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CeYAG晶體，屬于無機(jī)閃爍體。無機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用[2]-[12]；此外，無機(jī)閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展，為改進(jìn)現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無機(jī)閃爍晶體提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？吉林專業(yè)CeYAG晶體廠家以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeY...

CeYAG晶體，屬于無機(jī)閃爍體。無機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用[2]-[12]；此外，無機(jī)閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展，為改進(jìn)現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無機(jī)閃爍晶體提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。CeYAG晶體是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體。山東CeYAG晶體型號(hào)在Ce:YAG...

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面：1、尋求優(yōu)化的高溫閃爍晶體生長(zhǎng)方法以及工藝技術(shù)。目前，多數(shù)高溫閃爍晶體主要是通過提拉法生長(zhǎng)的，探索改進(jìn)的提拉法或其它的工程化生長(zhǎng)工藝技術(shù)對(duì)研究開發(fā)高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開展多摻雜以及探索新型發(fā)光離子的高溫閃爍晶體也會(huì)逐步受到人們的重視。隨著探測(cè)器件的小型化多功能化的迅猛發(fā)展，具有多種探測(cè)功能的復(fù)合閃爍探測(cè)單晶材料將會(huì)成為一個(gè)研究熱點(diǎn)。另外，探索其它發(fā)光中心離子的閃爍性能也將會(huì)逐步引起人們的關(guān)注，特別對(duì)能與現(xiàn)有的探測(cè)設(shè)備耦合匹配，容易摻雜等激發(fā)離子的研究。CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高...

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍(lán)光芯片的發(fā)射波長(zhǎng)為460nm。中心波長(zhǎng)460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光，將藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光和CeYAG晶片發(fā)出的黃光疊加成白光。此外，CeYAG單晶具有良好的熱穩(wěn)定性，這對(duì)大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加，藍(lán)晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高，色溫和顯色指數(shù)逐漸降低，隨著晶片厚度的增加，Ce3+的含量相對(duì)增加。吸收的藍(lán)光越多，發(fā)出的黃光越多，導(dǎo)致晶圓的發(fā)光從藍(lán)色變成白色變成黃色。從宏觀上看，直...

一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900～2000℃，坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10～50℃/cm，坩堝下降速率為0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩堝直徑為30～120mm，高度為50～200mm。本發(fā)明專利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單，成本低，生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。CeYAG...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)開展了提拉法與溫梯法生長(zhǎng)Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。山西國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體現(xiàn)貨CeYAG晶體的良好...

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？可來看看下文的一些介紹，閃爍晶體在工業(yè)探傷領(lǐng)域，人們利用閃爍晶體探測(cè)X射線，在工業(yè)CT上獲取工件內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)和分布，避免工件失效和改善工件品質(zhì)；在醫(yī)院，人們采用閃爍晶體探測(cè)注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT上獲取人體的功能、代謝和受體顯像，診斷病癥和研發(fā)新藥。經(jīng)過多年的發(fā)展，多種閃爍晶體材料得以成功研制并作為產(chǎn)品大批量走向國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。浙江大尺寸CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以...

CeYAG晶體最大直徑多少？閃爍過程的三個(gè)步驟(a . 電子空穴對(duì)產(chǎn)生；電子空穴被傳送到發(fā)光中心；c .從發(fā)光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個(gè)參數(shù)中，很難建立能量傳遞的理論模型，因此很難計(jì)算出S [51][56]?？梢钥隙ǖ氖牵瑹o機(jī)閃爍晶體中的各種缺陷會(huì)俘獲電子空穴對(duì)，使S值 大降低。與參數(shù)s相比，參數(shù)和q可以從理論上計(jì)算出來。根據(jù)羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中，Ei為電離能；是產(chǎn)生實(shí)際產(chǎn)生一個(gè)電子空穴對(duì)所需的能量；k為能量損失分?jǐn)?shù)，與高頻介電常數(shù)()，靜電常數(shù)()和光學(xué)縱模聲子能量()有關(guān)。Lf是電子(或空穴)損失的能量分?jǐn)?shù)。通常，在閃爍晶體中，閃爍光的...

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點(diǎn)溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點(diǎn)是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數(shù)較小（~ 0.1）造...

什么是閃爍晶體？關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多？和小編來看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無法直接探測(cè)到，人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間，其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。貴州CeYAG晶體哪家好高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸...

無機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)，X射線斷層掃描(XCT)和正電子發(fā)射斷層掃描(正電子發(fā)射斷層掃描)是現(xiàn)代影像醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的兩種前沿核醫(yī)學(xué)成像技術(shù)[29]-[33]。前者提供患病組織的解剖圖像，而后者提供患病組織的功能成像。二者優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，在心-血.管.疾；病和腫‘’瘤的診斷和治聊中發(fā)揮重要作用。尤其是PET成像技術(shù)，不只是現(xiàn)代影像醫(yī)學(xué)的前沿技術(shù)，也是本世紀(jì)末生命科學(xué)的重大突破。它可以在體外無損傷、定量、動(dòng)態(tài)地從分子水平觀察人體內(nèi)代謝物質(zhì)或藥物的活性及其在疾病中的變化。從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。云南白光LED用CeYAG晶體生...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)開展了提拉法與溫梯法生長(zhǎng)Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。江蘇品質(zhì)CeYAG晶體型號(hào)根據(jù)出現(xiàn)的順序，無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制可分為以下...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長(zhǎng)了直徑為 110mm 的大尺寸 C...

光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無機(jī)閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用都要求無機(jī)閃爍晶體具有快速的光衰減常數(shù)。根據(jù)熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數(shù)為光衰減時(shí)間，其中c是光速，me是電子的質(zhì)量，e是電子的電荷，f是振子強(qiáng)度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長(zhǎng)。從上面的公式可以推斷出發(fā)射短波長(zhǎng)閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數(shù)。此外，雜質(zhì)或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會(huì)降低晶體的光輸出。CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料。湖北大尺寸CeYAG晶體規(guī)格Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長(zhǎng)約為550nm嗎？無機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理...

閃爍晶體到底是什么呢？不了解可以好小編來看看下文的介紹，新一代閃爍晶體在核醫(yī)學(xué)影像診斷、高能物理、安全檢查、地質(zhì)勘探、國(guó)防裝備、無損檢測(cè)等各種射線的探測(cè)領(lǐng)域有著很多應(yīng)用。已經(jīng)向很多相關(guān)單位提供晶體與器件，與國(guó)內(nèi)外科研單位合作開發(fā)的用于高能物理、環(huán)境射線探測(cè)和國(guó)土礦產(chǎn)調(diào)查的新型伽馬射線探測(cè)器，獲得行業(yè)的高度認(rèn)可。綜合性能優(yōu)異的閃爍晶體，可以實(shí)現(xiàn)高能粒子和射線等電離輻射的高效率探測(cè)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。在行李安檢、集裝箱檢查、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。陜西大尺寸CeYAG晶體品牌隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機(jī)閃爍晶體的缺點(diǎn)日益突...

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí))，晶體生長(zhǎng)的適宜溫度場(chǎng)主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對(duì)位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)溫度約為1970，生長(zhǎng)周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時(shí)晶體下部邊緣開裂。整個(gè)晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無損Ce:YAG晶體拋光...

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質(zhì)的相互作用機(jī)制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測(cè)領(lǐng)域，為了增加射線的光電效應(yīng)截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數(shù)Zeff，而在高能射線應(yīng)用領(lǐng)域，則需要有較高的密度來提高晶體的截止能量。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。遼寧人工CeYAG晶體價(jià)格目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃...

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、國(guó)防醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展，國(guó)際上對(duì)Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮，出現(xiàn)了大量的文獻(xiàn)報(bào)道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體，人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性，由于存在嚴(yán)重的激發(fā)態(tài)吸收，使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年，Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能，但是對(duì)其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。CeYAG晶體發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備...

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對(duì)撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來測(cè)量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國(guó)斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無機(jī)閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來設(shè)計(jì)的晶體量熱儀中使用的無機(jī)閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間...

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長(zhǎng)難度急劇增加。CeYAG閃爍晶體具有快衰...

光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無機(jī)閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用都要求無機(jī)閃爍晶體具有快速的光衰減常數(shù)。根據(jù)熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數(shù)為光衰減時(shí)間，其中c是光速，me是電子的質(zhì)量，e是電子的電荷，f是振子強(qiáng)度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長(zhǎng)。從上面的公式可以推斷出發(fā)射短波長(zhǎng)閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數(shù)。此外，雜質(zhì)或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會(huì)降低晶體的光輸出。CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。廣東大尺寸CeYAG晶體供應(yīng)以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了Ce...

什么是閃爍晶體？對(duì)于閃爍晶體你了解得多嗎？它應(yīng)用在哪些方面呢？在醫(yī)學(xué)上，閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。同時(shí)，在行李安檢、集裝箱檢查、大型工業(yè)設(shè)備無損探傷、石油測(cè)井、放射性探測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。既然說閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料，那么測(cè)試閃爍晶體的發(fā)射光譜就必不可少了。此類材料主要用X射線做激發(fā)，用可見波段響應(yīng)的探測(cè)器進(jìn)行探測(cè)采集。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動(dòng)能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。河南品質(zhì)CeYAG晶體廠家直供從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)開展了提拉法與溫梯法生長(zhǎng)Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。遼寧白光LED用CeYAG晶體定制鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出...

鈰離子摻雜高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測(cè)領(lǐng)域中尚需時(shí)日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對(duì)閃爍性能影響較大，同時(shí)激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機(jī)制也比較復(fù)雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長(zhǎng)方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點(diǎn)使得大尺寸高質(zhì)量閃爍晶體的生長(zhǎng)較為困難。鈰離子摻雜無機(jī)閃爍晶體的研究現(xiàn)狀，由于鈰離子摻雜的無機(jī)閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點(diǎn)，因此從20世紀(jì)80年代末和90年代初開始。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動(dòng)能轉(zhuǎn)變?yōu)楣?..

Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應(yīng)用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外，還具有較好光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可以應(yīng)用于極端條件下。因此，Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測(cè)器可以廣泛應(yīng)用于低能γ射線，α粒子等輕帶電粒子探測(cè)等核物理的實(shí)驗(yàn)中。另外，Ce:YAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)方面有著重要的廣闊的應(yīng)用。目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法。CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。湖北白光LED用CeYAG晶體批發(fā)價(jià)隨著核科學(xué)...

閃爍晶體作為一種輻射探測(cè)材料在許多領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。雖然閃爍晶體發(fā)現(xiàn)至今已有一個(gè)多世紀(jì)，但隨著探測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步，以及材料合成方法的極大改進(jìn)和擴(kuò)展，對(duì)閃爍晶體的研究仍然十分活躍。隨著傳統(tǒng)閃爍晶體的性能達(dá)到極限，以及核醫(yī)學(xué)和國(guó)土安全等領(lǐng)域的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)新型閃爍晶體的探索成為近些年研究的一個(gè)重要課題。在探測(cè)和利用核輻射的科學(xué)研究和高技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域中，閃爍晶體起著十分重要的作用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域。山西品質(zhì)CeYAG晶體哪家好無機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描...

根據(jù)出現(xiàn)的順序，無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制可分為以下五個(gè)階段：1.電離輻射的吸收和初級(jí)電子和空穴的產(chǎn)生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產(chǎn)生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對(duì)；4.電子和空穴向發(fā)光中心的熱傳遞和發(fā)光中心的激發(fā)；5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個(gè)閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生(**個(gè)階段)和(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射(后兩個(gè)階段)。無機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。重慶雙摻CeY...

電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時(shí)，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級(jí)光電子。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。湖南雙摻CeYAG晶體直銷一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-...

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。CeYAG閃爍晶體可以應(yīng)...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。云南進(jìn)口CeYA...