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晶閘管的主要工作原理及特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái)，通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管，若采用KP1型，應(yīng)接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說(shuō)，給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓。現(xiàn)在我們合上電源開(kāi)關(guān)S，小燈泡不亮，說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通；再按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?圖3這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽(yáng)極A與...

可控硅模塊自身特點(diǎn)，在應(yīng)用時(shí)盡量避開(kāi)Ⅳ象限。如果工作沒(méi)有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。雙向可控硅模塊象限分布圖和說(shuō)明：一象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(+)第二象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(-)第三象限：T1(+)T2(-)，G相對(duì)T1為(-)淄博正高電氣有限公司是一家專注于功率模塊研發(fā)、封裝、銷售的高新技術(shù)企業(yè)。我司專業(yè)研發(fā)、封裝團(tuán)隊(duì)具有十年以上的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)與國(guó)外眾多行業(yè)的通力合作，研發(fā)出獨(dú)特的一次焊接工藝，配合公司先進(jìn)的生產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備解決了熱阻大、過(guò)流小、空洞率高等業(yè)界難題。為公司提供一系列優(yōu)良、高性能的功率模塊。目前公司主要產(chǎn)品；可...

淄博正高電氣有限公司的可控硅模塊一種晶閘管模塊組件。能解決現(xiàn)有的晶閘管組件存在的問(wèn)題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元，散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓；晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導(dǎo)電塊、第二芯片、第二導(dǎo)電塊、上電極；絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件，絕緣膠體包裹在自導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊中下部開(kāi)始經(jīng)過(guò)陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上，絕緣膠體橫向外側(cè)由絕緣殼體包裹，下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充，下電極的左側(cè)通過(guò)絕緣件隔離，緊固螺栓外側(cè)套接所述絕緣套管。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單新穎，操作及使用方便且實(shí)用性強(qiáng)...

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點(diǎn)/可控硅模塊編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí)，萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，測(cè)其反向電阻，應(yīng)...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽(yáng)極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的?？煽毓枘K的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能?？煽毓枘K的控制方式：通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開(kāi)芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開(kāi)芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金...

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū)，是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品，并可根據(jù)用戶需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工。近年來(lái)，本公司堅(jiān)持以人為本，始終立足于科技的前沿，狠抓產(chǎn)品質(zhì)量，產(chǎn)品銷往全國(guó)各地，深受用戶的好評(píng)。淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步，在社會(huì)各界及客戶的大力支持下，生機(jī)勃發(fā)，春意盎然。面向未來(lái)，前程似錦，豪情滿懷。今后，我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì)，堅(jiān)持科技創(chuàng)新，一切為用戶著想，以前列的服...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅、可關(guān)斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓?？煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí)，萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，測(cè)其反向電阻，應(yīng)...

模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和...

大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。現(xiàn)在我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的...

所以在運(yùn)用中有必要裝備散熱器和風(fēng)機(jī)，主張選用帶有過(guò)熱維護(hù)功用的商品，有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。經(jīng)過(guò)嚴(yán)肅測(cè)算，斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型，推薦選用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，大家自備時(shí)可以按照以下準(zhǔn)則挑選：1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、可控硅模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；4、選用天然辦法冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能結(jié)束對(duì)流并恰當(dāng)增大散熱器面積；5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊，壓線端子聯(lián)接強(qiáng)健，以削減次生熱量的發(fā)生，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以抵達(dá)佳...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?？煽毓铻槭裁雌溆?..

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，E接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見(jiàn)表1應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1.直流觸發(fā)電路：如...

大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路?，F(xiàn)在我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的...

輸出電壓與輸入電壓比值很小，下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>KI負(fù)載U大，MU實(shí)際K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=，感性負(fù)載K=2；I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的大電流；U...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(...

可控硅模塊又叫晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。用萬(wàn)用表可以區(qū)分可控硅模塊的三個(gè)電極普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R100擋...

相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí)，無(wú)論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的...

BG集電極電平升高，SCR即開(kāi)通，所以彩燈能隨室內(nèi)收錄機(jī)播出的音樂(lè)節(jié)奏而閃爍發(fā)光。W可用來(lái)調(diào)節(jié)聲控靈敏度，W由大調(diào)小時(shí)，聲控靈敏度愈高，但W過(guò)小時(shí)，電燈常亮，這時(shí)就失去聲控作用，使用調(diào)試時(shí)，將W由大逐漸調(diào)小至某一阻值時(shí)，電燈即點(diǎn)亮，再將W退回少許（即稍微調(diào)大），電燈就熄滅，這時(shí)聲控靈敏度高，離HTD二三米遠(yuǎn)處普通談話聲就能使彩燈閃爍。如嫌靈敏度太高，只要將W調(diào)大些即可，電燈長(zhǎng)亮不熄，表示BG的放大倍數(shù)β值過(guò)小，應(yīng)更換β大些的三極管。電阻均為1/8W碳膜電阻。簡(jiǎn)易延時(shí)照明燈本文介紹的這種延時(shí)照明燈非常簡(jiǎn)單，安裝也十分方便，將它直接連接于普通開(kāi)關(guān)的兩端即可。使用時(shí)，打開(kāi)開(kāi)關(guān)電燈點(diǎn)亮，關(guān)燈后由于延時(shí)...

相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí)，無(wú)論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的...

即導(dǎo)通角為180（或p），正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞，會(huì)給電網(wǎng)帶來(lái)干擾等問(wèn)題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾?？煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣?，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí)，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí)，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出，因此可以通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間，來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用?？煽毓璧淖饔弥褪怯米鳠o(wú)觸...

即導(dǎo)通角為180（或p），正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞，會(huì)給電網(wǎng)帶來(lái)干擾等問(wèn)題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾。可控硅的作用可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí)，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí)，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出，因此可以通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間，來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用?？煽毓璧淖饔弥褪怯米鳠o(wú)觸...

光控電子開(kāi)關(guān)光控電子開(kāi)關(guān)，它的“開(kāi)”和“關(guān)”是靠可控硅的導(dǎo)通和阻斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而可控硅的導(dǎo)通和阻斷又是受自然光的亮度（或人為亮度）的大小所控制的。該裝置適合作為街道、宿舍走廊或其它公共場(chǎng)所照明燈，起到日熄夜亮的控制作用，以節(jié)約用電。工作原理：電路如上圖所示，220V交流電通過(guò)燈泡H及整流全橋后，變成直流脈動(dòng)電壓，作為正向偏壓，加在可控硅VS及R支路上。白天，亮度大于一定程度時(shí)，光敏二極管D呈現(xiàn)底阻狀態(tài)≤1KΩ，使三極管V截止，其發(fā)射極無(wú)電流輸出，單向可控硅VS因無(wú)觸發(fā)電流而阻斷。此時(shí)流過(guò)燈泡H的電流≤，燈泡H不能發(fā)光。電阻R1和穩(wěn)壓二極管DW使三極管V偏壓不超過(guò)，對(duì)三極管起保護(hù)作用。夜晚，亮度小...

可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)需要滿足的必定要求可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見(jiàn)到可控硅模塊的身影，由此可見(jiàn)它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來(lái)看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門(mén)極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過(guò)程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽(yáng)極電...

可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化。2,觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(...

VT2截止，NE555第①腳接地端開(kāi)路而不工作，此時(shí)，電路的耗電只為VT1、VT2的穿透電流，約3～5μA，四節(jié)電池能使用一年半以上。按下K1后，VT1飽和導(dǎo)通，R3兩端電壓接近電源電壓，VT2飽和導(dǎo)通，NE555工作，此時(shí)，NE555第②腳由高電平變?yōu)榈碗娖?，而且低?/3的電源電壓，NE555翻轉(zhuǎn)，第③腳輸出高電平，其一路能過(guò)R7驅(qū)動(dòng)光電耦合器4N25，使雙向可控硅VS導(dǎo)通，床頭燈H點(diǎn)亮；另一路通過(guò)二極管VD1、電阻R6向VT2提供足夠大的偏流，維持VT2飽和導(dǎo)通，此時(shí)，即使K1斷開(kāi)，VT2的工作狀態(tài)也不變，即NE555的暫穩(wěn)狀態(tài)不變。在此期間，電源經(jīng)R5為C1充電，使C1兩端電壓不斷升高...

大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路?，F(xiàn)在我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的...