè)比較高補(bǔ)貼可達(dá)研發(fā)投入的30%。 地方產(chǎn)業(yè)協(xié)同 濟(jì)南設(shè)立寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)基金，深圳國(guó)際半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)（2025年4月）吸引全球300余家企業(yè)參展，推動(dòng)技術(shù)交流。 資本助力產(chǎn)能擴(kuò)張 恒坤新材通過(guò)科創(chuàng)板IPO募資15億元，擴(kuò)大KrF光刻膠產(chǎn)能并布局集成電路前驅(qū)體項(xiàng)目。彤程新材半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)2024年上半年?duì)I收增長(zhǎng)54.43%，ArF光刻膠開始形成銷售。...

納米壓印光刻膠 微納光學(xué)器件制造：制作衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列等微納光學(xué)器件時(shí)，納米壓印光刻膠可實(shí)現(xiàn)高精度的微納結(jié)構(gòu)復(fù)制。通過(guò)納米壓印技術(shù)，將模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過(guò)后續(xù)處理，可制造出具有特定光學(xué)性能的微納光學(xué)器件，應(yīng)用于光通信、光學(xué)成像等領(lǐng)域。 生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白質(zhì)芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面構(gòu)建高精度的微納結(jié)構(gòu)，用于生物分子的固定和檢測(cè)。納米壓印光刻膠可幫助實(shí)現(xiàn)這些精細(xì)結(jié)構(gòu)的制作，提高生物芯片的檢測(cè)靈敏度和準(zhǔn)確性。 光刻膠的靈敏度（曝光劑量）和對(duì)比度是衡量其性能的關(guān)鍵參數(shù)。吉林阻焊油墨光刻膠生產(chǎn)廠家 市場(chǎng)與客戶優(yōu)勢(shì)...

光刻膠（Photoresist）是一種對(duì)光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移，是半導(dǎo)體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一。 光刻膠特性與組成 ? 光敏性：在特定波長(zhǎng)（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會(huì)發(fā)生化學(xué)結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解），從而改變?cè)陲@影液中的溶解性。 ? 主要成分： ? 樹脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層，決定光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能。 ? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學(xué)反應(yīng)（如光分解、光交聯(lián)）。 ...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以全球化視野布局市場(chǎng)，通過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量管控與完善的服務(wù)體系贏得客戶信賴。公司產(chǎn)品不僅通過(guò) ISO9001 認(rèn)證，更以進(jìn)口原材料和精細(xì)化生產(chǎn)流程保障品質(zhì)，例如錫膏產(chǎn)品采用無(wú)鹵無(wú)鉛配方，符合環(huán)保要求，適用于電子產(chǎn)品制造。其銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋全球，與富士康、聯(lián)想等企業(yè)保持長(zhǎng)期合作，并在全國(guó)重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處，提供本地化技術(shù)支持與售后服務(wù)。 作為廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)，吉田半導(dǎo)體始終將技術(shù)研發(fā)視為核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司投入大量資源開發(fā)新型光刻膠及焊接材料，例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏，滿足精密電子組裝的需求。同時(shí)，依托東莞 “世界工廠” 的產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢(shì)，公司強(qiáng)化供應(yīng)鏈協(xié)同，縮短...

定義與特性 負(fù)性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng)、工藝簡(jiǎn)單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應(yīng)用于對(duì)精度要求相對(duì)較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場(chǎng)景。 化學(xué)組成與工作原理 主要成分 基體樹脂： ? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環(huán)化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐蝕刻性。 光敏劑： ...

光伏電池（半導(dǎo)體級(jí)延伸） ? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm，降低遮光損失。 ? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機(jī)溶劑（適應(yīng)溶液涂布工藝）。 納米壓印技術(shù)（下一代光刻） ? 納米壓印光刻膠：通過(guò)模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率，用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列（直徑≤20nm）、量子點(diǎn)顯示陣列等。 微流控與生物醫(yī)療 ? 微流控芯片：制造微米級(jí)流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS...

公司遵循國(guó)際質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò) ISO9001:2008 認(rèn)證，并在生產(chǎn)過(guò)程中執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理，從原料入庫(kù)到成品出庫(kù)實(shí)現(xiàn)全流程監(jiān)控。以錫膏產(chǎn)品為例，其無(wú)鹵無(wú)鉛配方符合環(huán)保要求，同時(shí)具備低飛濺、高潤(rùn)濕性等特點(diǎn)，適用于電子產(chǎn)品組裝。此外，公司建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)室，配備先進(jìn)檢測(cè)設(shè)備，確保產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際同類水平。 憑借多年研發(fā)積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品線。在焊接材料方面，不僅提供常規(guī)錫膏、助焊膏，還針對(duì)特殊場(chǎng)景開發(fā)了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產(chǎn)品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時(shí)，感光膠系列產(chǎn)品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣...

? 正性光刻膠 ? YK-300：適用于半導(dǎo)體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。 ? 技術(shù)優(yōu)勢(shì)：采用進(jìn)口樹脂及光引發(fā)劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導(dǎo)體器件對(duì)絕緣性的嚴(yán)苛要求。 ? 負(fù)性光刻膠 ? JT-1000：負(fù)性膠，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能，分辨率達(dá)3μm，適用于功率半導(dǎo)體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強(qiáng)腐蝕液處理。 ? SU-3：經(jīng)濟(jì)...

工藝流程 ? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。 ? 方法： ? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）； ? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。 涂布（Coating） ? 方式： ? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm； ? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。 ...