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CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下CeYAG晶體不產(chǎn)生損傷，適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測(cè)。在5KV之內(nèi)以及超過(guò)100KV的更高加速電壓下，CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)，在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開(kāi)始下降，而CeYAG晶體的相應(yīng)仍然保持線(xiàn)性增加。盡管CeYAG晶體的信號(hào)比P47弱，但是信噪比高，終端信號(hào)更好。CeYAG晶體的衰減時(shí)間為60ns。使用中為了避免光敏感，通常需要鍍50nm的鋁膜。CeYAG晶體，提拉法和溫梯法生長(zhǎng)，直徑110mm，厚度0.15...

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問(wèn)題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問(wèn)題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對(duì)撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來(lái)測(cè)量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針?lè)Q為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國(guó)斯坦福線(xiàn)性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來(lái)世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無(wú)機(jī)閃爍晶體[27][28]。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測(cè)...

CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能，制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷，并對(duì)激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進(jìn)行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下，Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高，為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高，為62，色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達(dá)10.8W·mm-2的激光激發(fā)下，CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達(dá)到飽和，對(duì)應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在高功率密度激光激發(fā)下，陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白...

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？可來(lái)看看下文的一些介紹，閃爍晶體在工業(yè)探傷領(lǐng)域，人們利用閃爍晶體探測(cè)X射線(xiàn)，在工業(yè)CT上獲取工件內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)和分布，避免工件失效和改善工件品質(zhì)；在醫(yī)院，人們采用閃爍晶體探測(cè)注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線(xiàn)，在PET/CT上獲取人體的功能、代謝和受體顯像，診斷病癥和研發(fā)新藥。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，多種閃爍晶體材料得以成功研制并作為產(chǎn)品大批量走向國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭eYAG晶體還用作陰極射線(xiàn)管的熒光體。重慶進(jìn)口CeYAG晶體價(jià)格隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問(wèn)題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)...

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線(xiàn)能量后發(fā)出的可見(jiàn)/紫外光子數(shù)。即閃爍過(guò)程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線(xiàn)或粒子損失的能量之比。除了熔點(diǎn)溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點(diǎn)是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數(shù)較?。▇ 0.1）造...

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無(wú)機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無(wú)機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質(zhì)的相互作用機(jī)制和輻射的阻擋能力。在X射線(xiàn)或低能射線(xiàn)探測(cè)領(lǐng)域，為了增加射線(xiàn)的光電效應(yīng)截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數(shù)Zeff，而在高能射線(xiàn)應(yīng)用領(lǐng)域，則需要有較高的密度來(lái)提高晶體的截止能量。Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？廣西進(jìn)口CeYAG晶體現(xiàn)貨鈰離子摻雜高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要...

閃爍晶體可用于x射線(xiàn)、γ射線(xiàn)、中子及其他高能粒子的探測(cè)，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測(cè)和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無(wú)損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體到底是什么？可能很多人都沒(méi)聽(tīng)過(guò)這個(gè)詞，但其實(shí)，在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會(huì)表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料，是將高能轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料，可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)，通常在應(yīng)用中將其加工成晶體，稱(chēng)為閃爍晶體。以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管。廣西進(jìn)口CeYAG晶體直供激子和類(lèi)激子熒光機(jī)制。這種機(jī)制主要依賴(lài)于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子...

與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區(qū)間內(nèi)，晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對(duì)溫度依賴(lài)小的特性可以使其在高溫環(huán)境下使用。 研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴(lài)關(guān)系。YAG晶體的礦物學(xué)名稱(chēng)為釔鋁石榴石，分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線(xiàn)α粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。Ce：YAG晶體光產(chǎn)額是多少？青海進(jìn)口CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)...

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測(cè)元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測(cè)器的整機(jī)性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴(lài)關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當(dāng)濃度繼續(xù)增加到1.08%時(shí)，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長(zhǎng)的Ce: YAG 晶體在高能射線(xiàn)和中子探測(cè)方面具有較大的應(yīng)用價(jià)值。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高...

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問(wèn)題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問(wèn)題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對(duì)撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來(lái)測(cè)量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針?lè)Q為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國(guó)斯坦福線(xiàn)性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來(lái)世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無(wú)機(jī)閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來(lái)設(shè)計(jì)的晶體量熱儀中使用的無(wú)機(jī)閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電...

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜、色坐標(biāo)、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結(jié)果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過(guò)對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整。在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6 mm時(shí)，可獲得較純的白發(fā)射光，并且其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響。研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。深剖Ce；YAG晶體，...

在顯示正常或異常功能方面，PET具有其他成像方法無(wú)法替代的優(yōu)勢(shì)。在發(fā)達(dá)國(guó)家，正電子發(fā)射斷層掃描已經(jīng)成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如，自1998年以來(lái)，美國(guó)食品和藥物管理局(FDA)和衛(wèi)生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發(fā)射斷層掃描成像診斷付費(fèi)，包括心臟、大腦、心肌、中瘤、腫溜證、阿爾茨海默病等的診斷，使正電子發(fā)射斷層掃描技術(shù)成為人類(lèi)主要疾病臨床診斷的重要方法？ 哪里可以定制Ce：YAG？通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開(kāi)始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí)) 。CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料。福建雙折射CeY...

CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線(xiàn)輻照研究，利用伽瑪射線(xiàn)研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷，比較了采用提拉法和溫梯法生長(zhǎng)的Ce3+Y0Al5O12晶體中產(chǎn)生的不同色心缺陷，并利用吸收光譜，激發(fā)發(fā)射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因，指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進(jìn)一步分析了YAG晶體的輻照，證實(shí)了370nm色心的來(lái)源，表明370nm吸收帶與F-類(lèi)色心相關(guān)。一直到1992年，Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著，Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對(duì)Ce:YAG晶體的閃爍...

CeYAG晶體的一些相關(guān)知識(shí)你知道多少呢？和小編一起來(lái)看看吧，采用真空坩堝下降法生長(zhǎng)了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長(zhǎng)方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對(duì)色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長(zhǎng)的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍(lán)光LED的發(fā)射波長(zhǎng)相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅(qū)動(dòng)電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對(duì)色溫幾乎不變。在100mA時(shí)，白光LED顯色指數(shù)達(dá)到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？高光輸出快速衰減無(wú)機(jī)閃爍晶體的興起。CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖...

根據(jù)經(jīng)典熒光理論，參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計(jì)算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數(shù)，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數(shù)，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結(jié)構(gòu)、能量傳輸效率和溫度有關(guān)。當(dāng)帶隙變?yōu)榱銜r(shí)，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當(dāng)Eg小于2eV時(shí)，無(wú)輻射躍遷的概率會(huì)增大，從而Q變小，光輸出變小。結(jié)果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。云南人工CeYAG晶體規(guī)格鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化...

閃爍晶體有其他的說(shuō)法，你知道嗎？不知道的話(huà)就和小編一起來(lái)看看吧，閃爍晶體又稱(chēng)熒光晶體。由放射線(xiàn)激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。當(dāng)其受到X射線(xiàn)、γ射線(xiàn)或其他荷電粒子輻照時(shí)，其中的價(jià)電子就會(huì)因受到激發(fā)而進(jìn)入激發(fā)態(tài)，即由價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)帶。當(dāng)電子由導(dǎo)帶自發(fā)躍遷返回價(jià)帶時(shí)，多余的能量即以熒光形式發(fā)射出來(lái)，從而產(chǎn)生熒光。由無(wú)機(jī)物質(zhì)用提拉法或坩堝下降法生長(zhǎng)制成。國(guó)際上發(fā)現(xiàn)、研究和開(kāi)發(fā)了為數(shù)較多的閃爍晶體。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。江西品質(zhì)CeYAG晶體規(guī)格隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的缺點(diǎn)日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無(wú)機(jī)閃...

你對(duì)CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來(lái)看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線(xiàn)探測(cè)成像應(yīng)用外，在高能物理與核物理實(shí)驗(yàn)、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對(duì) 稱(chēng)性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復(fù)雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點(diǎn)，限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)均勻性，無(wú)雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過(guò)程中芯棒與套管之間存在擴(kuò)散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利...

白光LED用CeYAG單晶光學(xué)性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長(zhǎng)了白光LED用CeYAG單晶，通過(guò)吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對(duì)其光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對(duì)其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長(zhǎng)的藍(lán)光有效激發(fā)，產(chǎn)生500~700 nm范圍內(nèi)的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對(duì)應(yīng)于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個(gè)吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級(jí)能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導(dǎo)致了發(fā)光強(qiáng)度的降低，可降低幅...

閃爍晶體是在高能射線(xiàn)的前提下形成的，當(dāng)高能射線(xiàn)或其它放射離子穿過(guò)一些晶體時(shí)，由于高能射線(xiàn)和放射離子的影響會(huì)讓晶體發(fā)出亮光，這樣的晶體就是我們所說(shuō)的閃爍晶體。并不是所有的物質(zhì)都能作為閃爍晶體，現(xiàn)階段能夠成為閃爍晶體的主要有鹵化物、硅酸鹽等幾種分子。閃爍晶體一般都是用于各種射線(xiàn)、中子及高能粒子的檢測(cè)，但經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，閃爍晶體現(xiàn)在已經(jīng)較多的應(yīng)用于醫(yī)學(xué)檢測(cè)、物理學(xué)、安全檢查、地址勘探等各個(gè)方面。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)溫度約為1970，生長(zhǎng)周期約為15天。安徽新型CeYAG晶體無(wú)機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對(duì)的產(chǎn)生，該過(guò)程可由以下公式(1....

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無(wú)機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無(wú)機(jī)閃爍晶體。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法制備。上海生長(zhǎng)CeYA...

一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900～2000℃，坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10～50℃/cm，坩堝下降速率為0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩堝直徑為30～120mm，高度為50～200mm。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單，成本低，生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。CeYAG...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來(lái), Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問(wèn)題及其發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)開(kāi)展了提拉法與溫梯法生長(zhǎng)Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG晶體還用作陰極射線(xiàn)管的熒光體。山西新型CeYAG晶體批發(fā)廠(chǎng)家我們采用溫梯法生長(zhǎng)了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O...

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開(kāi)始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí))，晶體生長(zhǎng)的適宜溫度場(chǎng)主要通過(guò)選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對(duì)位置來(lái)獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)溫度約為1970，生長(zhǎng)周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時(shí)晶體下部邊緣開(kāi)裂。整個(gè)晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無(wú)損從宏觀上看，直拉法可...

我們采用溫梯法生長(zhǎng)了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長(zhǎng)方向 ，高純 Ar 氣氛，具體生長(zhǎng)方法見(jiàn)第二章所述。如圖 5-1，生長(zhǎng)的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長(zhǎng)出來(lái)的晶體經(jīng)過(guò)高溫空氣退火 24 小時(shí)后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見(jiàn)在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無(wú)法消除說(shuō)明退火不充分，經(jīng)再...

什么是閃爍晶體？關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多？和小編來(lái)看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車(chē)矬w發(fā)出或反射的可見(jiàn)光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見(jiàn)的高能射線(xiàn)或粒子，甚至普通的傳感器也無(wú)法直接探測(cè)到，人們必須借助一類(lèi)被稱(chēng)為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間，其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線(xiàn)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG晶體，屬于無(wú)機(jī)閃爍體。河北大尺寸CeYAG晶體元件Ce:YAG無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體已經(jīng)不能滿(mǎn)足閃爍...

從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長(zhǎng)的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數(shù)很小(~ 0.1)，在提拉法生長(zhǎng)后期往往會(huì)發(fā)生成分過(guò)冷，嚴(yán)重影響Ce:YAG晶體的質(zhì)量。為了克服提拉法生長(zhǎng)的大尺寸、高質(zhì)量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點(diǎn)，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長(zhǎng)了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價(jià)格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)...

和小編來(lái)看看CeYAG晶體的知識(shí)的一些相關(guān)介紹，CeYAG晶體具有優(yōu)異的光學(xué)性能。CeYAG晶體是非常適合做白光LED的材料，但是還存在著缺失紅光成分等缺點(diǎn).本論文提出通過(guò)提拉法生長(zhǎng)出高質(zhì)量無(wú)缺陷的CeYAG晶體和MnYAG晶體，選取了合理的摻雜濃度，研究了其光電性能.后又通過(guò)Ce3+共摻Mn3+，Tb3+等方法，來(lái)改變單晶熒光材料的光電色性能。CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的方式可以應(yīng)用于大功率LED照明。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG晶體，屬于無(wú)機(jī)閃爍體。浙江新型CeYAG晶體現(xiàn)貨直供電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無(wú)機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無(wú)機(jī)閃爍晶體山東專(zhuān)業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長(zhǎng)了直徑為 110mm 的大尺寸 C...

物質(zhì)的有效原子序數(shù)可由公式計(jì)算：式中，Wi為構(gòu)成晶體的原子I的重量百分比，Zi為構(gòu)成晶體的原子I的有效原子數(shù)。從公式中可以看出，大的有效原子序數(shù)往往與重密度不一致。此外，在許多場(chǎng)合下，經(jīng)常使用吸收系數(shù)()、輻射長(zhǎng)度(X0)和摩爾半徑(RM)來(lái)代替晶體的有效原子序數(shù)或密度來(lái)表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能。這些性能參數(shù)與晶體的密度()和有效原子序數(shù)(z)之間的關(guān)系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面，a是原子量)當(dāng)I (t)=i0/e時(shí)，t=就是所謂的光衰減常數(shù)。CeYAG閃爍晶體熱力學(xué)性能穩(wěn)定。湖南大尺寸CeYAG晶體廠(chǎng)家目前，C...

Ce：YAG晶體光產(chǎn)額是多少？Ce:YAG晶體，屬于無(wú)機(jī)閃爍體。無(wú)機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無(wú)機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用；此外，無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展，為改進(jìn)現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無(wú)機(jī)閃爍晶體提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。電子-空穴對(duì)的數(shù)量直接決定了無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。江蘇新型CeYAG晶體品牌通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開(kāi)始增加，并達(dá)到比...