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(2) 在風(fēng)機(jī)吊裝完后，吊裝變壓器直接就位于基礎(chǔ)上，利用千斤頂進(jìn)行找平、找正。(3) 按廠家規(guī)定的固定方式（螺接或焊接）進(jìn)行變壓器與基礎(chǔ)之間的連接。(4) 若為分體到貨，在變壓器安裝找正后，進(jìn)行外殼的安裝。(5) 懸掛標(biāo)志牌，清掃變壓器箱體內(nèi)部。(6) 在下一...

當(dāng)控制極G接收到觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管會(huì)從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導(dǎo)通，即使控制極信號(hào)消失，只要陽(yáng)極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陽(yáng)極電流降至維持電流以下或陽(yáng)極出現(xiàn)反向偏置時(shí)，才會(huì)重新回到截止?fàn)顟B(tài)。二、應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊...

TCR的作用就像一個(gè)可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因?yàn)樗拥慕涣麟妷菏呛愣ǖ?，改變電納值就可以改變基波電流，從而導(dǎo)致電抗器吸收無(wú)功功率的變化。但是，當(dāng)觸發(fā)角超過(guò)90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個(gè)晶閘管在正半波和負(fù)半波對(duì)稱觸發(fā)，就只會(huì)...

b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測(cè)量時(shí)，將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無(wú)電源時(shí)進(jìn)行安裝。f,焊接g極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設(shè)備。定義：應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極（陰極，陽(yáng)極，門極）實(shí)現(xiàn)可控整流功能。晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電...

可控硅(SCR是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。可控硅有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被***用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部...

一個(gè)有趣的趨勢(shì)是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為ipm?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動(dòng)電路（通過(guò)彈簧連接）的適配器板來(lái)進(jìn)行升級(jí)。賽米控的skypertm驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”，即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模...

一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu)：晶閘管是由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個(gè)電極：陽(yáng)極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當(dāng)陽(yáng)極接正向電壓，而控制極無(wú)觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導(dǎo)通時(shí)，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過(guò)...

用R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極和控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)...

1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見(jiàn)，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí)，我們稱為正向電壓，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

在這r1個(gè)分段TCR中，只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通，要么是全關(guān)斷，以吸收制定量的無(wú)功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產(chǎn)生的諧波相對(duì)于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它的主要功能是控制電流的開(kāi)關(guān)，能夠在高電壓和大電流的條件下穩(wěn)定工作。晶閘管的基本結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N結(jié)構(gòu)）組成，具有三個(gè)PN結(jié)。晶閘管的工作原理是，當(dāng)施加一個(gè)觸發(fā)信號(hào)到其門極...

三相整流橋是將數(shù)個(gè)整流管封在一個(gè)殼內(nèi)，從而構(gòu)成的一個(gè)完整整流電路。當(dāng)功率進(jìn)一步增加或由于其他原因要求多相整流時(shí)三相整流電路就被提了出來(lái)。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對(duì)輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對(duì)...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對(duì)截止頻率的反向恢復(fù)時(shí)間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

此外，在冶金、石油化工、新能源等行業(yè)，晶閘管模塊同樣發(fā)揮著重要作用。在冶金過(guò)程中，晶閘管模塊作為電力調(diào)整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過(guò)程的自動(dòng)化水平和能源利用效率。在石油化工行業(yè)中，晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)...

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加...

二、晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊的應(yīng)用范圍較為廣闊，涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。在電力行業(yè)，晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電（HVDC）和柔**流輸電系統(tǒng)（FACTS）中。作為換流閥的關(guān)鍵部件，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)大功率電能的遠(yuǎn)距離傳輸，同時(shí)...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達(dá)到95%以上，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達(dá)到95%以上，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N，螺旋...

。不同的控制策略可以容易的被實(shí)現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號(hào)以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡(jiǎn)單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過(guò)追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴(kuò)容的目的，當(dāng)然前提是不能超過(guò)耦合變壓器的容量。TCR不...

由此可見(jiàn),交流電壓通過(guò)二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動(dòng)的。一般負(fù)載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負(fù)載之間常接有濾波器。濾波器對(duì)整流電流的直流分量無(wú)扼流作用，而對(duì)交流分量的感抗很大。這樣，就能在負(fù)載上得到平直的直流電壓Ud，其數(shù)值等于脈動(dòng)電壓...

(3) 在跨越檔相鄰兩側(cè)桿塔上的放線滑車均應(yīng)采取接地保護(hù)措施。在跨越施工前，所有接地裝置必須安裝完畢且與鐵塔可靠連接。(4) 跨越不停電線路架線施工應(yīng)在良好天氣下進(jìn)行，遇雷電、雨、雪、霜、霧，相對(duì)濕度大于85%或5級(jí)以上大風(fēng)時(shí)，應(yīng)停止作業(yè)。如施工中遇到上述情況...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

2010年，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所成功研制國(guó)內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片，由中國(guó)科學(xué)院微電子研究所設(shè)計(jì)研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤(rùn)微電子工藝平臺(tái)上流片成功，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，部分性能優(yōu)于國(guó)外...