晶振的指標(biāo)，靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。ft：頻率溫度穩(wěn)定度（不帶隱含基準(zhǔn)度）；ftref：頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫）；fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的較高頻率；fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的較低頻率；fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測得的頻率。說明：采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器，故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價較高。普通晶體振蕩器（SPXO）是一種簡單的晶體振蕩器，通常稱為鐘振。無錫直插晶振貴不貴

晶體是一個14.318 MHz的石英諧振器，主要作用是作為振蕩電路的諧振元件把電壓轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的頻率信號輸送給主板上的各種信號處理芯片。如圖7所示為時鐘芯片的晶振電路示意圖，振蕩電路在芯片內(nèi)部，諧振晶體接在芯片外部。這種電路稱為晶體振蕩器，簡稱晶振。晶振電路在電磁爐中的應(yīng)用電磁爐電路中常用晶體振蕩器電路圖，在電磁爐電路中，晶體振蕩器常用作微處理器（或微控制器）的時鐘信號源，時鐘信號是整機工作不可缺少的信號，如果沒有時鐘信號，那么微處理器將無法啟動和工作。溫州定制晶振廠商標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。

如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產(chǎn)生機械振動，機械形變振動又會產(chǎn)生交變電場，盡管這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關(guān)，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數(shù)據(jù)手冊給出的標(biāo)稱頻率不是Fr或FL，實際的晶體元件應(yīng)用于振蕩電路中時，它一般還會與負(fù)載電容相聯(lián)接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)晶體頻率。石英晶體振蕩器有壓控制晶體振蕩器、恒溫控制式晶體振蕩器和數(shù)字化/μp補償式晶體振蕩器等幾種類型。

晶振的指標(biāo)，負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。負(fù)載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在確定時間內(nèi)輸出頻率的相對變化?；l：在振動模式較低階次的振動頻率。泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。晶振一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。合肥2520晶振價格

在實際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?。無錫直插晶振貴不貴

溫度頻差（Frequency Stability vs Temp）表示在特定溫度范圍內(nèi)，工作頻率相對于基準(zhǔn)溫度時工作頻率的允許偏離，它的單位也是ppm。石英晶體有一種特性，如果在晶片某軸向上施加壓力時，相應(yīng)施力的方向會產(chǎn)生一定的電位相反的，在晶體的某些軸向施加電場時，會使晶體產(chǎn)生機械變形；晶體的自然諧振頻率，它在高穩(wěn)晶振的設(shè)計中，是作為使晶振穩(wěn)定工作于標(biāo)稱頻率、確定頻率調(diào)整范圍、設(shè)置頻率微調(diào)裝置等要求時的設(shè)計參數(shù)（但不是標(biāo)稱頻率）。當(dāng)晶體元件與外部電容相連接時（并聯(lián)或串聯(lián)），在負(fù)載諧振頻率時的電阻即為負(fù)載諧振電阻RL，它總是大于晶體元件本身的諧振電阻。無錫直插晶振貴不貴

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