IGBT：原理、結(jié)構(gòu)及其關(guān)鍵特性IGBT的不錯(cuò)性能源于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，它巧妙融合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）與BJT（雙...
功率器件：江東東海半導(dǎo)體賦能現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換的基石在能源結(jié)構(gòu)深刻變革與電氣化浪潮席卷全球的現(xiàn)在，高效的電能轉(zhuǎn)換與管理已成為驅(qū)動(dòng)工業(yè)進(jìn)步、提升生活...
先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)與工藝：器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新： 持續(xù)優(yōu)化MOSFET溝槽/平面柵結(jié)構(gòu)、終端保護(hù)結(jié)構(gòu)、元胞設(shè)計(jì)等，平衡導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性、柵氧可靠性及短路...
深化制造能力： 擴(kuò)大6英寸晶圓制造產(chǎn)能，優(yōu)化工藝流程，明顯提升良率和產(chǎn)能，降低單位成本。強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)： 與上下游伙伴（材料供應(yīng)商、設(shè)備商、封...
東海半導(dǎo)體是國內(nèi)前沿的功率器件產(chǎn)品供應(yīng)商，專注于先進(jìn)功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝制造和應(yīng)用研究，為客戶提供IGBT單管/模塊、中低壓MOS、高壓MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模塊、GaN、IPM等功率器件產(chǎn)品解決方案。東海半導(dǎo)體成立于2004年，總部位于無錫；公司致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性價(jià)比功率器件產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制、逆變焊機(jī)、電源、電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車、鋰電保護(hù)等領(lǐng)域。
