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UC2526N穩(wěn)壓IC

來源： 發(fā)布時(shí)間：2023-05-18

穩(wěn)壓IC-帶導(dǎo)線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，適用于需要高達(dá)42V輸入電壓的應(yīng)用。

?單個(gè)外露底部?

支持5-V、12-V和24-V導(dǎo)軌

?輸出電流高達(dá)10A

?輸出電流高達(dá)10A

穩(wěn)壓IC-微型IP?模塊解決方案總占地面積**小。

?帶集成蓋和電感器：如TPS826x系列（6MHz）和TPS82740

?*帶集成電感器：如TPS82084/85（6-V輸入）和TPS82130/40/50（17-V輸入）

?**功耗，如TPS82740，只有360nAIQ（運(yùn)行）

?LMZM23601比較高36-V輸入

TI的電源模塊包括實(shí)現(xiàn)DC/DC電源解決方案，可簡化設(shè)計(jì)、減少解決方案大小并縮短開發(fā)時(shí)間。產(chǎn)品的電壓高達(dá)60V，電流高達(dá)50A。

有關(guān)更多信息，請?jiān)L問Tech-trek官網(wǎng) 特克集團(tuán)，專業(yè)經(jīng)營電源穩(wěn)壓IC，專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)！專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)！UC2526N穩(wěn)壓IC

功率MOSFET概述：

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實(shí)現(xiàn)的組合。

NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 UC3526DW穩(wěn)壓IC特克電子，電源穩(wěn)壓IC**，專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)！專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)！

什么是穩(wěn)壓IC的EMI？
在需要電磁兼容性（EMC）的系統(tǒng)中，用作電磁源的組件設(shè)計(jì)用于減少其干擾，易受干擾的組件設(shè)計(jì)用于降低其敏感性。當(dāng)終端設(shè)備制造商集成來自不同供應(yīng)商的組件時(shí)，確保干擾源和敏感電路能夠和平共存的***方法是制定一套通用規(guī)則，其中干擾限制在一定水平，敏感電路能夠處理該水平的干擾。
這些規(guī)則是在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中制定的，如國際擾動(dòng)無線電委員會（CISPR）25用于汽車行業(yè)，CISPR32用于多媒體設(shè)備。CISPR標(biāo)準(zhǔn)對于EMI設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈儗⒁?guī)定任何EMI緩解技術(shù)的目標(biāo)性能。本文的重點(diǎn)是減少干擾，因?yàn)殚_關(guān)電源通常是電磁干擾源。有關(guān)EMI標(biāo)準(zhǔn)的***列表，請參閱白皮書“電源傳導(dǎo)EMI規(guī)范概述”和“電源輻射EMI規(guī)范概述”

低靜態(tài)電流（IQ）-穩(wěn)壓IC趨勢知識
在不影響電池操作系統(tǒng)的系統(tǒng)性能的情況下延長電池和保質(zhì)期，在空載或輕載條件下實(shí)現(xiàn)高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時(shí)嚴(yán)格調(diào)節(jié)輸出。
憑借TI的**智商技術(shù)和產(chǎn)品組合，您可以比較大限度地延長電池運(yùn)行時(shí)間，并在下一次設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)低功耗。
低待機(jī)功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓?fù)溲娱L電池運(yùn)行時(shí)間
快速響應(yīng)時(shí)間
?通過快速喚醒電路和自適應(yīng)偏置增強(qiáng)系統(tǒng)功能，以提高動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間，同時(shí)保持**靜態(tài)功耗
小外形尺寸
?應(yīng)用程序支持模具和封裝尺寸，無需通過TI的**電路技術(shù)，降低靜態(tài)功耗。
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為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時(shí)、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來越重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品，它來自各種物理現(xiàn)象，并在嚴(yán)格的電磁干擾測試中表現(xiàn)出來。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項(xiàng)充滿權(quán)衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關(guān)轉(zhuǎn)換率，這是一種直接影響效率的技術(shù)。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源的所有優(yōu)點(diǎn)，降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問題。這需要針對低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案，以及精確的建模技術(shù)。

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減少低頻發(fā)射的創(chuàng)新-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
讓我們看看TI在構(gòu)建其轉(zhuǎn)換器和控制器時(shí)使用的一些技術(shù)，以解決效率、EMI、尺寸和成本等基本權(quán)衡問題。
擴(kuò)頻-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
擴(kuò)頻利用能量守恒原理，通過在多個(gè)頻率上傳播能量來減少EMI峰值。然而，峰值敏感電路“看到”的能量可能不會減少；這取決于敏感電路的帶寬與方法之間的關(guān)系頻率調(diào)制。測量EMI時(shí)，頻譜分析儀充當(dāng)敏感電路，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置分辨率
帶寬（RBW）。因此，以***的方式對目標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行頻率調(diào)制非常重要。一般的經(jīng)驗(yàn)法則是，調(diào)制頻率fm大約等于目標(biāo)RBW，擴(kuò)展帶寬ΔfC約為±5%至±10%。
UC2526N穩(wěn)壓IC

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