節(jié)能：使用低IQ穩(wěn)壓ICLDOTI的穩(wěn)壓IC
低IQLDO有助于在各種應(yīng)用程序中節(jié)省電源。通過將靜態(tài)電流消耗保持在比較低限度，這些LDO延長了電池壽命，管理了備用電源，并優(yōu)化了電池備份系統(tǒng)。清理電源：使用穩(wěn)壓IC低噪音LDO.TI的**噪聲LDO解決方案為**敏感的負載供電提供了一種簡單有效的方法。低噪聲LDO消除電壓紋波，提供清潔的直流電源，確保比較好信號完整性。
具有寬VIN和電流保護的魯棒LDO 穩(wěn)壓IC 增強了系統(tǒng)可靠性.
TI的寬輸入電壓LDO（高達100V）有助于管理自動化系統(tǒng)、電器和HVAC應(yīng)用的大瞬態(tài)電壓。寬VINLDO具有折疊電流、反向電流、熱穩(wěn)定性和對地短路保護等其他高性能功能，可保護任何系統(tǒng)免受損壞。
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低噪音和精度-TI穩(wěn)壓IC發(fā)展趨勢-2
增強電源和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性，監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號的能力至關(guān)重要。高精度系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術(shù)，以提高精度并將失真降至比較低。
?高級功能，如陶瓷封裝和電路板應(yīng)力管理技術(shù)
管理硅和電路板壓力。
系統(tǒng)噪音緩解
?技術(shù)進步，使系統(tǒng)級抗干擾性更好
具有高電源抑制比（PSRR）、低壓差調(diào)節(jié)器（LDO）和片上濾波的干擾和噪聲。
高PSRR可實現(xiàn)更好的濾波和更低的輸出噪聲。
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低靜態(tài)電流（IQ）-穩(wěn)壓IC趨勢知識
在不影響電池操作系統(tǒng)的系統(tǒng)性能的情況下延長電池和保質(zhì)期，在空載或輕載條件下實現(xiàn)高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時嚴格調(diào)節(jié)輸出。
憑借TI的**智商技術(shù)和產(chǎn)品組合，您可以比較大限度地延長電池運行時間，并在下一次設(shè)計中實現(xiàn)低功耗。
低待機功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓撲延長電池運行時間
快速響應(yīng)時間
?通過快速喚醒電路和自適應(yīng)偏置增強系統(tǒng)功能，以提高動態(tài)響應(yīng)時間，同時保持**靜態(tài)功耗
小外形尺寸
?應(yīng)用程序支持模具和封裝尺寸，無需通過TI的**電路技術(shù)，降低靜態(tài)功耗。
增強型熱棒? QFN公司
增強型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關(guān)節(jié)點電容的額外優(yōu)勢，從而大降低了振鈴。在具有增強型熱棒QFN的設(shè)備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導(dǎo)體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關(guān)節(jié)點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預(yù)期的那樣，這會產(chǎn)生更好的EMI，尤其是在交換機節(jié)點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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電力趨勢-穩(wěn)壓IC技術(shù)發(fā)展趨勢
我們一直在努力突破功耗的極限：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù)，為您的應(yīng)用提供比較好的設(shè)備。無論您需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是在高壓下保持安全，我們都致力于與您攜手合作，幫助解決您的電源管理難題。德州儀器：您進一步推動電力發(fā)展的合作伙伴。
1、功率密度
提高功率密度，在較小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，以降低系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能。
2、智商低
降低靜態(tài)電流以延長電池和保質(zhì)期，同時不影響系統(tǒng)性能。
3、低電磁干擾
將干擾降至比較低，以降低系統(tǒng)成本并快速滿足EMI標準。
4、低噪音、高精度
增強電源和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護和準確性。
5、隔離
通過高壓隔離柵傳輸信號和/或電源，以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性。
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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運行的buck變換器的EMI測量結(jié)果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉(zhuǎn)換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進一步好處。
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