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羅湖區(qū)發(fā)光二極管分類

來源: 發(fā)布時間:2021-09-03

二極管種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。按照管芯結構,又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面,通以脈沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起,形成一個“PN結”。由于是點接觸,只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安),適用于高頻小電流電路,如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結”面積較大,允許通過較大的電流(幾安到幾十安),主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關、脈沖及高頻電路中。開關二極管還有一個特性就是開關的速度很快。這是傳統(tǒng)開關所無法比擬的。羅湖區(qū)發(fā)光二極管分類

穩(wěn)壓二極管義名齊納二極管。穩(wěn)壓二極管是利用PN結反向擊穿時電壓基本上不隨電流變化而變化的特點來達到穩(wěn)壓的目的,因為它能在電路中起穩(wěn)壓作用,故稱為穩(wěn)壓二極管(簡稱穩(wěn)壓管)。穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分擋的,其穩(wěn)壓值就是擊穿電壓值。穩(wěn)壓二極管主要作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用,穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來得到較高的穩(wěn)壓值。選用的穩(wěn)壓二極管應滿足應朋電路中主要參數(shù)的要求。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值應與應用電路的基準電壓值相同,穩(wěn)壓二極管的大穩(wěn)定電流應高于應用電路的大負載電流50%左右。南山區(qū)整流二極管測試二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。

ESD靜電二極管選型事項1)ESD一般用于各類通信端口靜電防護,在一些高速數(shù)據(jù)線路,比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口,ESD靜電保護二極管的結電容應盡量選擇小的,以避免影響通信質量;2)ESD有單向(A)和雙向(C)之分,根據(jù)工作的信號進行選擇,單極性的信號可以選擇單向的ESD或雙向的ESD,雙極性的信號要選擇雙向的ESD;3)具體選擇什么型號的ESD靜電二極管做靜電防護,還需要在專業(yè)的電子工程師指導下選擇。ESD靜電釋放,在日常生活中是一種很常見的現(xiàn)象,但是對電子元器件或集成電路系統(tǒng)來說,卻是致命性的元兇。

     單向瞬變二極管和雙向瞬變二極管區(qū)別為以下幾點:1.單向用在直流,雙向用在交流;2.單向TVS管的特性與穩(wěn)壓二極管相似,雙向TVS管的特性相當于兩個穩(wěn)壓二極管反向串聯(lián);3.極間電容Cj單向的比雙向的大;4.USB數(shù)據(jù)線上全部用的雙向;5.電流曲線不同。單方向的TVS管的電路符號與普通的穩(wěn)壓管相同,其正向特性與普通二極管相同,反向特性為典型的PN結雪崩器件。雙向二極管正反向都是典型的PN結雪崩器件。所以,需要區(qū)分場合應用,不能簡單的直接進行替換。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。

TVS二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結的面積成正比。該二極管的結具有較大的截面積,可以處理閃電和ESD所引起的高瞬態(tài)電流。TVS也會有結電容,通常0.3個pF到幾十個pF。TVS有單極性的和雙極性的,使用時要注意。手機上用的TVS大約0.01$,低容值的約2-3分$。多層金屬氧化物結構器件(MLV):大陸一般稱為壓敏電阻。MLV也可以進行有效的瞬時高壓沖擊,此類器件具有非線性電壓-電流(阻抗表現(xiàn))關系,截止電壓可達當初中止電壓的2~3倍。這種特性適合用于對電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護,如電源回路,按鍵輸入端等。手機用壓敏電阻約0.0015$,大約是TVS價格的1/6,但是防護效果沒有TVS好,且壓敏電阻有壽命老化。瞬態(tài)抑制二極管是一種限壓型的過壓保護器件,也叫TVS。瞬變抑制二極管整流

嘜芯電子主要產品有:貼片壓敏電阻(MLV)、磁珠、高壓整流二極管、小信號肖特基二極管。羅湖區(qū)發(fā)光二極管分類

    當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結長久性損壞。 羅湖區(qū)發(fā)光二極管分類

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標簽: ESD 二極管 靜電