TI的大型非**投資組合-穩(wěn)壓IC:
直流/直流負(fù)載點(diǎn)解決方案解決了規(guī)模、效率、性能或成本問(wèn)題約束條件。我們的解決方案范圍從分立器件到集成電源解決方案，集成電路封裝中包含磁性。由于工作電壓高達(dá)100V，TI的寬VIN產(chǎn)品組合消除了輸入保護(hù)組件，以降低成本和解決方案尺寸。降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器-集成MOSFET技術(shù)-穩(wěn)壓IC在過(guò)去幾年中達(dá)到了較高的密度，以在較小的封裝中提供更高的效率。
TI的DC/DC轉(zhuǎn)換器提供了許多高達(dá)30A的引人注目的解決方案。
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增強(qiáng)型熱棒? QFN公司
增強(qiáng)型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容的額外優(yōu)勢(shì)，從而大降低了振鈴。在具有增強(qiáng)型熱棒QFN的設(shè)備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導(dǎo)體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強(qiáng)型熱棒QFN，下頁(yè)圖18顯示了引腳和電路板布局。增強(qiáng)型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個(gè)大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過(guò)PCB更好地散熱，并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳上較低的RLC寄生也會(huì)提高效率并降低EMI。正如預(yù)期的那樣，這會(huì)產(chǎn)生更好的EMI，尤其是在交換機(jī)節(jié)點(diǎn)振鈴頻帶周?chē)?/span>
如下圖19所示。
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數(shù)據(jù)表SMPS設(shè)備評(píng)估模塊中公布的傳導(dǎo)和輻射EMI結(jié)果根據(jù)**嚴(yán)格的工業(yè)和汽車(chē)EMI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試，數(shù)據(jù)表中公布的結(jié)果有助于您提前了解設(shè)備的EMI性能。您可以通過(guò)單擊設(shè)備數(shù)據(jù)表第一頁(yè)上的“針對(duì)**EMI要求進(jìn)行了優(yōu)化”來(lái)訪問(wèn)詳細(xì)的EMI報(bào)告。LM62440-Q1數(shù)據(jù)表中的EMI報(bào)告包括CISPR 25 5級(jí)傳導(dǎo)和輻射設(shè)置的完整數(shù)據(jù)。
此外，TI可以在內(nèi)部執(zhí)行系統(tǒng)級(jí)EMI建模和測(cè)量，以幫助您驗(yàn)證EMI性能并加快循環(huán)時(shí)間。
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設(shè)計(jì)低 EMI 電源-穩(wěn)壓IC
探索這個(gè)綜合培訓(xùn)系列，了解更多關(guān)于 EMI 的基礎(chǔ)知識(shí)、有助于減少排放的各種技術(shù)等
隨著電子系統(tǒng)變得越來(lái)越密集和互連，減少電磁干擾 (EMI) 的影響正成為越來(lái)越重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。EMI 不再是事后的想法，因?yàn)樗锌赡茉谠O(shè)計(jì)階段后期造成重大挫折，耗費(fèi)時(shí)間和金錢(qián)。
TI 提供多種功能和技術(shù)來(lái)減輕所有相關(guān)頻段中的 EMI。我們的設(shè)備和技術(shù)不僅可以幫助設(shè)計(jì)人員改進(jìn)濾波器尺寸和成本，還可以減少設(shè)計(jì)時(shí)間和復(fù)雜性。
為了幫助您設(shè)計(jì)更高效的電源以滿足 EMI 要求，請(qǐng)從我們的綜合培訓(xùn)系列開(kāi)始，我們首先提供 EMI 的基礎(chǔ)知識(shí)，然后深入了解特定的 IC 和封裝創(chuàng)新、有關(guān)外部組件選擇和布局的設(shè)計(jì)技巧以及以特定應(yīng)用的 EMI 主題結(jié)束。
本培訓(xùn)系列的主題概述：
EMI 的基本原理
通過(guò) IC 和封裝創(chuàng)新降低 EMI
通過(guò)輸入濾波器設(shè)計(jì)、PCB 和 BOM 優(yōu)化降低 EMI
特定應(yīng)用的 EMI 注意事項(xiàng)
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穩(wěn)壓IC專題
由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會(huì)導(dǎo)致高頻開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。
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下頁(yè)的圖7顯示了切換節(jié)點(diǎn)上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過(guò)在開(kāi)關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)路徑中添加有意的電阻來(lái)降低它們的速度。這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開(kāi)關(guān)邊緣的減速會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。
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為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時(shí)、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來(lái)越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來(lái)越重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開(kāi)關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品，它來(lái)自各種物理現(xiàn)象，并在嚴(yán)格的電磁干擾測(cè)試中表現(xiàn)出來(lái)。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項(xiàng)充滿權(quán)衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換率，這是一種直接影響效率的技術(shù)。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的所有優(yōu)點(diǎn)，降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問(wèn)題。這需要針對(duì)低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案，以及精確的建模技術(shù)。
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深圳市特克電子技術(shù)有限公司致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量管理的追求。特克集團(tuán)作為電子元器件的企業(yè)之一，為客戶提供良好的集成電路，芯片，IC，二三極管。特克集團(tuán)始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。特克集團(tuán)始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng)，以敏銳的市場(chǎng)洞察力，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。