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室溫下晶體的吸收光譜是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光譜儀上測定的。測試范圍一般為190~2500nm，從190~350nm范圍，光源為氘燈（deuterium ...

共摻Tm3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級與Tm3的3F4能級相匹配，很容易實現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移，影響上能級粒子的聚集，降低激光效率...

YbYAG晶體生長及激光性能，激光二極管(laserdiode，LD)泵浦的固體激光器的出現(xiàn)(簡稱DPSSL)是激光器發(fā)展史上一個重要的里程碑，是對傳統(tǒng)的的氣體放電光源泵浦激光器的一場**.它把半導(dǎo)體的優(yōu)點同固體激光器的優(yōu)點結(jié)合起來，形成性能優(yōu)越的全固化激光器...

為了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶體中吸收躍遷特性以及其溫度依賴特性，我們測試了4at%Tm:YAP晶體b向樣品的變溫吸收譜。圖4-7為3H6→3H4躍遷對應(yīng)的變溫吸收譜。低溫下Tm3+吸收為尖銳譜線，隨溫度升高，吸收峰變寬，吸收強度減弱，這是由于溫度升高，...

與傳統(tǒng)閃光燈泵浦的固態(tài)激光器相比，LDPSSL具有以下優(yōu)點:(1)高轉(zhuǎn)換效率。泵浦燈為寬帶泵浦，燈的輻射光譜只有一小部分被晶體吸收轉(zhuǎn)化為激光能量，轉(zhuǎn)化效率只有3 ~ 6%；半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長與固態(tài)激光器工作物質(zhì)的吸收峰重合，有效避免了不必要的損耗，光-光轉(zhuǎn)...

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長...

Ce: YAG 閃爍晶體的生長參數(shù)：根據(jù)Ir坩堝的尺寸以及熱場條件，通過觀察YAP熔體對流狀態(tài)，本論文選擇晶體轉(zhuǎn)速為10-20RPM；考慮到Ce離子在YAP晶體中的分凝系數(shù)較大（約為0.5）和晶體的尺寸（Φ55mm），實驗中選用了1-2mm/h的提拉速度。生長...

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售，主要采用直拉法和下降法生長。ce:yap的1.5.1.2晶體結(jié)構(gòu)、生長、能級和光譜性質(zhì)，Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2...

與YbYAG晶體相關(guān)的一些知識的介紹，感興趣的就一起來看看吧，用于固體激光系統(tǒng)的YbYAG激光晶體，采用中頻感應(yīng)加熱提拉法生長，生長氣氛為中性(N_2)，生長速度：1.0-2.0mm/h，轉(zhuǎn)速：10-30r/min，經(jīng)過退火后得到了無色透明的激光晶體。研究了Y...

YbYAG晶體主要特點：簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷?？筛鶕?jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應(yīng)用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性：吸收峰波長9...

摻Tm3鎢酸鹽晶體是近年來研究較多的一種激光晶體。常見的有Tm:KY(WO4)2(Tm:KYW)、Tm:KGd(WO4)2(Tm:KGdW)、Tm:KLu(WO4)2(Tm:KLuW)等。KReW屬于單斜雙軸晶體，其作為激光基質(zhì)的優(yōu)點是：離子間距大，易于實現(xiàn)高...

到目前為止，2m激光器經(jīng)歷了近50年的發(fā)展，已經(jīng)普遍應(yīng)用于科學研究、醫(yī)療等領(lǐng)域。綜上所述，目前2m激光主要通過以下方式實現(xiàn)：摻Tm3固態(tài)激光器。摻Tm3固體激光器是2m波段**重要的固體激光器。Tm3離子在790nm附近的吸收與商用二極管的吸收匹配良好，2m波...

大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍光LED芯片功率的不斷上升，散熱和光衰減等問題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來。為探索大功率LED特種照明，基于陣列藍光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體，采用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)裝置，在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃...

Tm:YAP晶體能級結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結(jié)構(gòu)。綜上所述，摻Tm3 /Ho3的LD泵(包括單摻Tm3和Ho3；雙摻雜Tm3和Ho3)晶體具有結(jié)構(gòu)緊湊、光束質(zhì)量好、能滿足雷達發(fā)射源線寬度和脈沖寬度等傅里葉變化極限要求...

兩項一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會損失能量。這是文學中常見的表達。但是，能量實際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競爭的過程引起的：點缺陷的形成、聲子，的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長期磷...

Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體,Tm:YAG晶體具有2微米波長銩激光源的理想銩晶體棒介質(zhì)。Tm:YAG晶體的H4和F4能級的自淬滅機制可在上能級產(chǎn)生雙光子激發(fā)，這就潛在地使得激光獲得了高量子效率的有效途徑。Tm:YAG晶體因為其工作波長為2013nm...

目前國內(nèi)生長的Ce: YAP晶體仍存在出光率低的問題，其機理應(yīng)該與自吸收有關(guān)，但尚未得到有效解決。為了比較不同退火條件下退火對自吸收的影響，我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍...

通過測量不同溫度下YbYAG晶體的吸收光譜和低溫光譜發(fā)現(xiàn)，即使在低溫下，YbYAG晶體也具有非常豐富的吸收帶和發(fā)射帶，這主要是由于Yb的4f電子所受屏蔽較少，易于與周圍晶格產(chǎn)生較強的相互作用，并且YAG基質(zhì)有非常豐富的聲子振動峰，當兩個Strak能級的間隔與晶...

在不斷優(yōu)化設(shè)備激光加熱系統(tǒng)，調(diào)整生長參數(shù)的基礎(chǔ)上，成功制備出直徑約0.2 mm長710 mm YbYAG單晶光纖，LHPG單晶光纖生長爐設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長徑比＞3000，且直徑波動在±5%以內(nèi)，是迄今為止在國內(nèi)外見諸報道的同類單晶光纖中...

白光LED用新型YAG單晶熒光材料的制備和光譜性能研究，采用提拉法生長Eu，CeYAG晶體及Gd，CeYAG晶體，并通過吸收光譜，激發(fā)，發(fā)射光譜及電光性能等對晶體材料的光譜特性進行表征.結(jié)果表明，Eu或Gd共摻雜的CeYAG單晶熒光材料均可以被波長460nm左...

激子和類激子熒光機制。這種機制主要依賴于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產(chǎn)生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結(jié)合的無機閃爍晶體中，通?？梢垣@得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激...

Tm:YAP晶體能級結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結(jié)構(gòu)。如圖4-17，由吸收譜和發(fā)射譜交疊，可確定3F4能級零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個stark能級，再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級，在這...

文獻已經(jīng)系統(tǒng)地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為2...

高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無機閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉(zhuǎn)換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報道了閃爍材料閃爍...

Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長了Ce:YAP閃爍晶...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻...

CeYAG閃爍晶體還具有較好的光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能發(fā)射與硅光二極管有效耦合的550nm 熒光，以及具有YAG基質(zhì)優(yōu)良的物理化學等特征。因此，CeYAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以應(yīng)用于帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外，CeYAG單晶片還...

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜，是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波...

無機閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過程中，會發(fā)生一系列微觀過程，如一級和二級電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對的俘獲、電子-空穴對與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)移等。當經(jīng)歷電離事件時，閃爍體處于...