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制備氧化石墨技術(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-03

氧化石墨烯(GO)與石墨烯的另一個(gè)區(qū)別是在吸收紫外/可見(jiàn)光后會(huì)發(fā)出熒光。通常可以在可見(jiàn)光波段觀測(cè)到兩個(gè)峰值,一個(gè)在藍(lán)光段(400-500nm),另一個(gè)在紅光段(600-700nm)。關(guān)于氧化石墨烯發(fā)射熒光的機(jī)理,學(xué)界仍有爭(zhēng)論。此外,氧化石墨烯的熒光發(fā)射會(huì)隨著還原的進(jìn)行逐漸變化,在輕度化學(xué)還原過(guò)程中觀察到GO光致發(fā)光光譜發(fā)生紅移,這一發(fā)現(xiàn)與其他人觀察到的發(fā)生藍(lán)移的現(xiàn)象相矛盾。這從另一個(gè)方面說(shuō)明了氧化石墨烯結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和性質(zhì)的多樣性。石墨烯以優(yōu)異的聲、光、熱、電、力等性質(zhì)成為各新型材料領(lǐng)域追求的目標(biāo)。制備氧化石墨技術(shù)

制備氧化石墨技術(shù),氧化石墨

GO作為新型的二維結(jié)構(gòu)的納米材料,具有疏水性中間片層與親水性邊緣結(jié)構(gòu),特殊的結(jié)構(gòu)決定其優(yōu)異的***特性。GO的***活性主要有以下幾種機(jī)制:(1)機(jī)械破壞,包括物理穿刺或者切割;(2)氧化應(yīng)激引發(fā)的細(xì)菌/膜物質(zhì)破壞;(3)包覆導(dǎo)致的跨膜運(yùn)輸阻滯和(或)細(xì)菌生長(zhǎng)阻遏;(4)磷脂分子抽提理論。GO作用于細(xì)菌膜表面的殺菌機(jī)制中,主要是GO與起始分子反應(yīng)(MolecularInitiatingEvents,MIEs)[51]的作用(圖7.3),包括GO表面活性引發(fā)的磷脂過(guò)氧化,GO片層結(jié)構(gòu)對(duì)細(xì)菌膜的嵌入、包裹以及磷脂分子的提取,GO表面催化引發(fā)的活性自由基等。另外,GO的尺寸在上述不同的***機(jī)制中對(duì)***的影響也是不同的,機(jī)械破壞和磷脂分子抽提理論表明尺寸越大的GO,能表現(xiàn)出更好的***能力,而氧化應(yīng)激理論則認(rèn)為GO尺寸越小,其***效果越好。官能化氧化石墨導(dǎo)熱常州第六元素公司可以生產(chǎn)多個(gè)型號(hào)的氧化石墨。

制備氧化石墨技術(shù),氧化石墨

在光通信領(lǐng)域,徐等人開(kāi)發(fā)了飛秒氧化石墨烯鎖模摻鉺光纖激光器,與基于石墨烯的可飽和吸收體相比,具有性能有所提升,并且具有易于制造的優(yōu)點(diǎn)[95],這是GO/RGO在與光纖結(jié)合應(yīng)用**早的報(bào)道之一。在傳感領(lǐng)域,Sridevi等提出了一種基于腐蝕布拉格光柵光纖(FBG)外加GO涂層的高靈敏、高精度生化傳感器,該方法在檢測(cè)刀豆球蛋白A中進(jìn)行了試驗(yàn)[96]。為了探索光纖技術(shù)和GO特性結(jié)合的優(yōu)點(diǎn),文獻(xiàn)[97]介紹了不同的GO涂層在光纖樣品上應(yīng)用的特點(diǎn),還分析了在傾斜布拉格光柵光纖FBG(TFBG)表面增加GO涂層對(duì)折射率(RI)變化的影響,論證了這種構(gòu)型對(duì)新傳感器的發(fā)展的適用性。圖9.14給出了歸一化的折射率變化數(shù)據(jù),顯示了這種構(gòu)型在多種傳感領(lǐng)域應(yīng)用的可能。

氧化石墨烯(GO)的光學(xué)性質(zhì)與石墨烯有著很大差別。石墨烯是零帶隙半導(dǎo)體,在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光吸收系數(shù)近乎常數(shù)(~2.3%);相比之下,氧化石墨烯的光吸收系數(shù)要小一個(gè)數(shù)量級(jí)(~0.3%)[9][10]。而且,氧化石墨烯的光吸收系數(shù)是波長(zhǎng)的函數(shù),其吸收曲線峰值在可見(jiàn)光與紫外光交界附近,隨著波長(zhǎng)向近紅外一端移動(dòng),吸收系數(shù)逐漸下降。對(duì)紫外光的吸收(200-320nm)會(huì)表現(xiàn)出明顯的π-π*和n-π*躍遷,而且其強(qiáng)度會(huì)隨著含氧基團(tuán)的出現(xiàn)而增加[11]。氧化石墨烯(GO)的光響應(yīng)對(duì)其含氧基團(tuán)的數(shù)量十分敏感[12]。隨著含氧基團(tuán)的去除,氧化石墨烯(GO)在可見(jiàn)光波段的的光吸收率迅速上升,**終達(dá)到2.3%這一石墨烯吸收率的上限。氧化石墨片層的厚度約為1.1 ± 0.2 nm。

制備氧化石墨技術(shù),氧化石墨

光學(xué)材料的某些非線性性質(zhì)是實(shí)現(xiàn)高性能集成光子器件的關(guān)鍵。光子芯片的許多重要功能,如全光開(kāi)關(guān),信號(hào)再生,超快通信都離不開(kāi)它。找尋一種具有超高三階非線性,并且易于加工各種功能性微納結(jié)構(gòu)的材料是眾多的光學(xué)科研工作者的夢(mèng)想,也是成功研制超高性能全光芯片的必由之路。超快泵浦探針光譜表明,重度功能化的具有較大SP3區(qū)域的GO材料在高激發(fā)強(qiáng)度下可以出現(xiàn)飽和吸收、雙光子吸收和多光子吸收[6][50][51][52],這種效應(yīng)歸因于在SP3結(jié)構(gòu)域的光子中存在較大的帶隙。相反,在具有較小帶隙的SP2域中的*出現(xiàn)單光子吸收。石墨烯在飛秒脈沖激發(fā)下具有飽和吸收[52],而氧化石墨烯在低能量下為飽和吸收,高能量下則具有反飽和吸收[51]。因此,通過(guò)控制GO氧化/還原的程度,實(shí)現(xiàn)SP2域到SP3域的比例調(diào)控,可以調(diào)整GO的非線性光學(xué)性質(zhì),這對(duì)于高次諧波的產(chǎn)生與應(yīng)用是非常重要的。氧化石墨烯(GO)的比表面積很大,厚度小。寧波新型氧化石墨

減少面內(nèi)難以修復(fù)的孔洞,從而提升還原石墨烯的本征導(dǎo)電性。制備氧化石墨技術(shù)

氧化石墨烯(GO)的比表面積很大,而厚度只有幾納米,具有兩親性,表面的各種官能團(tuán)使其可與生物分子直接相互作用,易于化學(xué)修飾,同時(shí)具有良好的生物相容性,超薄的GO納米片很容易組裝成紙片或直接在基材上進(jìn)行加工。另外,GO具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)性能,可以通過(guò)熒光能量共振轉(zhuǎn)移和非輻射偶極-偶極相互作用能有效猝滅熒光體(染料分子、量子點(diǎn)及上轉(zhuǎn)換納米材料)的熒光。這些特點(diǎn)都使GO成為制作傳感器極好的基本材料[74-76]。Arben的研究中發(fā)現(xiàn),將CdSe/ZnS量子點(diǎn)作為熒光供體,石墨、碳纖維、碳納米管和GO作為熒光受體,以上幾種碳材料對(duì)CdSe/ZnS量子點(diǎn)的熒光淬滅效率分別為66±17%、74±7%、71±1%和97±1%,因此與其他碳材料相比,GO具有更好的熒光猝滅效果[77]。制備氧化石墨技術(shù)