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MEMS特點： 1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應(yīng)時間短。 2.以硅為主要材料，機械電器性能優(yōu)良：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng)，密度類似鋁，熱傳導(dǎo)率接近鉬和鎢。 3.批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。批量生產(chǎn)可降低生產(chǎn)成本。 4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執(zhí)行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性很高的MEMS。 5....

太赫茲柔性電極的雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計，上層實現(xiàn)太赫茲波發(fā)射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統(tǒng)剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結(jié)、螺旋結(jié)構(gòu)），特征尺寸達(dá)500nm，周期1-2μm，實現(xiàn)對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術(shù)制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導(dǎo)傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態(tài)下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細(xì)的可移動性零組件，例如應(yīng)用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

MEMS具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。 MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域，幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域，如電子技術(shù)、機械技術(shù)、物理學(xué)、化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、能源科學(xué)等。MEMS是一個單獨的智能系統(tǒng)，可大批量生產(chǎn)，其系統(tǒng)尺寸在幾毫米乃至更小，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級。例如，常見的MEMS產(chǎn)品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微機電系統(tǒng)在國民經(jīng)濟和更高級別的系統(tǒng)方面將有著廣泛的應(yīng)用前景。主要民用領(lǐng)域是電子、醫(yī)學(xué)、工業(yè)、汽車和...

三維微納結(jié)構(gòu)的跨尺度加工技術(shù)：跨尺度加工技術(shù)實現(xiàn)了從納米級到毫米級結(jié)構(gòu)的一體化制造，滿足復(fù)雜微流控系統(tǒng)對多尺度功能單元的需求。公司結(jié)合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機械加工（精度10μm），在單一基板上構(gòu)建跨3個數(shù)量級的微結(jié)構(gòu)。例如，在類***培養(yǎng)芯片中，納米級表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進細(xì)胞黏附，微米級流道（寬度50μm）控制營養(yǎng)物質(zhì)輸送，毫米級進樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設(shè)計，先進行納米結(jié)構(gòu)制備（如EBL定義細(xì)胞外基質(zhì)蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，***機械加工完成宏觀接口，各層結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)誤差＜±2μm。該技術(shù)...

基于MEMS技術(shù)的SAW器件： 聲表面波(SAW)傳感器是近年來發(fā)展起來的一種新型微聲傳感器，是種用聲表面波器件作為傳感元件，將被測量的信息通過聲表面波器件中聲表面波的速度或頻率的變化反映出來，并轉(zhuǎn)換成電信號輸出的傳感器。聲表面波傳感器能夠精確測量物理、化學(xué)等信息(如溫度、應(yīng)力、氣體密度)。由于體積小，聲表面波器件被譽為開創(chuàng)了無線、小型傳感器的新紀(jì)元，同時，其與集成電路兼容性強，在模擬數(shù)字通信及傳感領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。聲表面波傳感器能將信號集中于基片表面、工作頻率高，具有極高的信息敏感精度，能迅速地將檢測到的信息轉(zhuǎn)換為電信號輸出，具有實時信息檢測的特性，另外，聲表面波傳感器還具有微...

微納結(jié)構(gòu)的臺階儀與SEM測量技術(shù)：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關(guān)鍵的計量手段，確保結(jié)構(gòu)尺寸與表面形貌符合設(shè)計要求。臺階儀采用觸針式或光學(xué)式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內(nèi)的輪廓信息，分辨率達(dá)0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監(jiān)測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結(jié)構(gòu)觀測，配備二次電子探測器，可實現(xiàn)5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側(cè)壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復(fù)制過程中，SEM檢測模具結(jié)構(gòu)的完整性，避免因缺陷導(dǎo)致的芯片流道堵...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 運動追蹤在運動員的日常訓(xùn)練中，MEMS傳感器可以用來進行3D人體運動測量，通過基于聲學(xué)TOF，或者基于光學(xué)的TOF技術(shù)，對每一個動作進行記錄，教練們對結(jié)果分析，反復(fù)比較，以便提高運動員的成績。隨著MEMS技術(shù)的進一步發(fā)展，MEMS傳感器的價格也會隨著降低，這在大眾健身房中也可以廣泛應(yīng)用。在滑雪方面，3D運動追蹤中的壓力傳感器、加速度傳感器、陀螺儀以及GPS可以讓使用者獲得極精確的觀察能力，除了可提供滑雪板的移動數(shù)據(jù)外，還可以記錄使用者的位置和距離。在沖浪方面也是如此，安裝在沖浪板上的3D運動追蹤，可以記錄海浪高度、速度、沖浪時間、漿板距離、水溫以...

MEMS具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。 MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域，幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域，如電子技術(shù)、機械技術(shù)、物理學(xué)、化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、能源科學(xué)等。MEMS是一個單獨的智能系統(tǒng)，可大批量生產(chǎn)，其系統(tǒng)尺寸在幾毫米乃至更小，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級。例如，常見的MEMS產(chǎn)品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微機電系統(tǒng)在國民經(jīng)濟和更高級別的系統(tǒng)方面將有著廣泛的應(yīng)用前景。主要民用領(lǐng)域是電子、醫(yī)學(xué)、工業(yè)、汽車和...

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW： 聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆?，它能夠在兼作傳聲介質(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣和進行處理。因此，用聲表面波去模擬電子學(xué)的各種功能，能使電子器件實現(xiàn)超小型化和多功能化。隨著微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的發(fā)展進步，聲表面波研究向諸多領(lǐng)域進行延伸研究。上世紀(jì)90年代，已經(jīng)實現(xiàn)了利用聲表面波驅(qū)動固體。進入二十一世紀(jì)，聲表面波SAW在微流體應(yīng)用研究取得了巨大的發(fā)展。應(yīng)用聲表面波器件可以實現(xiàn)固體驅(qū)動、液滴驅(qū)動、微加熱、微粒集聚\混合...

超聲影像芯片的全集成MEMS設(shè)計與性能突破：針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發(fā)需求，公司開發(fā)了**SoC超聲收發(fā)芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實現(xiàn)發(fā)射與開關(guān)復(fù)用，大幅節(jié)省芯片面積的同時提升性能。在發(fā)射端，通過MEMS高壓驅(qū)動電路設(shè)計，實現(xiàn)±100V峰值輸出電壓與1A持續(xù)輸出電流，較TI同類產(chǎn)品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達(dá)100Msps，信噪比（SNR）達(dá)73.5dB，有效提升弱信號檢測能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術(shù)，實現(xiàn)3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統(tǒng)方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優(yōu)化版圖布局與寄...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細(xì)的可移動性零組件，例如應(yīng)用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

熱壓印技術(shù)在硬質(zhì)塑料微流控芯片中的應(yīng)用：熱壓印技術(shù)是實現(xiàn)PMMA、PS、COC、COP等硬質(zhì)塑料微結(jié)構(gòu)快速成型的**工藝，較傳統(tǒng)注塑工藝具有成本低、周期短、圖紙變更靈活等優(yōu)勢。工藝流程包括：首先利用光刻膠在硅片上制備高精度模具，微結(jié)構(gòu)高度5-100μm，側(cè)壁垂直度＞89°；然后將塑料基板加熱至玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上（如PMMA為110℃），在5-10MPa壓力下將模具結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印至基板，冷卻后脫模。該技術(shù)可實現(xiàn)0.5μm的特征尺寸分辨率，流道尺寸誤差＜±1%，適用于微流道、微孔陣列、透鏡陣列等結(jié)構(gòu)加工。以數(shù)字PCR芯片為例，熱壓印制備的50μm直徑微腔陣列，單芯片可容納20,000個反應(yīng)單元，配合熒光...

超聲影像芯片的全集成MEMS設(shè)計與性能突破：針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發(fā)需求，公司開發(fā)了**SoC超聲收發(fā)芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實現(xiàn)發(fā)射與開關(guān)復(fù)用，大幅節(jié)省芯片面積的同時提升性能。在發(fā)射端，通過MEMS高壓驅(qū)動電路設(shè)計，實現(xiàn)±100V峰值輸出電壓與1A持續(xù)輸出電流，較TI同類產(chǎn)品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達(dá)100Msps，信噪比（SNR）達(dá)73.5dB，有效提升弱信號檢測能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術(shù)，實現(xiàn)3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統(tǒng)方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優(yōu)化版圖布局與寄...

MEA柔性電極：MEMS工藝開發(fā)的MEA（微電極陣列）柔性電極，是腦機接口（BCI）與類***電生理研究的**技術(shù)載體。該電極采用超薄柔性基底材料（如聚酰亞胺或PDMS），厚度可精細(xì)控制在10-50微米范圍內(nèi)，表面通過光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機接口領(lǐng)域，柔性電極通過微創(chuàng)手術(shù)植入大腦皮層，用于癲癇病灶的精細(xì)定位與閉環(huán)電刺激***。在類***研究中，電極陣列與腦類***共培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合，可長期監(jiān)測神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的自發(fā)電活動與突觸可塑性變化，為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數(shù)據(jù)。此外，公司開發(fā)的“仿生褶皺結(jié)構(gòu)”柔性電極，通過力學(xué)匹配設(shè)計進一步降低植入后的機械應(yīng)力，延長...

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時提升神經(jīng)信號采集的信噪比。針對藥物遞送與檢測需求，通過干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實現(xiàn)組織間液的無痛提取，又能集成電化學(xué)傳感功能，為糖尿病動態(tài)監(jiān)測、透皮給藥系統(tǒng)提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝，可將光刻硅片模板快速轉(zhuǎn)化為PMMA、COC等硬質(zhì)塑料芯片，支持10個工作日內(nèi)完成從設(shè)計圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產(chǎn)品的研發(fā)驗證周期。MEMS超表面對光電場特性的調(diào)控是怎樣的？北京MEMS微納米加工扣件...

微機電系統(tǒng)是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統(tǒng)，是一個智能系統(tǒng)。主要由傳感器、作動器和微能源三大部分組成。微機電系統(tǒng)具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度。微機電系統(tǒng)。它是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)微機電系統(tǒng)。微機電系統(tǒng)涉及航空航天、信息通信、生物化學(xué)、醫(yī)療、自動控制、消費電子以及兵器等應(yīng)用領(lǐng)域。微機電系統(tǒng)的制造工藝主要有集成電路工藝、微米/納米制造工藝、小機械工藝和其他特種加工工種。微機電系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)主要包括設(shè)計與仿真技術(shù)、材料與加工技術(shù)、封裝與裝配技術(shù)、測量與測試技術(shù)、集成與系統(tǒng)技術(shù)等。熱...

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關(guān)、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關(guān)等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產(chǎn)。因為沒有適用的國產(chǎn)5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負(fù)責(zé)接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉(zhuǎn)換，將不受歡迎的頻率信號濾除。MEMS的柔...

MEMS制作工藝柔性電子出現(xiàn)的意義： 柔性電子技術(shù)有可能帶來一場電子技術(shù)進步，引起全世界的很多的關(guān)注并得到了迅速發(fā)展。美國《科學(xué)》雜志將有機電子技術(shù)進展列為2000年世界幾大科技成果之一，與人類基因組草圖、生物克隆技術(shù)等重大發(fā)現(xiàn)并列。美國科學(xué)家艾倫黑格、艾倫·馬克迪爾米德和日本科學(xué)家白川英樹由于他們在導(dǎo)電聚合物領(lǐng)域的開創(chuàng)性工作獲得2000年諾貝爾化學(xué)獎。 柔性電子技術(shù)是行業(yè)新興領(lǐng)域，它的出現(xiàn)不但整合電子電路、電子組件、材料、平面顯示、納米技術(shù)等領(lǐng)域技術(shù)外，同時橫跨半導(dǎo)體、封測、材料、化工、印刷電路板、顯示面板等產(chǎn)業(yè)，可協(xié)助傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，如塑料、印刷、化工、金屬材料等產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型。其在...

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構(gòu)成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強極性溶劑中進行縮聚反應(yīng)，然后流延成膜，然后經(jīng)過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨特的優(yōu)點，如高絕緣性、良好的粘結(jié)性、強的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機高分子材料。 柔性PI膜的應(yīng)用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機械、航空航天、計算機、光伏電池等領(lǐng)域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業(yè)中，柔性PI膜因其優(yōu)越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯...

熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù)：熱敏柔性電極采用PI（聚酰亞胺）三明治結(jié)構(gòu)，底層PI作為柔性基板，中間層為金屬電極，上層PI實現(xiàn)絕緣保護，開窗漏出Pad引線位置，兼具柔韌性與電學(xué)性能。加工過程中，首先在25μm厚度的PI基板上通過濺射沉積5μm厚度的銅/金電極層，利用光刻膠作為掩膜進行濕法刻蝕，形成10-50μm寬度的電極圖案，線條邊緣粗糙度＜1μm；然后涂覆10μm厚度的PI絕緣層，通過激光切割開設(shè)引線窗口，窗口定位精度±5μm；***經(jīng)300℃高溫亞胺化處理，提升層間結(jié)合力（剝離強度＞10N/cm）。該電極的彎曲半徑可達(dá)5mm，耐彎折次數(shù)＞10萬次，表面電阻＜5Ω/□，適用于可穿戴體...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點： 1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復(fù)性，易于大量生產(chǎn)，而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時，聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。 2.聲表面波器件的抗輻射能力強，動態(tài)范圍很大，可達(dá)100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程此外，在很多情況下，聲表面波器件的性能還遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了很好的電磁波器件所能達(dá)到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器，在UHF頻段內(nèi)可以作成Q值超過五萬的諧振腔，以及可以作成帶外抑制達(dá)70dB、頻率達(dá)1低Hz的帶通濾波器 M...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細(xì)的可移動性零組件，例如應(yīng)用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

MEMS技術(shù)的主要分類：傳感MEMS技術(shù)是指用微電子微機械加工出來的、用敏感元件如電容、壓電、壓阻、熱電耦、諧振、隧道電流等來感受轉(zhuǎn)換電信號的器件和系統(tǒng)。它包括速度、壓力、濕度、加速度、氣體、磁、光、聲、生物、化學(xué)等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器、諧振力敏感傳感器、微型加速度傳感器、真空微電子傳感器等。傳感器的發(fā)展方向是陣列化、集成化、智能化。由于傳感器是人類探索自然界的觸角，是各種自動化裝置的神經(jīng)元，且應(yīng)用領(lǐng)域大，未來將備受世界各國的重視。深反應(yīng)離子刻蝕是 MEMS 微納米加工中常用的刻蝕工藝，可用于制造高深寬比的微結(jié)構(gòu)。河南MEMS微納米加工價格多少 MEMS制作工藝-太赫茲...

新材料或?qū)⒊蔀閲a(chǎn)MEMS發(fā)展的新機會。截止到目前，硅基MEMS發(fā)展已經(jīng)有40多年的發(fā)展歷程，如何提高產(chǎn)品性能、降低成本是全球企業(yè)都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中，搶先一步投入應(yīng)用，將是國產(chǎn)MEMS彎道超車的好時機。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進行集成一體化，也是MEMS產(chǎn)業(yè)新機會。提高自主創(chuàng)新意識，加強創(chuàng)新能力，也不是那么的遙遠(yuǎn)。超透鏡的電子束直寫和刻蝕工藝其實并不復(fù)雜。山西MEMS微納米加工平臺熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù)：熱敏柔性電極采用PI（聚酰亞胺）三...

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料： 氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導(dǎo)體材料（室溫下3.4eV，晶體），它有很多應(yīng)用，如透明導(dǎo)體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測器。并因為可能應(yīng)用于薄膜晶體管方面正受到相當(dāng)?shù)年P(guān)注。同時氧化鋅還具有相當(dāng)良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來的主要優(yōu)勢，這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外，還有眾多的二維材料被應(yīng)用于柔性電子領(lǐng)域，包括石墨烯、半導(dǎo)體氧化物，納米金等。2014年發(fā)表在chemicalreview和naturenanotechnology上的兩篇經(jīng)典...

MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發(fā)的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學(xué)沉積工藝，構(gòu)建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導(dǎo)電聚合物，電荷注入容量（CIC）達(dá)2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術(shù)，實現(xiàn)電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設(shè)計，例如針對癲癇監(jiān)測的16通道電極，植入后機械應(yīng)力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養(yǎng)芯片，實時監(jiān)測神經(jīng)元放電頻率與網(wǎng)絡(luò)同步性，為神經(jīng)退行...

微針器件與生物傳感集成：公司采用干濕法混合刻蝕工藝制備的微針陣列，兼具納米級前列銳度（曲率半徑<100 nm）與微米級結(jié)構(gòu)強度（抗彎剛度≥1 GPa），可穿透角質(zhì)層無創(chuàng)提取組織間液或?qū)崿F(xiàn)透皮給藥。在藥物遞送領(lǐng)域，載藥微針通過可降解高分子涂層（如PLGA）實現(xiàn)藥物的緩釋控制。例如，胰島素微針貼片可在30分鐘內(nèi)完成藥物釋放，生物利用度較皮下注射提升40%。此外，微針表面可修飾金納米顆?；?qū)щ娋酆衔铮勺杩?伏安傳感模塊，實時檢測炎癥因子（如IL-6）或病原體抗原，檢測限低至1 pg/mL。在電化學(xué)檢測場景中，微針陣列與微流控芯片聯(lián)用，可同步完成樣本提取、預(yù)處理與信號分析，將皮膚間質(zhì)液檢測的全程時...

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)： 太赫茲波是天文探測領(lǐng)域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當(dāng)前，太赫茲超導(dǎo)接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數(shù)值建模與...

玻璃與硅片微流道精密加工：深圳市勃望初芯半導(dǎo)體科技有限公司依托深硅反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）技術(shù)，實現(xiàn)玻璃與硅片基材的高精度微流道加工。針對玻璃芯片，通過光刻掩膜與氫氟酸濕法刻蝕工藝，可制備深寬比達(dá)10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道網(wǎng)絡(luò)，適用于高通量單細(xì)胞操控與生化反應(yīng)腔構(gòu)建。硅片加工則采用干法刻蝕結(jié)合等離子體表面改性技術(shù)，形成親疏水交替的微流道結(jié)構(gòu)，提升毛細(xì)力驅(qū)動效率。例如，在核酸檢測芯片中，硅基微流道通過自驅(qū)動流體設(shè)計，無需外接泵閥即可完成樣本裂解、擴增與檢測全流程，檢測時間縮短至1小時以內(nèi)，靈敏度達(dá)1拷貝/μL。此類芯片還可集成微加熱元件，實現(xiàn)PCR溫控精度±0.1℃，為分子診斷提供...