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Tm:YAP晶體能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算結(jié)果如何？由于Tm:YAP的各向異性，對(duì)3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面，我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進(jìn)行了計(jì)算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長(zhǎng)，I(λ)為熒光光譜上某一波長(zhǎng)λ處的熒光強(qiáng)度，n為折射率，τr...

YbYAG晶體的可見(jiàn)熒光及其機(jī)理研究，在半導(dǎo)體InGaAs激光激發(fā)YbYAG晶體的熒光中，有一組位于460~494 nm的可見(jiàn)熒光，分析了這些可見(jiàn)熒光產(chǎn)生的原因，指出它不同于紅外熒光的發(fā)光機(jī)理，是一種離子對(duì)的合作吸收和發(fā)射.兩個(gè)離子耦合成的離子對(duì)產(chǎn)生的可見(jiàn)熒光...

作為自由離子，Ce3的4f和5d能級(jí)差為6.134 eV (202nm/49340cm-1) [14]。在晶體場(chǎng)的作用下，4f和5d之間的能級(jí)距離普遍減小。晶體場(chǎng)力越大，能級(jí)間距越小。從前面的討論可以看出，4f能級(jí)在內(nèi)層被屏蔽，基本不受晶場(chǎng)影響。5d態(tài)被晶體...

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無(wú)機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無(wú)機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻...

和小編來(lái)看看閃爍晶體的知識(shí)，閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動(dòng)能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來(lái)的，種類(lèi)也很多，從化學(xué)成分來(lái)講有氧化物、鹵化物（包括碘化物、氟化物）等。閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他...

激光自50年前誕生以來(lái)，已在臨床醫(yī)學(xué)診斷及醫(yī)治中得到普遍的應(yīng)用，1965年，他們分別用鎢燈和氙燈泵浦實(shí)現(xiàn)了Cr3/Er3 敏化的Tm:YAG、Ho:YAG脈沖和連續(xù)激光輸出。目前不僅成為醫(yī)治疾病的一種先進(jìn)手段，而且也發(fā)展成為一門(mén)重要的醫(yī)學(xué)分支。實(shí)際上，幾乎每一...

為了研究過(guò)渡金屬可能對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長(zhǎng)了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進(jìn)行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對(duì)YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入...

YbYAG晶體的生長(zhǎng)裝置：晶體提拉法的裝置由以下部分組成：加熱系統(tǒng)：加熱系統(tǒng)由加熱、保溫、控溫三部分構(gòu)成。較常用的加熱裝置分為電阻加熱和高頻線圈加熱兩大類(lèi)。本次操作所采用的高頻線圈加熱，依靠的是高頻強(qiáng)電流流向環(huán)狀線圈，產(chǎn)生的強(qiáng)磁束會(huì)貫通銥金坩堝，坩堝內(nèi)產(chǎn)生相對(duì)...

電子-空穴對(duì)的數(shù)量直接決定了無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。假設(shè)產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴對(duì)所需的平均能量為eh，光子的能量E全部被閃爍晶體吸收，那么無(wú)機(jī)閃爍晶體形成的電子-空穴對(duì)的數(shù)目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍...

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)...

在半導(dǎo)體靶材領(lǐng)域，也有稀土相關(guān)身影出現(xiàn)，雖然絕大多數(shù)半導(dǎo)體芯片的濺射靶材都是采用的銅、鋁等傳統(tǒng)金屬，但仍有相當(dāng)一部分采用的是鉭靶、鉬靶等為主。比如鉬和氧化銦常被用做平板顯示靶材，鉭被用做芯片的靶材，鎢被用作存儲(chǔ)器芯片的靶材。稀土的另一大用途則是在激光方面，甚至...

對(duì)于中頻感應(yīng)加熱提拉法(Czochralski Method)生長(zhǎng)的高摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計(jì)法測(cè)量了晶體的比熱容，通過(guò)激光脈沖法測(cè)量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.05～0.30YbYAG晶體的熱擴(kuò)散率和熱導(dǎo)率。...

據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前，我國(guó)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值已占電子信息行業(yè)的五分之一，是我國(guó)電子信息行業(yè)發(fā)展的根本。汽車(chē)電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動(dòng)通信、智慧家庭、5G、消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域成為中國(guó)電子元器件市場(chǎng)發(fā)展的源源不斷的動(dòng)力，帶動(dòng)了電子元器件的市場(chǎng)需求，也加快電子元器件更...

YbYAG/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)微片激光晶體是薄片激光器領(lǐng)域內(nèi)非常優(yōu)良的激光材料。本項(xiàng)目采用自制的高性能YAG納米粉，研究完全由透明陶瓷構(gòu)成的YbYAG/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)微片的制備技術(shù)，用以取代價(jià)格昂貴的單晶微片，可以極大提高生產(chǎn)效率，降低造價(jià)，并提高激光輸出功率，給...

Tm:YAP吸收系數(shù)與濃度變化成正比?X射線粉末不衍射，本研究采用x光粉末衍射儀分析晶體相和晶胞參數(shù)。X射線粉末衍射儀一般由X射線發(fā)生器、衍射儀測(cè)角臺(tái)和探測(cè)器組成。在傳統(tǒng)的x光衍射過(guò)程中，安裝在測(cè)角儀上的樣品通常旋轉(zhuǎn)一個(gè)角度，探測(cè)器旋轉(zhuǎn)兩個(gè)角度。-2掃描主要用...

哪里可以買(mǎi)到CeYAP晶體？需要說(shuō)明的是：(1)透鏡的作用是便于調(diào)節(jié)，使得激光光斑和閃爍體尺寸相適應(yīng)，激光能夠比較均勻地輻照到晶體上；(2)要避免激光透過(guò)晶體直接打到光電管光陰極上，以防止損傷光電管和記錄示波器；(3)為了避免激光經(jīng)閃爍體散射而打到光電管光陰極...

YbYAG晶體的優(yōu)勢(shì)：1、光學(xué)品質(zhì)優(yōu)良。2、斜率效率高。3、激光上能級(jí)無(wú)激發(fā)態(tài)自吸收和上轉(zhuǎn)換。4、吸收線寬。5、熱導(dǎo)性能和機(jī)械性能好。6、能方便的用InGaAs二極管泵浦。YbYAG是一種在釔鋁石榴石晶體中摻有三價(jià)離子的激光晶體，可發(fā)射1030 nm近紅外激光...

近年來(lái)，出現(xiàn)了一些新的快速閃爍材料，如Zn0基閃爍體、摻鐠氧化物晶體[2，3]、Yb: YAG等。Zn0和Yb: YAG的衰減時(shí)間小于1ns，但出光率低，Zn0晶體的生長(zhǎng)非常困難。由于Pr3中d-f躍遷發(fā)光的存在，其氧化物晶體的衰變時(shí)間比摻鈰氧化物晶體快。比如...

在產(chǎn)業(yè)鏈上游，尤其是激光晶體，閃爍晶體，光學(xué)晶體，光學(xué)元件及生產(chǎn)加工和器件等重點(diǎn)環(huán)節(jié)，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外。隨著我們過(guò)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，脫貧致富，實(shí)現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國(guó)的電子企業(yè)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的...

對(duì)于摻Ce3的無(wú)機(jī)閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機(jī)制一般認(rèn)為如下[16，17]:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對(duì)。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個(gè)空穴形成Ce4離子。然后...

電子、空穴和激子的相互作用將導(dǎo)致局域化。許多離子晶體表現(xiàn)出一種有趣的現(xiàn)象，即價(jià)帶空穴位于正常晶格中，這種現(xiàn)象被稱(chēng)為自陷。在熱化過(guò)程中，空穴達(dá)到價(jià)帶的頂部，并被限制在特定的陰離子中。對(duì)于堿金屬鹵化物晶體，這意味著一個(gè)鹵化物離子轉(zhuǎn)變成一個(gè)原子：X- X0。該鹵原...

YbYAG晶體的熱學(xué)性質(zhì)及其對(duì)激光性能的影響，對(duì)于中頻感應(yīng)加熱提拉法(Czochralski Method)生長(zhǎng)的高摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計(jì)法測(cè)量了晶體的比熱容，通過(guò)激光脈沖法測(cè)量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.0...

對(duì)YbYAG晶體感興趣的可以來(lái)看看下文的一些相關(guān)知識(shí)的介紹，激光二極管抽運(yùn)低溫YbYAG再生放大器，對(duì)YbYAG晶體熒光譜線的分析，討論了其低溫條件下的增益特性.利用激光二極管作為抽運(yùn)源，采用背向端面抽運(yùn)方式，使用摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為8%的片狀YbYAG晶體，搭建...

對(duì)于中頻感應(yīng)加熱提拉法(Czochralski Method)生長(zhǎng)的高摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計(jì)法測(cè)量了晶體的比熱容，通過(guò)激光脈沖法測(cè)量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.05～0.30YbYAG晶體的熱擴(kuò)散率和熱導(dǎo)率。...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱(chēng)性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍...

大功率LED照明的需求越來(lái)越大，但隨著藍(lán)光LED芯片功率的不斷上升，散熱和光衰減等問(wèn)題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來(lái)。為探索大功率LED特種照明，基于陣列藍(lán)光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體，采用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)裝置，在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃...

鈰離子摻雜高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測(cè)領(lǐng)域中尚需時(shí)日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對(duì)閃爍性能影響較大，同時(shí)激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作...

Ce:YAP晶體生長(zhǎng)原料需要哪些？無(wú)機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過(guò)程中，會(huì)發(fā)生一系列微觀過(guò)程，如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)...

與YbYAG晶體相關(guān)的一些知識(shí)的介紹，感興趣的就一起來(lái)看看吧，用于固體激光系統(tǒng)的YbYAG激光晶體，采用中頻感應(yīng)加熱提拉法生長(zhǎng)，生長(zhǎng)氣氛為中性(N_2)，生長(zhǎng)速度：1.0-2.0mm/h，轉(zhuǎn)速：10-30r/min，經(jīng)過(guò)退火后得到了無(wú)色透明的激光晶體。研究了Y...