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半導(dǎo)體檢測設(shè)備：技術(shù)突破，領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)業(yè)升級新風(fēng)向
超聲檢測：無損探傷，直擊封裝缺陷
芯紀(jì)源的超聲掃描顯微鏡（SAT）采用高頻超聲波技術(shù)，可穿透封裝材料對芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維成像，準(zhǔn)確識別分層、空洞、裂紋等微米級缺陷。
相較于傳統(tǒng)X射線檢測，SAT具備三大中樞優(yōu)勢：
1.無損檢測：避免對芯片造成二次損傷，適用于高價值樣品分析；
2.高分辨率：可檢測0.5μm級缺陷，滿足3D堆疊、HBM等先進(jìn)封裝需求；
3.材料兼容性：覆蓋SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料，適配陶瓷、塑料、金屬等多種封裝基板。
在新能源汽車IGBT模塊檢測中，芯紀(jì)源SAT設(shè)備可模擬-55℃至150℃極端工況，通過熱循環(huán)測試定位熱失效閾值，助力客戶通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。
光學(xué)檢測：納米精度，賦能先進(jìn)制程
針對5nm/3nm工藝節(jié)點，芯紀(jì)源推出多光譜光學(xué)檢測平臺，集成深紫外（DUV）光源與AI算法，實現(xiàn)：
1.關(guān)鍵尺寸（CD）在線測量：線寬測量精度達(dá)±0.5nm，覆蓋光刻、刻蝕、CMP全流程；
2.三維形貌重構(gòu)：結(jié)合橢偏儀與共聚焦顯微技術(shù)，量化臺階高度、側(cè)壁角等參數(shù)；
3.電性缺陷定位：通過光電流映射（PCM）技術(shù)，關(guān)聯(lián)微觀結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能，良率提升20%以上。
在AI芯片TSV（硅通孔）檢測中，該平臺可同步測量電阻、電容及信號串?dāng)_，配合科磊KLA Nexus晶圓檢測設(shè)備，實現(xiàn)缺陷復(fù)檢效率提升3倍。
國產(chǎn)化突圍：技術(shù)攻堅，打破國際壟斷
面對海外廠商（如KLA、應(yīng)用材料）的技術(shù)封鎖，芯紀(jì)源依托國家大基金三期政策支持，重點突破三大瓶頸：
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多物理場耦合仿真：聯(lián)合中科院微電子所開發(fā)材料數(shù)據(jù)庫，預(yù)測不同工藝條件下的缺陷演化；
2.實時反饋控制系統(tǒng)：基于FPGA的硬件加速架構(gòu)，將檢測周期從小時級壓縮至分鐘級；
3.智能缺陷分類（ADC）：采用Transformer模型訓(xùn)練百萬級缺陷樣本，識別準(zhǔn)確率＞99.5%。
目前，芯紀(jì)源STS8200系列測試機已進(jìn)入中芯國際、長江存儲供應(yīng)鏈，支持128通道并行測試，測試覆蓋率較國際競品提升15%，成本降低40%。
未來展望：技術(shù)融合，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)
芯紀(jì)源正布局下一代檢測技術(shù)：
1.量子傳感檢測：探索量子精密測量在磁性材料檢測中的應(yīng)用；
2.數(shù)字孿生平臺：構(gòu)建虛擬量測系統(tǒng)，預(yù)測工藝窗口漂移；
3.綠色檢測方案：開發(fā)低功耗激光誘導(dǎo)擊穿光譜（LIBS）技術(shù)，減少化學(xué)品消耗。
同時，公司攜手良渚新城打造半導(dǎo)體檢測產(chǎn)業(yè)集群，聯(lián)合矩子科技、精測電子等企業(yè)共建“測封一體”生態(tài)，推動AOI檢測設(shè)備國產(chǎn)化率從15%提升至30%。
結(jié)語
在摩爾定律放緩的如今，半導(dǎo)體檢測設(shè)備已成為產(chǎn)業(yè)突破物理極限的關(guān)鍵。芯紀(jì)源以“技術(shù)攻堅者”的姿態(tài)，持續(xù)投入研發(fā)，致力于為客戶提供從實驗室到量產(chǎn)線的全流程解決方案。選擇芯紀(jì)源，即是選擇以準(zhǔn)確檢測驅(qū)動創(chuàng)新，以品質(zhì)保障贏得未來。
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