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玻璃與硅片微流道精密加工：深圳市勃望初芯半導(dǎo)體科技有限公司依托深硅反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)玻璃與硅片基材的高精度微流道加工。針對(duì)玻璃芯片，通過光刻掩膜與氫氟酸濕法刻蝕工藝，可制備深寬比達(dá)10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道網(wǎng)絡(luò)，適用于高通量單細(xì)胞操控與生化反應(yīng)腔構(gòu)建。硅片加工則采用干法刻蝕結(jié)合等離子體表面改性技術(shù)，形成親疏水交替的微流道結(jié)構(gòu)，提升毛細(xì)力驅(qū)動(dòng)效率。例如，在核酸檢測(cè)芯片中，硅基微流道通過自驅(qū)動(dòng)流體設(shè)計(jì)，無需外接泵閥即可完成樣本裂解、擴(kuò)增與檢測(cè)全流程，檢測(cè)時(shí)間縮短至1小時(shí)以內(nèi)，靈敏度達(dá)1拷貝/μL。此類芯片還可集成微加熱元件，實(shí)現(xiàn)PCR溫控精度±0.1℃，為分子診斷提供...

MEMS制作工藝-太赫茲特性： 1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動(dòng)的電偶極子振蕩產(chǎn)生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生，因此有很好的相干性。THz的相干測(cè)量技術(shù)能夠直接測(cè)量電場(chǎng)振幅和相位，從而方便提取檢測(cè)樣品的折射率，吸收系數(shù)等。 2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級(jí)，遠(yuǎn)小于X射線的10^3量級(jí)，不易破壞被檢測(cè)的物質(zhì)，適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。 3.穿透性:THz輻射對(duì)于很多非極性物質(zhì)，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強(qiáng)的穿透能力，在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用 4.吸收性:大多數(shù)極性分子對(duì)THz有強(qiáng)烈的吸收作用，可以用來進(jìn)行醫(yī)療...

三維微納結(jié)構(gòu)的跨尺度加工技術(shù)：跨尺度加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從納米級(jí)到毫米級(jí)結(jié)構(gòu)的一體化制造，滿足復(fù)雜微流控系統(tǒng)對(duì)多尺度功能單元的需求。公司結(jié)合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機(jī)械加工（精度10μm），在單一基板上構(gòu)建跨3個(gè)數(shù)量級(jí)的微結(jié)構(gòu)。例如，在類***培養(yǎng)芯片中，納米級(jí)表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進(jìn)細(xì)胞黏附，微米級(jí)流道（寬度50μm）控制營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)輸送，毫米級(jí)進(jìn)樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設(shè)計(jì)，先進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)制備（如EBL定義細(xì)胞外基質(zhì)蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，***機(jī)械加工完成宏觀接口，各層結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)誤差＜±2μm。該技術(shù)...

MEMS微納加工的產(chǎn)業(yè)化能力與技術(shù)儲(chǔ)備：公司在MEMS微納加工領(lǐng)域構(gòu)建了完整的技術(shù)體系與產(chǎn)業(yè)化能力，涵蓋從設(shè)計(jì)仿真（使用COMSOL、Lumerical等軟件）到工藝開發(fā)（10+種主流加工工藝）、批量生產(chǎn)（萬級(jí)潔凈車間，月產(chǎn)能50,000片）的全鏈條服務(wù)。技術(shù)儲(chǔ)備方面，持續(xù)投入下一代微納加工技術(shù)，包括：①納米壓印技術(shù)實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)結(jié)構(gòu)復(fù)制，支持單分子測(cè)序芯片開發(fā)；②激光誘導(dǎo)正向轉(zhuǎn)移（LIFT）技術(shù)實(shí)現(xiàn)金屬電極的無掩膜直寫，加工速度提升5倍；③可降解聚合物加工工藝，開發(fā)聚乳酸基微流控芯片，適用于體內(nèi)短期植入檢測(cè)。在設(shè)備端，引進(jìn)了電子束曝光機(jī)（分辨率5nm）、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)（ICP，刻蝕速...

微流控芯片的自動(dòng)化檢測(cè)與統(tǒng)計(jì)分析：公司建立了基于機(jī)器視覺的微流控芯片自動(dòng)化檢測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)尺寸測(cè)量、缺陷識(shí)別與性能統(tǒng)計(jì)的全流程智能化。檢測(cè)設(shè)備配備6MPUSB3.0攝像頭與遠(yuǎn)心光學(xué)鏡頭，配合步進(jìn)電機(jī)平移臺(tái)（精度±1μm），可對(duì)芯片流道、微孔、電極等結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描。通過自研算法自動(dòng)識(shí)別特征區(qū)域，測(cè)量參數(shù)包括高度（分辨率0.1μm）、周長(zhǎng)、面積、寬度、半徑等，數(shù)據(jù)重復(fù)性誤差＜±0.5%。缺陷檢測(cè)模塊采用深度學(xué)習(xí)模型，可識(shí)別＜5μm的毛刺、缺口、氣泡等缺陷，準(zhǔn)確率＞99%。檢測(cè)系統(tǒng)實(shí)時(shí)生成統(tǒng)計(jì)報(bào)告，包含CPK、均值、標(biāo)準(zhǔn)差等質(zhì)量參數(shù)，支持SPC過程控制。在PDMS芯片檢測(cè)中，單芯片檢測(cè)時(shí)間＜2分鐘，效率...

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計(jì)“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機(jī)接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時(shí)提升神經(jīng)信號(hào)采集的信噪比。針對(duì)藥物遞送與檢測(cè)需求，通過干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實(shí)現(xiàn)組織間液的無痛提取，又能集成電化學(xué)傳感功能，為糖尿病動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)、透皮給藥系統(tǒng)提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝，可將光刻硅片模板快速轉(zhuǎn)化為PMMA、COC等硬質(zhì)塑料芯片，支持10個(gè)工作日內(nèi)完成從設(shè)計(jì)圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產(chǎn)品的研發(fā)驗(yàn)證周期。微納加工產(chǎn)業(yè)化能力覆蓋設(shè)計(jì)、工藝、量產(chǎn)全鏈條，月產(chǎn)能達(dá) 50,000...

SU8微流控模具加工技術(shù)與精度控制：SU8作為負(fù)性光刻膠，廣泛應(yīng)用于6英寸以下硅片、石英片的單套或套刻微流控模具加工，可實(shí)現(xiàn)5-500μm高度的三維結(jié)構(gòu)制造。加工流程包括：基板清洗→底涂處理→SU8涂膠（轉(zhuǎn)速500-5000rpm，控制厚度1-500μm）→前烘→曝光（紫外光強(qiáng)度50-200mJ/cm2）→后烘→顯影（PGMEA溶液，時(shí)間1-10分鐘）。通過優(yōu)化曝光劑量與顯影時(shí)間，可實(shí)現(xiàn)側(cè)壁垂直度＞88°，**小線寬10μm，高度誤差＜±2%。在多層套刻加工中，采用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記視覺識(shí)別系統(tǒng)（精度±1μm），確保上下層結(jié)構(gòu)偏差＜5μm，適用于復(fù)雜三維流道模具制備。該模具可用于PDMS模塑成型，復(fù)制精...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進(jìn)的微機(jī)電組件包含精細(xì)的可移動(dòng)性零組件，例如應(yīng)用于加速計(jì)、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項(xiàng)特點(diǎn)是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對(duì)非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實(shí)現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

玻璃與硅片微流道精密加工：深圳市勃望初芯半導(dǎo)體科技有限公司依托深硅反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)玻璃與硅片基材的高精度微流道加工。針對(duì)玻璃芯片，通過光刻掩膜與氫氟酸濕法刻蝕工藝，可制備深寬比達(dá)10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道網(wǎng)絡(luò)，適用于高通量單細(xì)胞操控與生化反應(yīng)腔構(gòu)建。硅片加工則采用干法刻蝕結(jié)合等離子體表面改性技術(shù)，形成親疏水交替的微流道結(jié)構(gòu)，提升毛細(xì)力驅(qū)動(dòng)效率。例如，在核酸檢測(cè)芯片中，硅基微流道通過自驅(qū)動(dòng)流體設(shè)計(jì)，無需外接泵閥即可完成樣本裂解、擴(kuò)增與檢測(cè)全流程，檢測(cè)時(shí)間縮短至1小時(shí)以內(nèi)，靈敏度達(dá)1拷貝/μL。此類芯片還可集成微加熱元件，實(shí)現(xiàn)PCR溫控精度±0.1℃，為分子診斷提供...

微機(jī)電系統(tǒng)是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機(jī)電系統(tǒng)，是一個(gè)智能系統(tǒng)。主要由傳感器、作動(dòng)器和微能源三大部分組成。微機(jī)電系統(tǒng)具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn)，微型化、智能化、多功能、高集成度。微機(jī)電系統(tǒng)。它是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)微機(jī)電系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)涉及航空航天、信息通信、生物化學(xué)、醫(yī)療、自動(dòng)控制、消費(fèi)電子以及兵器等應(yīng)用領(lǐng)域。微機(jī)電系統(tǒng)的制造工藝主要有集成電路工藝、微米/納米制造工藝、小機(jī)械工藝和其他特種加工工種。微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)主要包括設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、材料與加工技術(shù)、封裝與裝配技術(shù)、測(cè)量與測(cè)試技術(shù)、集成與系統(tǒng)技術(shù)等。1...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進(jìn)的微機(jī)電組件包含精細(xì)的可移動(dòng)性零組件，例如應(yīng)用于加速計(jì)、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項(xiàng)特點(diǎn)是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對(duì)非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實(shí)現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

通過MEMS技術(shù)制作的生物傳感器，圍繞細(xì)胞分選檢測(cè)、生物分子檢測(cè)、人工聽覺微系統(tǒng)等方向，突破了高通量細(xì)胞圖形化、片上細(xì)胞聚焦分選、耳蝸內(nèi)聲電混合刺激、高時(shí)空分辨率相位差分檢測(cè)等一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)，取得了一批原創(chuàng)性成果，研制了具有世界很高水平的高通量原位細(xì)胞多模式檢測(cè)系統(tǒng)、流式細(xì)胞儀、系列流式細(xì)胞檢測(cè)芯片等檢測(cè)儀器，打破了相關(guān)領(lǐng)域國際廠商的技術(shù)封鎖和壟斷?？傊嫦蜥t(yī)療健康領(lǐng)域的重大需求，經(jīng)過多年持續(xù)的努力，我們?nèi)〉靡幌盗芯哂袊H先進(jìn)水平的科研成果，部分技術(shù)處于國際前列地位，其中多項(xiàng)技術(shù)尚屬國際開創(chuàng)。MEMS技術(shù)常用工藝技術(shù)組合有：紫外光刻、電子束光刻EBL、PVD磁控濺射、IBE刻...

通過MEMS技術(shù)制作的生物傳感器，圍繞細(xì)胞分選檢測(cè)、生物分子檢測(cè)、人工聽覺微系統(tǒng)等方向，突破了高通量細(xì)胞圖形化、片上細(xì)胞聚焦分選、耳蝸內(nèi)聲電混合刺激、高時(shí)空分辨率相位差分檢測(cè)等一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)，取得了一批原創(chuàng)性成果，研制了具有世界很高水平的高通量原位細(xì)胞多模式檢測(cè)系統(tǒng)、流式細(xì)胞儀、系列流式細(xì)胞檢測(cè)芯片等檢測(cè)儀器，打破了相關(guān)領(lǐng)域國際廠商的技術(shù)封鎖和壟斷?？傊?，面向醫(yī)療健康領(lǐng)域的重大需求，經(jīng)過多年持續(xù)的努力，我們?nèi)〉靡幌盗芯哂袊H先進(jìn)水平的科研成果，部分技術(shù)處于國際前列地位，其中多項(xiàng)技術(shù)尚屬國際開創(chuàng)。深反應(yīng)離子刻蝕是 MEMS 微納米加工中常用的刻蝕工藝，可用于制造高深寬比的微結(jié)構(gòu)。...

物聯(lián)網(wǎng)普及極大拓展MEMS應(yīng)用場(chǎng)景。物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)架構(gòu)可以分為四層：感知層、傳輸層、平臺(tái)層和應(yīng)用層，MEMS器件是物聯(lián)網(wǎng)感知層重要組成部分。物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展帶動(dòng)智能終端設(shè)備普及，推動(dòng)MEMS需求放量，據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)GSMA統(tǒng)計(jì)，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量已從2010年的20億臺(tái)，增長(zhǎng)到2019年的120億臺(tái)，未來受益于5G商用化和WiFi 6的發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)潛力巨大，GSMA預(yù)測(cè)，到2025年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將達(dá)到246億臺(tái)，2019到2025年將保持12.7%的復(fù)合增長(zhǎng)率。MEMS的超透鏡是什么？哪里有MEMS微納米加工廠家電話高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應(yīng)用創(chuàng)新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝...

MEA柔性電極：MEMS工藝開發(fā)的MEA（微電極陣列）柔性電極，是腦機(jī)接口（BCI）與類***電生理研究的**技術(shù)載體。該電極采用超薄柔性基底材料（如聚酰亞胺或PDMS），厚度可精細(xì)控制在10-50微米范圍內(nèi)，表面通過光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機(jī)接口領(lǐng)域，柔性電極通過微創(chuàng)手術(shù)植入大腦皮層，用于癲癇病灶的精細(xì)定位與閉環(huán)電刺激***。在類***研究中，電極陣列與腦類***共培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合，可長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的自發(fā)電活動(dòng)與突觸可塑性變化，為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數(shù)據(jù)。此外，公司開發(fā)的“仿生褶皺結(jié)構(gòu)”柔性電極，通過力學(xué)匹配設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低植入后的機(jī)械應(yīng)力，延長(zhǎng)...

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計(jì)“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機(jī)接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時(shí)提升神經(jīng)信號(hào)采集的信噪比。針對(duì)藥物遞送與檢測(cè)需求，通過干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實(shí)現(xiàn)組織間液的無痛提取，又能集成電化學(xué)傳感功能，為糖尿病動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)、透皮給藥系統(tǒng)提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝，可將光刻硅片模板快速轉(zhuǎn)化為PMMA、COC等硬質(zhì)塑料芯片，支持10個(gè)工作日內(nèi)完成從設(shè)計(jì)圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產(chǎn)品的研發(fā)驗(yàn)證周期。熱敏柔性電極采用 PI 三明治結(jié)構(gòu)，底層基板、中間電極、上層絕緣層設(shè)...

神經(jīng)電子芯片的MEMS微納加工技術(shù)與臨床應(yīng)用：神經(jīng)電子芯片作為植入式醫(yī)療設(shè)備的**組件，對(duì)微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發(fā)多通道神經(jīng)電刺激SoC芯片，可實(shí)現(xiàn)無線充電與通訊功能，將控制信號(hào)轉(zhuǎn)化為精細(xì)電刺激脈沖，用于神經(jīng)感知、調(diào)控及阻斷。以128像素視網(wǎng)膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術(shù)在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個(gè)電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對(duì)視網(wǎng)膜神經(jīng)細(xì)胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復(fù)合涂層，經(jīng)120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應(yīng)，植入體壽...

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構(gòu)成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強(qiáng)極性溶劑中進(jìn)行縮聚反應(yīng)，然后流延成膜，然后經(jīng)過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，如高絕緣性、良好的粘結(jié)性、強(qiáng)的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機(jī)高分子材料。 柔性PI膜的應(yīng)用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機(jī)械、航空航天、計(jì)算機(jī)、光伏電池等領(lǐng)域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業(yè)中，柔性PI膜因其優(yōu)越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機(jī)的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯...

MEMS制作工藝-微流控芯片： 微流控芯片技術(shù)(Microfluidics)是把生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)分析過程的樣品制備、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動(dòng)完成分析全過程。微流控芯片（microfluidicchip）是當(dāng)前微全分析系統(tǒng)（MiniaturizedTotalAnalysisSystems）發(fā)展的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 微流控芯片分析以芯片為操作平臺(tái),同時(shí)以分析化學(xué)為基礎(chǔ),以微機(jī)電加工技術(shù)為依托,以微管道網(wǎng)絡(luò)為結(jié)構(gòu)特征,以生命科學(xué)為目前主要應(yīng)用對(duì)象，是當(dāng)前微全分析系統(tǒng)領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)。它的目標(biāo)是把整個(gè)化驗(yàn)室的功能,包括采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等集...

PDMS金屬流道芯片的復(fù)合加工工藝：PDMS金屬流道芯片通過在柔性PDMS流道內(nèi)集成金屬鍍層，實(shí)現(xiàn)流體控制與電信號(hào)檢測(cè)的一體化設(shè)計(jì)。加工流程包括：首先利用軟光刻技術(shù)在硅模上制備50-200μm寬度的流道結(jié)構(gòu)，澆筑PDMS預(yù)聚體并固化成型；然后通過氧等離子體處理流道表面，使其親水化以促進(jìn)金屬前驅(qū)體吸附；采用磁控濺射技術(shù)沉積50-200nm厚度的金/鉑金屬層，經(jīng)化學(xué)鍍?cè)龊裰?-5μm，形成連續(xù)導(dǎo)電流道；***與PET基板通過等離子體鍵合密封，確保流體無泄漏。金屬流道的表面粗糙度＜50nm，電阻＜10Ω/cm，適用于電化學(xué)檢測(cè)、電滲泵驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。典型應(yīng)用如微流控電化學(xué)傳感器，在10μL/min流速下...

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計(jì)“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機(jī)接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時(shí)提升神經(jīng)信號(hào)采集的信噪比。針對(duì)藥物遞送與檢測(cè)需求，通過干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實(shí)現(xiàn)組織間液的無痛提取，又能集成電化學(xué)傳感功能，為糖尿病動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)、透皮給藥系統(tǒng)提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝，可將光刻硅片模板快速轉(zhuǎn)化為PMMA、COC等硬質(zhì)塑料芯片，支持10個(gè)工作日內(nèi)完成從設(shè)計(jì)圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產(chǎn)品的研發(fā)驗(yàn)證周期?？山到饩酆衔锛庸すに噧?chǔ)備，為體內(nèi)短期植入檢測(cè)芯片提供生物相容性材料解...

加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS，作為一個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù)，可以通過設(shè)計(jì)使一個(gè)部件(圖中橙色部件)相對(duì)底座substrate產(chǎn)生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個(gè)部件稱為質(zhì)量塊（proofmass）。質(zhì)量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當(dāng)感應(yīng)到加速度時(shí)，質(zhì)量塊相對(duì)底座產(chǎn)生位移。通過一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能，如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號(hào)供其信號(hào)處理單元采樣。通過梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地?cái)U(kuò)大傳感面積，提高測(cè)量精度，降低信號(hào)處理難度。加...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 消費(fèi)電子產(chǎn)品在MEMSDrive出現(xiàn)之前，手機(jī)攝像頭主要由音圈馬達(dá)移動(dòng)鏡頭組的方式實(shí)現(xiàn)防抖(簡(jiǎn)稱鏡頭防抖技術(shù))，受到很大的局限。而另一個(gè)在市場(chǎng)上較好的防抖技術(shù)：多軸防抖，則是利用移動(dòng)圖像傳感器(ImageSensor)補(bǔ)償抖動(dòng)，但由于這個(gè)技術(shù)體積龐大、耗電量超出手機(jī)載荷，一直無法在手機(jī)上應(yīng)用。憑著微機(jī)電在體積和功耗上的突破，新的技術(shù)MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達(dá)，帶動(dòng)圖像傳感器在三個(gè)旋轉(zhuǎn)軸移動(dòng)。MEMSDrive的防抖技術(shù)是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動(dòng)，依靠精密算法，計(jì)算出馬達(dá)應(yīng)做的移動(dòng)幅度并做出快速補(bǔ)償。這一系列動(dòng)...

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍(lán)寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學(xué)性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強(qiáng)金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝光顯影，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層，***通過**剝離得到完整電極結(jié)構(gòu)。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm，接觸電阻＜1Ω?cm2。針對(duì)植入式醫(yī)療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理，通過硅烷偶聯(lián)劑共價(jià)鍵合，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上，炎癥反應(yīng)發(fā)生率下降60%。該技術(shù)...

太赫茲柔性電極的雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，上層實(shí)現(xiàn)太赫茲波發(fā)射/接收，下層集成信號(hào)處理電路，解決了傳統(tǒng)剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級(jí)金屬天線陣列（如蝴蝶結(jié)、螺旋結(jié)構(gòu)），特征尺寸達(dá)500nm，周期1-2μm，實(shí)現(xiàn)對(duì)0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術(shù)制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導(dǎo)傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態(tài)下信號(hào)衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測(cè)等場(chǎng)景。在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測(cè)皮膚水...

加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS，作為一個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù)，可以通過設(shè)計(jì)使一個(gè)部件(圖中橙色部件)相對(duì)底座substrate產(chǎn)生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個(gè)部件稱為質(zhì)量塊（proofmass）。質(zhì)量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當(dāng)感應(yīng)到加速度時(shí)，質(zhì)量塊相對(duì)底座產(chǎn)生位移。通過一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能，如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號(hào)供其信號(hào)處理單元采樣。通過梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地?cái)U(kuò)大傳感面積，提高測(cè)量精度，降低信號(hào)處理難度。加...

基于MEMS技術(shù)的SAW器件： 聲表面波(SAW)傳感器是近年來發(fā)展起來的一種新型微聲傳感器，是種用聲表面波器件作為傳感元件，將被測(cè)量的信息通過聲表面波器件中聲表面波的速度或頻率的變化反映出來，并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出的傳感器。聲表面波傳感器能夠精確測(cè)量物理、化學(xué)等信息(如溫度、應(yīng)力、氣體密度)。由于體積小，聲表面波器件被譽(yù)為開創(chuàng)了無線、小型傳感器的新紀(jì)元，同時(shí)，其與集成電路兼容性強(qiáng)，在模擬數(shù)字通信及傳感領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。聲表面波傳感器能將信號(hào)集中于基片表面、工作頻率高，具有極高的信息敏感精度，能迅速地將檢測(cè)到的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出，具有實(shí)時(shí)信息檢測(cè)的特性，另外，聲表面波傳感器還具有微...

物聯(lián)網(wǎng)普及極大拓展MEMS應(yīng)用場(chǎng)景。物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)架構(gòu)可以分為四層：感知層、傳輸層、平臺(tái)層和應(yīng)用層，MEMS器件是物聯(lián)網(wǎng)感知層重要組成部分。物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展帶動(dòng)智能終端設(shè)備普及，推動(dòng)MEMS需求放量，據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)GSMA統(tǒng)計(jì)，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量已從2010年的20億臺(tái)，增長(zhǎng)到2019年的120億臺(tái)，未來受益于5G商用化和WiFi 6的發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)潛力巨大，GSMA預(yù)測(cè)，到2025年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將達(dá)到246億臺(tái)，2019到2025年將保持12.7%的復(fù)合增長(zhǎng)率?；贛EMS技術(shù)的RF射頻器件是什么？重慶MEMS微納米加工性能國內(nèi)政策大力推動(dòng)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展：國家政策大力支持傳感器發(fā)展，...

MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測(cè)： 光電導(dǎo)取樣光電導(dǎo)取樣是基于光導(dǎo)天線(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機(jī)理的逆過程發(fā)展起來的一種探測(cè)THz脈沖信號(hào)的探測(cè)技術(shù)。如要對(duì)THz脈沖信號(hào)進(jìn)行探測(cè)，首先，需將一個(gè)未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個(gè)光學(xué)門控脈沖(探測(cè)脈沖)對(duì)其門控。其中，這個(gè)探測(cè)脈沖和泵浦脈沖有可調(diào)節(jié)的時(shí)間延遲關(guān)系，而這個(gè)關(guān)系可利用一個(gè)延遲線來加以實(shí)現(xiàn)，爾后，用一束探測(cè)脈沖打到光電導(dǎo)介質(zhì)上，這時(shí)在介質(zhì)中能夠產(chǎn)生出電子-空穴對(duì)(自由載流子)，而此時(shí)同步到達(dá)的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場(chǎng)，以此來驅(qū)動(dòng)那些載流子運(yùn)動(dòng)，從而在PC...

MEMS制作工藝-太赫茲特性： 1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動(dòng)的電偶極子振蕩產(chǎn)生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生，因此有很好的相干性。THz的相干測(cè)量技術(shù)能夠直接測(cè)量電場(chǎng)振幅和相位，從而方便提取檢測(cè)樣品的折射率，吸收系數(shù)等。 2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級(jí)，遠(yuǎn)小于X射線的10^3量級(jí)，不易破壞被檢測(cè)的物質(zhì)，適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。 3.穿透性:THz輻射對(duì)于很多非極性物質(zhì)，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強(qiáng)的穿透能力，在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用 4.吸收性:大多數(shù)極性分子對(duì)THz有強(qiáng)烈的吸收作用，可以用來進(jìn)行醫(yī)療...