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TPS51120RHBT穩(wěn)壓IC

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-20

高壓電源-穩(wěn)壓IC:

交流/直流和隔離直流/直流MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器TI的100多個(gè)門驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合提供了業(yè)界**快的開關(guān)電源,同時(shí)滿足了各種規(guī)格。優(yōu)點(diǎn)包括在高開關(guān)頻率下具有快速開啟/關(guān)閉時(shí)間的穩(wěn)健設(shè)計(jì),可減少功率損耗并實(shí)現(xiàn)更好的系統(tǒng)性能。TI的門驅(qū)動(dòng)器系列包括低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋驅(qū)動(dòng)器和隔離驅(qū)動(dòng)器。

UCC2751x和UCC2752x

?選定產(chǎn)品的版本

?AEC-Q100適用于部分產(chǎn)品

?非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)和分離輸出選項(xiàng)可在選定的單通道驅(qū)動(dòng)器上使用

?前列的傳播延遲和與MOSFET功率開關(guān)更高的VDD兼容性

?兩個(gè)系列都具有TTL和CMOS輸入閾值

UCC27531,UCC27531-Q1

?可采用D和DBV包裝

?FET和IGBT單柵驅(qū)動(dòng)器

?2.5A和5A,35V比較大VDD 電源穩(wěn)壓IC,就選特克集團(tuán),專業(yè)專注!期待您的光臨!TPS51120RHBT穩(wěn)壓IC

穩(wěn)壓IC-電源發(fā)展趨勢(shì)

功率密度功率更大,布板空間更小。

TI的高功率密度器件產(chǎn)品系列的設(shè)計(jì)亮點(diǎn)在于采用了SWIFT?降壓穩(wěn)壓器系列,在緊湊的熱增強(qiáng)型封裝中提供高性能功能集和高輸出電流功能。高密度開關(guān)穩(wěn)壓器是為FPGA和處理器等高電流數(shù)字負(fù)載供電的理想選擇。使用我們的處理器連接工具,查找可優(yōu)化FPGA或處理器的合適產(chǎn)品。低EMI降低開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI可能是許多電源設(shè)計(jì)人員面臨的一項(xiàng)主要挑戰(zhàn)。采用內(nèi)置EMI消減技術(shù)的器件不僅能縮短設(shè)計(jì)時(shí)間,還有助于符合CISPR255類等嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。


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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸,針對(duì)高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管參考設(shè)計(jì)采用了隔離轉(zhuǎn)換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示,改進(jìn)后的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部一次和二次層之間插入了一個(gè)額外的輔助繞組層(如黑色所示),用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內(nèi)半初級(jí)到次級(jí)接口,并有助于產(chǎn)生抵消CM電壓,使外半初級(jí)層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流,使從外半初級(jí)層注入二次層的CM電流為零。凈效應(yīng)(流入二次層的CM電流接近于零)減少了CM發(fā)射,明顯幫助設(shè)計(jì)滿足EMI頻譜標(biāo)準(zhǔn),且CM濾波很好小。

圖8說明了時(shí)域和頻域中的這些參數(shù)。-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
在CISPR 25等標(biāo)準(zhǔn)中,通常會(huì)將fm設(shè)置在9 kHz左右,以優(yōu)化低頻段,但這恰好也在音頻范圍內(nèi)。為了解決這一問題,您可以進(jìn)一步以偽隨機(jī)方式調(diào)制三角調(diào)制,以傳播可聽能量,而不會(huì)對(duì)傳導(dǎo)和輻射EMI性能產(chǎn)生重大影響。下頁的圖9說明了時(shí)域和頻域中的這種調(diào)制模式,這是TPS55165-Q1(同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器)上的一個(gè)功能。
EMI不僅限于單個(gè)頻帶(因此也限于單個(gè)RBW),而是多個(gè)頻帶的事實(shí)帶來了困境,因?yàn)閿U(kuò)頻通常只能針對(duì)單個(gè)頻帶的改進(jìn)。解決這個(gè)問題的一種新方法是一種稱為雙隨機(jī)擴(kuò)頻(DRSS)的數(shù)字?jǐn)U頻技術(shù)。DRS背后的基本原理是疊加兩個(gè)調(diào)制剖面,每個(gè)調(diào)制剖面針對(duì)不同的RBW。有關(guān)更多信息,請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告“EMI抑制技術(shù),雙隨機(jī)擴(kuò)頻”
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TI穩(wěn)壓IC-減少高頻發(fā)射的創(chuàng)新
到目前為止,我們描述的EMI緩解技術(shù)通常會(huì)減少低頻發(fā)射(<30 MHz),相應(yīng)減少所需的無源濾波量以及相關(guān)的尺寸、體積和成本效益?,F(xiàn)在,讓我們看看設(shè)計(jì)用于緩解高頻發(fā)射(>30 MHz)的技術(shù)。
火棒? 包裹
減少高頻發(fā)射的主要方法之一是非常小化功率回路電感。TI的降壓轉(zhuǎn)換器,如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
從鍵合線封裝到基于引線框架的倒裝芯片(熱棒)封裝,有助于降低功率回路電感,進(jìn)而減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。
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穩(wěn)壓IC-帶導(dǎo)線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊,適用于需要高達(dá)42V輸入電壓的應(yīng)用。

?單個(gè)外露底部?

支持5-V、12-V和24-V導(dǎo)軌

?輸出電流高達(dá)10A

?輸出電流高達(dá)10A

穩(wěn)壓IC-微型IP?模塊解決方案總占地面積**小。

?帶集成蓋和電感器:如TPS826x系列(6MHz)和TPS82740

?*帶集成電感器:如TPS82084/85(6-V輸入)和TPS82130/40/50(17-V輸入)

?**功耗,如TPS82740,只有360nAIQ(運(yùn)行)

?LMZM23601比較高36-V輸入

TI的電源模塊包括實(shí)現(xiàn)DC/DC電源解決方案,可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少解決方案大小并縮短開發(fā)時(shí)間。產(chǎn)品的電壓高達(dá)60V,電流高達(dá)50A。

有關(guān)更多信息,請(qǐng)?jiān)L問Tech-trek官網(wǎng) TPS51120RHBT穩(wěn)壓IC

深圳市特克電子技術(shù)有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力,也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳3謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同深圳市特克電子供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)!