在當今數(shù)據(jù)炸毀的時代,數(shù)據(jù)存儲面臨著諸多挑戰(zhàn),如存儲容量的快速增長、數(shù)據(jù)讀寫速度的要求不斷提高以及數(shù)據(jù)安全性的保障等。磁存儲技術在應對這些挑...
量子隨機數(shù)發(fā)生器芯片具有獨特的優(yōu)勢,使其在隨機數(shù)生成領域脫穎而出。與傳統(tǒng)的硬件隨機數(shù)發(fā)生器芯片相比,量子隨機數(shù)發(fā)生器芯片基于量子物理原理,能...
四硅電容采用了創(chuàng)新的設計理念,具備卓著優(yōu)勢。其獨特的設計結構使得四個硅基電容單元能夠協(xié)同工作,有效提高了電容的整體性能。在電容值方面,四硅電...
蘇州凌存科技有限公司(以下簡稱凌存科技)成立于2021年12月,坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司,并在該領域處于先進的地位。凌存科技取得技術原始、核心專利授權20項,涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術。此外,公司已申請國家發(fā)明專利15項。目前,凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術節(jié)點的流片,性能指標處于先進地位。 公司擁有一支國際化團隊,成員來自中國大陸,美國,中國臺灣,日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術,旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片,磁性真隨機數(shù)發(fā)生器芯片。