Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞喎Q硬件向?qū)В﹣韼椭褂谜甙惭b硬件驅(qū)動程序，使用者的工作就是在必要時告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號相匹配的.inf文件，剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿伞＝o硬件設(shè)備安裝驅(qū)動程序?qū)indows 9x用戶來說并不是一件陌生事，在安裝或重裝Windows時需要安裝驅(qū)動程序，在購買了某些新硬件之后也需要安裝驅(qū)動程序。如果驅(qū)動程序安裝不對，系統(tǒng)中某些硬件就有一定可能無法正常使用。雖然Windows 9x支持即插即用，能夠為用戶減少不少工作，但由于PC機(jī)的設(shè)備有非常多的品牌和型號，加上各種新產(chǎn)品不斷問世，Windows不可能自動識別出所有設(shè)備，因此在安裝很多設(shè)備時都需要人工干預(yù)。IGBT驅(qū)動電路分為正壓驅(qū)動和負(fù)壓驅(qū)動，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。楊浦區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

驅(qū)動，計算機(jī)軟件術(shù)語，是指驅(qū)使計算機(jī)里硬件動作的軟件程序。驅(qū)動程序全稱設(shè)備驅(qū)動程序，是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序，其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件，可以說沒有驅(qū)動程序，計算機(jī)中的硬件就無法工作。驅(qū)動程序全稱設(shè)備驅(qū)動程序，是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序，其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件，可以說沒有驅(qū)動程序，計算機(jī)中的硬件就無法工作。操作系統(tǒng)不同，硬件的驅(qū)動程序也不同，各個硬件廠商為了保證硬件的兼容性及增強硬件的功能會不斷地升級驅(qū)動程序。虹口區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路哪家好集成驅(qū)動芯片：一些集成電路（IC）可以簡化驅(qū)動電路的設(shè)計，例如用于電機(jī)驅(qū)動的H橋驅(qū)動IC。

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。

驅(qū)動電路(Drive Circuit)，位于主電路和控制電路之間，用來對控制電路的信號進(jìn)行放大的中間電路（即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動功率晶體管），稱為驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用：將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動功率晶體管—開關(guān)功率放大作用?；救蝿?wù)驅(qū)動電路的基本任務(wù)，就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號，對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關(guān)斷控制信號，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。浮動接地驅(qū)動：功率器件接地端電位會隨電路狀態(tài)變化而浮動，典型的為自舉驅(qū)動電路。

有些驅(qū)動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT，選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計中，還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。傳感器驅(qū)動：驅(qū)動電路可以將傳感器檢測到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號，例如溫度傳感器、壓力傳感器等。浦東新區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路專賣店

MOSFET驅(qū)動電路：使用MOSFET（場效應(yīng)晶體管）作為開關(guān)元件，適用于高效能的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動。楊浦區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩，因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。楊浦區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

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