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通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動力學(xué)處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無損經(jīng)過半個多世紀的發(fā)展...

Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減（80ns）以及在530nm發(fā)射熒光，發(fā)光波長與硅光電二極管的探測靈敏區(qū)匹配，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優(yōu)勢也備受人們的關(guān)注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。浙江白光LED用CeYAG晶體批發(fā)報價鈰離子摻雜氧化物...

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點是其發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。閃爍晶體是在高能射線的前提...

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外，Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。CeYAG閃爍晶體是一種...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優(yōu)勢也備受人們的關(guān)注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖。甘肅白光LED用CeYAG晶體直供利用提拉法生長出的品質(zhì)高的CeYAG閃爍晶...

Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減（80ns）以及在530nm發(fā)射熒光，發(fā)光波長與硅光電二極管的探測靈敏區(qū)匹配，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。無機閃爍晶體(Ce:YAG)的...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質(zhì)的相互作用機制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測領(lǐng)域，為了增加射線的光電效應(yīng)截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數(shù)Zeff，而在高能射線應(yīng)用領(lǐng)域，則需要有較高的密度來提高晶體的截止能量。閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料。遼寧品質(zhì)CeYAG晶體生產(chǎn)無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產(chǎn)生，該過程可由以下公式(...

和小編來看看閃爍晶體的知識，閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的，種類也很多，從化學(xué)成分來講有氧化物、鹵化物（包括碘化物、氟化物）等。閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。陜西CeYAG晶體定制鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性...

Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減（80ns）以及在530nm發(fā)射熒光，發(fā)光波長與硅光電二極管的探測靈敏區(qū)匹配，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)...

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？CeYAG晶體可以用于核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)以及核測量學(xué)等領(lǐng)域中？在大多數(shù)無機閃爍晶體中，經(jīng)常顯示兩個或更多的光衰減時間常數(shù)，它們分別對應(yīng)于快成分和慢成分。BaF2晶體是目前所有無機閃爍晶體中光衰減常數(shù)0快(約0.8ns)的閃爍材料。此外，BaF2還具有約600毫微秒的慢分量。在許多閃爍計數(shù)應(yīng)用中，不只無機閃爍晶體的光衰減性能特別重要，其光輸出性能也同樣重要。因此，品質(zhì)因數(shù)(M)通常用于表征無機閃爍晶體的性能，M指光輸出與光衰減的比率。以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管。湖南人工CeYAG晶體好不好高溫閃爍晶...

CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能，制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分數(shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷，并對激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下，Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高，為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高，為62，色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達10.8W·mm-2的激光激發(fā)下，CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達到飽和，對應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實驗結(jié)果表明，在高功率密度激光激發(fā)下，陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白...

電子-空穴對的數(shù)量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。假設(shè)產(chǎn)生一對電子-空穴對所需的平均能量為eh，光子的能量E全部被閃爍晶體吸收，那么無機閃爍晶體形成的電子-空穴對的數(shù)目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 C...

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。 提拉法生長Ce:YAG晶體。鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管...

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？下文就居一些簡單的例子，感興趣的一起來看看吧，在醫(yī)院，利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT機上獲取人體的功能和代謝顯像，代謝率高的組織或病變呈亮信號，代謝率低的呈暗信號，通過圖像醫(yī)生可以快速診斷出人體各部位的病變、相關(guān)組織的大小和位置，用于病癥早期診斷和醫(yī)治。在油田，利用閃爍晶體獲得地層放射性物質(zhì)含量和種類分布等數(shù)據(jù)，從而判斷地層油氣含量和位置。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。重慶國產(chǎn)CeYAG晶體出廠價我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 A...

鈰離子摻雜高溫?zé)o機閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測領(lǐng)域中尚需時日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對閃爍性能影響較大，同時激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機制也比較復(fù)雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點使得大尺寸高質(zhì)量閃爍晶體的生長較為困難。鈰離子摻雜無機閃爍晶體的研究現(xiàn)狀，由于鈰離子摻雜的無機閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點，因此從20世紀80年代末和90年代初開始。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間。福建雙摻CeYAG晶體...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動，發(fā)射波長為...

大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍光LED芯片功率的不斷上升，散熱和光衰減等問題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來。為探索大功率LED特種照明，基于陣列藍光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體，采用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)裝置，在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃度(物質(zhì)的量濃度)晶棒對于藍光的吸收、大功率LED激發(fā)不同Ce離子摻雜濃度晶棒的出光效果、晶棒端面處理情況對于出光的影響等。結(jié)果表明，利用氮化鋁制成的基板滿足大功率LED的散熱需求，摻雜濃度為0.8%的晶棒出光光通量更高，對晶棒端面進行處理可大幅提升出光光通量。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。湖北國產(chǎn)CeYAG晶體作用在Ce:YAG...

閃爍晶體作為一種輻射探測材料在許多領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。雖然閃爍晶體發(fā)現(xiàn)至今已有一個多世紀，但隨著探測器技術(shù)的進步，以及材料合成方法的極大改進和擴展，對閃爍晶體的研究仍然十分活躍。隨著傳統(tǒng)閃爍晶體的性能達到極限，以及核醫(yī)學(xué)和國土安全等領(lǐng)域的需求日益增長，對新型閃爍晶體的探索成為近些年研究的一個重要課題。在探測和利用核輻射的科學(xué)研究和高技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域中，閃爍晶體起著十分重要的作用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。在行李安檢、集裝箱檢查、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。江蘇CeYAG晶體現(xiàn)貨直供CeYAG晶體，屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫...

Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce:YAG晶體，屬于無機閃爍晶體的一種。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。由無機閃爍晶體、光電倍增管或硅光電二極管以及后續(xù)的電子器件組成的閃爍探測器，可以將肉眼不可見的微觀射線或粒子轉(zhuǎn)化為可顯示的信號或圖像，供人們分析處理。所以閃爍探測器充當(dāng)了人們認識微觀世界的“眼睛”。一百多年前，康拉德倫琴(Conrad Reentgen)使用CaWO4作為X射線熒光屏，這是頭1個使用無機閃爍材料的例子。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線...

閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體到底是什么？可能很多人都沒聽過這個詞，但其實，在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料，是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料，可用于輻射探測和安全防護，通常在應(yīng)用中將其加工成晶體，稱為閃爍晶體。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。北京進口CeYAG晶體供應(yīng)無機閃爍晶體的主要應(yīng)用，與塑料聚合物、液體、液晶和熒光粉等普通閃爍材料相比，無機閃爍晶體具有...

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機閃爍晶體的缺點日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場價值。20世紀80年代末和90年代初，國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來自十幾個國家的材料科學(xué)家、固體物理學(xué)家和探測器專家組成的跨學(xué)科研究小組[39]。其主要目標(biāo)是研究和開發(fā)新的無機閃爍晶體，以滿足日益增長的大型強子對撞機(LHC)和其他高能物理實驗對閃爍探測器的需求。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。福...

Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應(yīng)用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外，還具有較好光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可以應(yīng)用于極端條件下。因此，Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以廣泛應(yīng)用于低能γ射線，α粒子等輕帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外，Ce:YAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測方面有著重要的廣闊的應(yīng)用。目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法。CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組。河南品質(zhì)CeYAG...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標(biāo) 什么YAG晶體可以用于極端的探測環(huán)境中？此外，在較高濃度或溫度的情況下，閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短的光衰減，但這往往伴隨著晶體光輸出的降低。閃爍晶體的品質(zhì)因數(shù)，Birks第1次將品質(zhì)因數(shù)(m)的概念引入無機閃爍晶體的表征中。品質(zhì)因數(shù)是指閃爍晶體的光輸出與光衰減的比值，國內(nèi)外對鈰離子摻雜的無機閃爍體進行了大量的研究和探索[40]-[50]，涉及的閃爍體包括氟化合物、溴化物、氧化物和硫化物等無機閃爍體，Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？口碑好...

閃爍晶體作為一種輻射探測材料在許多領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。雖然閃爍晶體發(fā)現(xiàn)至今已有一個多世紀，但隨著探測器技術(shù)的進步，以及材料合成方法的極大改進和擴展，對閃爍晶體的研究仍然十分活躍。隨著傳統(tǒng)閃爍晶體的性能達到極限，以及核醫(yī)學(xué)和國土安全等領(lǐng)域的需求日益增長，對新型閃爍晶體的探索成為近些年研究的一個重要課題。在探測和利用核輻射的科學(xué)研究和高技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域中，閃爍晶體起著十分重要的作用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。電?空穴對的數(shù)量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。浙江人工CeYAG晶體出廠價和小編來看看閃爍晶體的知識，閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體...

Ce：YAG晶體的硬度能達到多少？深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探...

大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍光LED芯片功率的不斷上升，散熱和光衰減等問題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來。為探索大功率LED特種照明，基于陣列藍光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體，采用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)裝置，在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃度(物質(zhì)的量濃度)晶棒對于藍光的吸收、大功率LED激發(fā)不同Ce離子摻雜濃度晶棒的出光效果、晶棒端面處理情況對于出光的影響等。結(jié)果表明，利用氮化鋁制成的基板滿足大功率LED的散熱需求，摻雜濃度為0.8%的晶棒出光光通量更高，對晶棒端面進行處理可大幅提升出光光通量。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。山...

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個必須解決的問題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個問題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機和加速器。這些裝置上用來測量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進行Babar和BELLE實驗、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進行CMS實驗等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實驗中使用的無機閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來設(shè)計的晶體量熱儀中使用的無機閃爍晶體。CeYAG晶體的優(yōu)勢：發(fā)射波長與...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。Ce:YAG屬于無機閃爍體。廣東白光LED用CeY...