瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。

同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號(hào)間的時(shí)序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號(hào)Strobe和時(shí)鐘信號(hào)Clock之間的時(shí)序關(guān)系，則可以設(shè)置與Strobe對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)。在Clock 下方的高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時(shí) 鐘信號(hào)。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于工作站和游戲電腦？智能化多端口矩陣測(cè)試DDR3測(cè)試調(diào)試

DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?，在DDR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)這個(gè)特性，會(huì)延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中，我們會(huì)在DDR2和DDR3的信號(hào)體制中，更加深刻地感覺到能量信號(hào)對(duì)于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然，除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。北京DDR3測(cè)試故障DDR3一致性測(cè)試可以幫助識(shí)別哪些問題？

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的，嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡(jiǎn)介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號(hào)，只能從控制器傳向存儲(chǔ)芯片，而數(shù)據(jù)信號(hào)則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號(hào)線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號(hào)統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表。可以看到，DDR 控制器對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作，就是通過控制信號(hào)的狀態(tài)和地址信號(hào)的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 DDR3一致性測(cè)試需要運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?

DDR1/2控制命令等信號(hào)，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí)，T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 F拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí)，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時(shí)，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用不是特別明顯，因此在2片負(fù)載時(shí)很多 設(shè)計(jì)人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？北京DDR3測(cè)試故障

是否可以使用多個(gè)軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試？智能化多端口矩陣測(cè)試DDR3測(cè)試調(diào)試

可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號(hào)。

(1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。

(2)在產(chǎn)品選擇界面選項(xiàng)中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當(dāng)前DDR_文件的同一目錄下，這樣，工具會(huì)自動(dòng)?xùn)苏业侥夸浵碌钠骷Ｐ汀?智能化多端口矩陣測(cè)試DDR3測(cè)試調(diào)試