當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態(tài)。因為 MOS 管導通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件，PMOS增強型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NMOS增強型管：UG-US>0，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓；PMOS導通是在G和S之間加G負S正電壓。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài)，MOSFET 不同于三極管，因為某些型號封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的，且 N 管必須由 D 流向 S，P 管必須由 S 流向 D。MOSFET是最常見的場效應(yīng)管，其優(yōu)勢在于高輸入電阻和低功耗?；葜輪螛O型場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比，它的體積小，重量輕，壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導電）、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管)，下面來具體來看這兩種管子。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)），簡稱場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導體器件。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導電的雙極型晶體管，三極管(BJT)，屬于電流控制型半導體器件。東莞耗盡型場效應(yīng)管制造在開關(guān)電路中，場效應(yīng)管可以實現(xiàn)快速的開關(guān)操作，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中。

場效應(yīng)管注意事項：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。

合理的熱設(shè)計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。熟練掌握場效應(yīng)管的使用方法和注意事項，對于電子工程師來說是提升電路設(shè)計能力和解決實際問題的重要技能。

場效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導電；當VGS超過Vth時，通道形成，電流開始流動。場效應(yīng)管驅(qū)動電路簡單，只需一個電壓信號即可實現(xiàn)控制，降低電路復雜度。珠海耗盡型場效應(yīng)管價格

場效應(yīng)管的價格相對較低，適合大規(guī)模生產(chǎn)?；葜輪螛O型場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強型MOS管和耗盡型MOS管，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導電溝道，即使沒有外加電壓，也會有漏極電流（ID）。這是因為在制造過程中，通過摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導體表面感應(yīng)出負電荷，形成導電溝道。增強型MOS管：在VGS為零時是關(guān)閉狀態(tài)，不導電。只有當施加適當?shù)恼驏艠O電壓時，才會在半導體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子，形成導電溝道?；葜輪螛O型場效應(yīng)管廠家精選